口腔正畸中瓷修复体托槽间接粘接的实验与临床应用研究

研究了口腔正畸间接粘接中瓷修复体与托槽粘接强度受到粘接处理方式和粘结剂的影响及其临床应用效果。粘接处理方式分为陶瓷偶联剂+氢氟酸酸蚀+喷砂组(A组)、氢氟酸酸蚀+喷砂组(B组)和陶瓷偶联剂+喷砂组(C组):选定4种粘结剂:Ormco光固化型、3M化学固化型、西湖化学固化型、京津化学固化型粘结剂，每组按照4种材料各粘接烤瓷试件16个。统计分析3个组抗剪切强度、粘结剂残留情况。结果表明:A、B组Ormco光固化型、3M化学固化型、西湖化学固化型和京津化学固化型粘结剂的抗剪切强度均高于C组(P <0.05); A、B和C组粘结剂总残留率逐渐降低(P <0.05)。其中A组Ormco光固化型、3M化学固化型、西湖化学固化型粘结剂残留率均低于B、C组(P <0.05)，京津化学固化型粘结剂残留率低于C组(P <0.05)。说明间接粘接中瓷修复体托槽粘接强度受到粘结剂材料和粘接处理方式的直接影响，采用Ormco光固化型粘结剂，并结合表面打磨、氢氟酸酸蚀等表面处理方法更能提升瓷修复体托槽粘接强度，临床应用结果显示这种瓷修复体托槽粘接方法的有效性。     

稀土石膏常压酸化法制备硫酸钙晶须的研究

以含稀土的石膏为原料运用常压酸化法合成硫酸钙晶须,探讨了不同工艺条件对生成的硫酸钙晶须形貌的影响,同时还考察了晶型助长剂的种类和晶型助长剂的含量对硫酸钙晶须生长的影响,利用SEM和XRD分别对硫酸钙晶须的表面形貌、物相特征做了表征分析。实验得到制备硫酸钙晶须的最佳的反应条件：稀土石膏质量浓度为0.22 g/mL、反应时间为25 min、盐酸浓度为2.8 mol/L、反应温度为70 ℃、陈化时间为4 h,在此条件下合成的硫酸钙晶须平均长度为61 μm,平均长径比为30.5;通过对比实验选出了CuCl₂作为促进硫酸钙晶须生长的助长剂,在添加5%（质量分数）的CuCl₂的情况下可使硫酸钙晶须长径比从30.5增至41,长度从61 μm增至81 μm。     

C型地铁动力系统能耗测试与分析

地铁是一种耗能巨大的动力交通工具,其能耗数据的采集及分析对于整个运营能耗分析极为重要,其中影响最大的是动力系统的能耗。结合上海某C型地铁的能耗试验,分析列车在不同工况下的整车能耗、牵引能耗、再生制动回馈能量、制动电阻能耗和辅助能耗等数据,为后期运营策略的选择及节能优化提供参考。     

白云鄂博稀土、铌资源综合利用现状及新思路

介绍了白云鄂博稀土、铌资源特征及分布特点,总结了白云鄂博铌的选矿、冶炼方法,并提出了一些新思路:在综合回收白云鄂博资源的前提下,可以采取选冶联合的方式,先提钪、后提铌;或者制成复合材料,提高铌的利用率。     

上向分层充填采矿法实际运用的综合分析

与其它自然资源相比,铜矿在开采期间对开采方法、工艺流程、成品质量等方面的要求更为严格。从铜矿企业的生产成本来说,选择科学的铜矿开采方式有助于减少投资,为企业创造更多的经济效益。充填采矿法是铜矿开采的先进工艺,上向分层充填采矿法是该工艺典型的代表。本文重点分析了上向分层充填采矿工艺在铜矿开采中的运用。     

人孔管座焊缝超声波检测非缺陷回波的确定

对人孔管座焊缝100%超声波检测时,发现其轮廓界面回波.经过定性定量分析后,确定此回波为非缺陷回波.为以后的检测实践提供了一些经验.     

黄河上游刘家峡,盐锅峡,八盘峡三座水电厂经济效益浅析

黄河上游甘肃省境内刘、盐、八三座水电站建站以来,对西北地区电网、工农业的发展,对电力、电量、调峰、调频、旋转备用和事故备用、防凌、防洪、灌溉。城市工业用水、环境保护等方面的效益分析,以期说明开发水电事业的无可比拟的优越性,也为进一步发展黄河上游的水电事业提供强有力的例证。     

对三色提花毯纹板轧制工艺设计方法的研究

结合工厂实践，介绍三色腈纶提花毯纹板轧制工艺；并从织物组织，色纬投递循环顺序等方面进行了说明，以供从事纹制生产人员参考。     

p-GaN在不同掩膜和刻蚀气体中的ICP刻蚀

p-GaN栅沟槽侧壁与AlGaN表面特性直接影响栅注入(GIT)型AlGaN/GaN HEMT器件的输出特性及击穿特性.对比研究了两种刻蚀气体(SF6/BCl3和Cl2/N2/O2)及不同的刻蚀掩膜层(SiO2,Si3N4和光刻胶)对AlGaN上p-GaN的选择性刻蚀结果,利用原子力显微镜(AFM)对刻蚀沟槽的表面形貌进行表征,并通过I-V测试其电学性能.结果显示,以Cl2/N2/O2为刻蚀气体,且体积流量为18,10和2 cm3/min时,p-GaN刻蚀速率稳定且与AlGaN的刻蚀选择比较高(约30),并且可使p-GaN刻蚀自动停止在AlGaN界面处.此外,以Si3N4作为刻蚀掩膜,可以获得表面光滑、无微沟槽且侧壁垂直度较好的沟槽结构.采用上述刻蚀工艺制备的GIT结构器件的漏端关态电流相比肖特基栅降低约2个量级,阈值电压约为0.61 V,峰值跨导为36 mS/mm.