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1.
智能化是未来火炮武器系统的发展趋势。根据未来战场智能化装备的需求及国外智能火炮武器的发展现状,给出了智能火炮武器系统的定义,分析了以OODA循环为模型的火炮武器系统智能化内涵,总结提炼了以认知为基础、有中心及无中心智能协同、资源池能力柔性重组、算法和算力等智能火炮的主要特征。构建了以智能感知、智能决策、智能控制、智能反馈为环节的智能火炮武器的系统架构,探讨了关键环节的智能化应用模块。最后阐述了火炮武器系统智能化所涉及的关键技术,为火炮武器的智能化技术发展提供了借鉴。  相似文献   
2.
针对手机电池表面质量人工检测情况,开发了电池表面缺陷无损检测系统软件。首先电池表面经过倾斜矫正、感兴趣区域提取和字符灰度值修改等预处理操作,通过基于灰度密度分布和灰度差的自适应阈值亮度法对感兴趣区域进行子图像遍历,融合有重合区域的缺陷子图像并滤除没有明显缺陷的区域;然后采用支持向量机多种类分类法,提取二值图像像素分布规律作为训练特征,识别电池表面缺陷种类;最后设计了人机交互界面,确定最佳的可变参数,实验测试缺陷识别率达95%以上。  相似文献   
3.
通过岩心分析、显微镜下观察(常规、铸体薄片和扫描电镜)、岩石地球化学分析测试等技术手段,以准噶尔盆地西北缘下二叠统油气储层为实例,研究了火山岩、火山碎屑岩和火山岩屑质砂砾岩中的火山玻璃、火山碎屑、长石以及辉石、角闪石等火山物质的低温-埋藏蚀变作用。镜下观察发现,在含火山物质油气储层中,常见对储集空间具有重要影响的自生矿物主要有绿泥石、沸石(包括方沸石、片沸石和浊沸石)、方解石、钠长石和自生的石英。结合共生关系、元素组成和元素迁移,分析了自生矿物的微观特征和成因,建立了火山物质蚀变的成岩演化序列,可以概括为:①火山玻璃水化—蒙脱石化—沸石化及各种沸石的转化——钠长石化;②铁镁矿物影响的绿泥石化;③长石蚀变向绿泥石和方解石转化,后期发生钠长石化。在研究区,火山物质的蚀变和自生矿物的析出与中-基性的母岩物质组成密切相关,并受地层温度、压力、孔隙水的化学性质控制。研究火山物质蚀变的产物、蚀变过程及控制因素,能够明确含火山物质的油气储层质量差异机理,为优质储层预测提供科学的依据。  相似文献   
4.
歧口凹陷歧北斜坡岩性油气藏及其勘探方法   总被引:1,自引:0,他引:1  
歧口凹陷作为渤海湾盆地一个富油气凹陷,油气资源丰富。具有凹多、凸少、斜坡类型多的特点。随着勘探程度不断提高,斜坡区是今后勘探的重点领域。以歧北斜坡为例,通过强化斜坡成因演化及控砂、控藏机制研究,明确"基底差异沉降控制斜坡构造的形成,基底断裂控制斜坡构造的发育样式"斜坡构造成因机制、"内外物源供砂、调节沟槽输砂、陡缓坡折控砂"斜坡区多元控砂机制、"复式输导、2期充注、高油低气、差异聚集、优势相富集"斜坡区岩性地层控藏机制。创新发展了斜坡区油气成藏理论,探索形成了"选斜坡—建模式—求突破—描砂体—优方案"富油气凹陷斜坡区岩性地层油气藏勘探工作方法。有效指导了歧口凹陷斜坡区岩性地层油气藏预探实践,发现规模储量区。  相似文献   
5.
两轮自平衡小车可控角度的推导研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
通过对小车系统的受力分析,推导出小车自平衡条件,即电机水平驱动力需要大于小车重力水平分量.引入小车系统各硬件参数,计算出最大可控角度,并得到可控角度与路面摩擦系数间的关系.可控角度的推导为系统数学建模提供了重要的理论依据.  相似文献   
6.
季广森  刘学超 《物探装备》2002,12(3):188-189
本文着重介绍了可控震源的防寒问题以及在复杂地区作业的施工方法.  相似文献   
7.
刘学超  潘虹  张波 《电力电子技术》2003,37(3):37-38,94
介绍了一种带输出饱和电感的移相零电压开关PWM三电平直流变换器,与传统的零电压三电平比较,它具有较宽负载范围内实现零电压软开关、减小次级占空比丢失、减小输出二极管的寄生振荡及电压尖峰等特点。实验样机表明,该电路整机效率高,易于实现中大功率DC/DC变换。  相似文献   
8.
多相并联磁集成电压调整模块的电路建模研究   总被引:2,自引:1,他引:2  
针对磁集成磁路耦合和建模分析的难点,提出了一种基于回转器-电容模型的磁集成建模方法。在该模型中,磁性参数中的磁导类比于电路中的电容,绕组励磁类比于电流控制电压源型回转器。文章首先利用回转器-电容模型对两相电压调整模块进行建模研究,并推导出具体的磁集成自感和互感表达式;然后根据该建模方法推导出多相并联磁集成的电路模型,并利用相似矩阵对角化原理求解得到通用模型表达式;文章最后比较了利用回转器-电容模型的磁集成电压调整模块的仿真与实验结果。研究表明,该模型与实际应用相吻合,能仿真磁集成电路的稳态和动态特性,为磁集成建模提供了一个新的研究思路。  相似文献   
9.
采用钒掺杂半绝缘6H-SiC衬底,以Ni/Au为接触电极制备了一系列正对电极结构型光导开关,对SiC光导开关进行了不同外加电压、激发光强、激发光波长条件下的测试,着重研究了SiC光导开关的光电吸收效应和光电响应性能.实验结果表明,532 nm的激光激发的脉冲信号宽度远小于1064 nm的激光激发的脉冲信号宽度,半绝缘6H-SiC衬底对532 nm激光的吸收系数在0.601~0.692 mm–1之间;采用532 nm的激光激发光导开关,获得了纳秒量级的响应信号;流经开关的瞬态电流随着外加电压和激发光能量的增加而增大,随着衬底厚度的增加而减小.  相似文献   
10.
研究了生长温度为1400℃时4H-SiC同质外延膜的生长速率、表面形貌及缺陷.拉曼表征并结合KOH腐蚀表明外延膜中未出现3C-SiC多晶,为单一的4H-SiC晶型.通过KOH腐蚀发现,低生长速率和高C/Si比有利于衬底表面的基平面位错(BPDs)转变成露头刃位错(TEDs).在高生长速率下,外延膜的表面三角形缺陷和位错密度会显著增加.通过引入界面层,可以实现生长初期的平滑过渡,极大地降低高生长速率下外延膜的缺陷密度.  相似文献   
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