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3.
陕北±800 kV换流站用地为原循环工业经济园区挖黄土梁卯、填深沟给出的一块台阶式场地,场地覆盖一层厚度0~50 m的素填土,密实度差异较大,土质极不均匀,填土完成约5年半时间,是一种欠固结土,在其自身重度和大气降水的入渗作用下有自行密实的特点,影响位于填方区建(构)筑物地基的承载力和稳定性.基于该工程特殊的岩土地质情况,除挖方区采用天然地基外,从处理填方区大面积欠固结土和消除部分地基土湿陷性、提高地基土承载力、减小场地沉降变形的角度,对不同地基处理及桩基方案进行技术经济综合比选,提出适合本工程的经济合理的地基处理方案. 相似文献
4.
以接种黄曲霉孢子的大米为原料,采用远红外辐照杀菌技术,研究了红外辐照对黄曲霉孢子的杀灭效果、生长曲线和产黄曲霉毒素B1(AFB1)能力的影响,同时考察了其对大米的色泽、游离氨基酸、可溶性蛋白等品质的影响。结果表明,远红外对黄曲霉孢子的杀灭效果随着辐照温度的升高和时间的延长而显著增强。当大米含水率为30%时,辐照温度115℃处理5 min,黄曲霉对数降低值(lgS)为2.96±0.28,AFB1总量下降63.09%,单位菌体产毒量下降38.44%;当大米含水率为20%时,lgS为2.04±0.17,AFB1总量下降55.04%,单位菌体产毒量下降22.54%。采用先115℃高温处理5min后70℃保温5 min,大米黄曲霉lgS3.87,L、b、△E和游离氨基酸含量均无显著性差异,可溶性蛋白含量随着处理时间的延长逐渐降低。 相似文献
5.
新郑大枣种植区位于河南省中部黄淮平原区西侧,表层土壤以全新统灰黄色亚砂土为主,为冲积-风积堆积物。深部为更新统亚粘土层,为坡积-洪积物。为了查明大枣种植区土壤中的地球化学元素与新郑大枣中元素含量的关联特征,在开展农业地质调查时,在大枣种植区采集了表层土壤样、浅表层土壤样、土壤有效态样和植物样品,分别进行了多种元素分析。查明表层土壤中富K2O、Na2O、SiO2,浅表层与表层土壤地球化学特征基本一致。通过相关分析表明新郑大枣中富含的无机元素与表层土壤无关,与古土壤呈正相关。重金属元素在大枣种植区土壤中基本上处于低背景状态,反映出土地环境质量优良。 相似文献
6.
为了研究单层Mo S2中的空位缺陷形成及其对电子结构的影响,基于密度泛函理论框架下的第一性原理,采用平面波赝势方法分别计算了单层Mo S2中Mo空位和S空位的形成能、空位附近的晶格畸变、Mo S2层中的电子分布以及态密度(DOS)和能带结构。计算结果显示,2种空位缺陷都具有点缺陷特征,其附近的电子分布呈现出明显的局域化特点,且S空位比Mo空位更容易形成。通过与本征态Mo S2电子结构的对比分析,发现2种空位缺陷的存在对单层Mo S2的电子结构、尤其是对导带高能量区域的能态密度会产生十分明显的影响,这些影响可能与空位缺陷引入的缺陷能级有关。 相似文献
7.
We have investigated the temperature dependent interfacial and electrical characteristics of p-GaAs metal-oxide-semiconductor capacitors during atomic layer deposition(ALD) and annealing of HfO2 using the tetrakis(ethylmethyl) amino hafnium precursor. The leakage current decreases with the increase of the ALD temperature and the lowest current is obtained at 300℃ as a result of the Frenkel-Poole conduction induced leakage current being greatly weakened by the reduction of interfacial oxides at the higher temperature. Post deposition annealing(PDA) at 500℃ after ALD at 300℃ leads to the lowest leakage current compared with other annealing temperatures. A pronounced reduction in As oxides during PDA at 500℃ has been observed using X-ray photoelectron spectroscopy at the interface resulting in a proportional increase in Ga2O3. The increment of Ga2O3 after PDA depends on the amount of residual As oxides after ALD. Thus, the ALD temperature plays an important role in determining the high-k/GaAs interface condition. Meanwhile, an optimum PDA temperature is essential for obtaining good dielectric properties. 相似文献
8.
探索了电气安装工程中变压器的调试问题,介绍了调试前的准备工作,指出了提高变压器调试质量的应用方法和步骤,分析了调试试验过程中的安全防范和预控措施。 相似文献
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10.
With RF sputtering process, Si/Si02/Ta/Ru/Ta/CoFeB/MgO/CoFeB/Ta/Ru structure has been grown on Si (100) substrate. Attempting different targets and adjusting the oxygen dose, the crystallization quality of the MgO layer is studied. The X-ray diffraction measurements demonstrate that crystal structure and crystallization quality of MgO layers are related to the type of target and concentration of oxygen in sputtering process. With the method sputtering Mg in an ambient flow of oxygen, not only the crystallization quality of a normal MgO layer with lattice constant of 0.421 nm is improved, but also a new MgO crystal with lattice constant of 0.812 nm is formed and the perpendicular magnetic anisotropy of CoFeB is enhanced. Also it is found that crystallization quality for both the normal MgO and new MgO is more improved with MgO target and same oxygen dose, which means that this new method is helpful to form a new structure of MgO annealed at 400 ℃ in vacuum. with lattice constant of 0.812 nm. All of the samples were 相似文献