隧洞围岩前期监测位移损失计算及力学参数敏感性分析

隧道围岩变形监测仪器埋设具有滞后性，导致仪器安装前的位移无法获取，给监测与仿真计算的对比分析造成了困难。基于围岩物理力学参数的单一变量计算数据，对弹性模量、黏聚力和内摩擦角进行敏感度分析，拟合给出ＬＤＰ（Ｌｏｎｇｉｔｕｄｉｎａｌｄｉｓｐｌａｃｅｍｅｎｔｐｒｏｆｉｌｅ）曲线及全过程损失位移 占比，进一步给出 Ｈｏｅｋ经验公式的参数 Ｋ１，Ｋ２，对原位监测曲线进行拟合，寻找并确定与原位监 测曲线匹配度最优的计算位移曲线，计算出监测位移最大损失值，并修正监测全位移曲线，修正后的曲线与样本曲线误差较小，为监测位移损失确定和隧道安全稳定提供了一种新的研究方法。     

基于CDIO理念的软件开发教学改革

随着各国的经济水平不断提高,全球的科学技术越来越先进,当今中国仍然处于发展中阶段,与发达国家相比经济水平、科学技术水平以及国民文化素质还存在一定的差距,因此发展中国的科学技术水平是当今刻不容缓的任务。信息化时代的到来改变了人民的生活方式,将浩瀚无边的地球变成了一个小小的“地球村”,使得人类之间相互联系更加方便,计算机科学技术的出现更是推动了我国科学技术水平的提高速度,它的出现给人民的生活带来了翻天覆地的变化,逐渐社会中对计算机应用技术的利用也越来越广泛,逐渐人民的生活离不开了计算机,在居民生活中计算机丰富了他们的生活,在国家经济水平发展中,计算机推动了我国国民经济的增长,使得中国工业和农业更加简单地进行。随着计算机技术的应用越来越广泛,中国市场对计算机的应用需求不断扩大,在软件开放方面产生不同的需求,因此为满足当前我国市场对计算机软件开发的需求,涉及出利用CDIO的理念实现软件的进一步开发。     

芡河湖水质及富营养化状态评价

根据2017～2018年芡河湖水质监测数据,参照《地表水环境质量标准(GB3838-2002)》中Ⅲ类水质标准,采用单因子评价法、综合污染指数法和综合营养指数法对芡河湖水质及富营养状况进行评价。评价结果表明,在总磷、总氮、化学需氧量、生化需氧量不参与评价的情况下,芡河湖湖体水质整体为优;各指标的综合污染指数为10. 39,总磷为芡河湖首要污染物,湖水中总磷、总氮、化学需氧量、生化需氧量污染比较严重,浓度均劣于Ⅲ类水质要求。芡河湖水体营养化指数为57. 9,水质处于轻度富营养水平。     

汽车用大电流智能型电源开关(IPS)

富士电机对汽车大功率电动机的控制等所使用的大电流智能电源开关(IPS)进行了开发。因采用沟槽式(trench)结构的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)与控制集成电路(IC)的芯片叠芯片(chip on chip)结构,因此,在小型组件中实现了低通态阻抗(最大值5m)。为达到高的可靠性,配置了过电流和过热检测、低电压检测等保护功能。此外,因采用散热性良好的组件和并联连接时能量分配平衡的优良结构,由低通态阻抗导致电流增加,从而产生温度上升能得到抑制。     

“高效领导力”就在这里

正当前商业飞速发展,企业保持竞争优势的关键就在于实现比以往更高效的管理。然而,要想在纷繁复杂的环境中实现高效管理并不轻松,它需要管理者掌握更高效的领导思维与技能。《高效领导力》一书所涉及15个领导力,从管理自我到管理他人,从帮助管理者摆脱领导误区到如何迅速提升领导力与企业绩效。对企业各级领导人来说,读后会有奇效!《高效领导力》的作者是布伦达˙本斯,她毕业于享誉世界的美国哈佛商学院,并在日用品巨头宝     

露天开采日兰德矿组时极限剥采比的论证

作者根据敢小矿石开采与加工盈利准则提出了日兰德矿组上部露天开采的极限剥采比论证 方法。用此法得出的计算指标可用于编制该矿组的露天开采技术经济评价报告和设计文件。     

木素磺酸钙在浮选胶磷矿中的应用

<正> 建国三十年来,我国选矿工作者对不同类型,不同品级的磷矿进行了多方面的工作,特别是国内外公认较为难选的沉积变质硅酸盐—碳酸盐混合型胶磷矿的选矿,经实验室或扩大试验研究,均取得了较为满意的技术指标。标志着我国在磷矿选矿技术方面有了很大进展。磷矿从选矿工艺角度而论,大体可分为晶质磷灰石型和胶磷矿型两大类。从它们伴生的脉石矿物而论,又可分为硅酸盐、碳酸盐和硅酸盐及碳酸盐混合型三大类。我国磷矿在地质储量方面,单一的硅酸盐或碳酸盐型磷矿比率不高而以脉石矿物混合型的胶磷     

Cu/,Ni/4H-SiC Schottky势垒的退火研究

采用磁控溅射方法分别在n型4H-SiC上沉积Cu,Ni金属薄膜形成Schottky接触,并进行不同温度下的退火,通过I-V和C-V测试,研究不同退火温度对Schottky势垒高度以及理想因子的影响.研究结果表明,对Cu,Ni金属,适当的退火温度能提高其与4H-SiC所形成的Schottky势垒高度,改善理想因子,但若退火温度过高,则会导致接触的整流特性退化.器件在退火前后,反向漏电流都较小.热电子发射是其主要的输运机理.所制备的金属半导体接触界面比较理想,无强烈费米能级钉扎.