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制备了微,纳米TiO2晶体及其薄膜电极和多孔TiO2薄膜电极;采用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X-射线衍射仪(XRD)表征微,纳米TiO2晶体的结构,采用扫描电子显微镜(SEM)表征两种薄膜电极的结构,通过测量两种薄膜电极的光电流及I-V特性研究其光电性质。结果表明,微,纳米TiO2晶体是金红石型、纳米棒自组装的球型结构,其薄膜电极为三维结构,而多孔TiO2薄膜电极为二维结构,由于微,纳米TiO2晶体薄膜电极具有大的比表面积,有利于光的吸收利用,表现出优异的光电特性,光电流、短路电流、开路电压分别为2.72μA/cm^2、37.52μA/cm^2、0.146V,比多孔TiO2薄膜电极的相应参数分别提高了28.3%、12.8%、23.7%。 相似文献
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在Fe_(73.5)Cu_1Nb_3Si_(13.5)B_9合金成分基础上用硅和钴取代硼,采用单辊快淬法制备了Fe_(73.5)Co_(0.3)Cu_1Nb_3Si_(14.2)B_8合金带,将其绕制成环型磁芯后进行不同温度退火处理,研究了钴的添加对合金带晶化行为及其磁芯软磁性能的影响。结果表明:添加钴对合金带的晶化行为没有显著影响,试验合金带为非晶态结构,经550℃退火处理后磁芯为非晶和纳米晶共存的结构;添加钴后,试验合金非晶/纳米晶磁芯的起始磁导率和饱和磁感应强度分别减小了0.149 9H·m~(-1)和388T,矫顽力增大了0.338 5A·m~(-1),直流软磁性能降低;试验合金非晶/纳米晶磁芯在高频(小于100kHz)下的有效幅值磁导率、电感、品质因数均增大,比总损耗和矫顽力均减小,交流软磁性能提高。 相似文献
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目前,对磁控溅射组装Cu-W均质复合膜的工艺及成膜机理研究不够深入。通过磁控溅射组装均质Cu-W薄膜,考察了溅射工艺参数对膜结构的影响。结果表明:直流磁控溅射组装均质Cu-W薄膜时,钨是以β-钨为骨架固溶进部分铜的方式存在;随铜靶功率的增加,铜的晶粒尺寸先变大后变小;随钨靶功率的增大,β-钨有向非晶态转变的趋势,且铜的晶粒尺寸会明显变小;薄膜的沉积速率主要由钨靶功率决定;工作气体氩气气压低于1.0 Pa时,随气压升高,铜的晶粒尺寸变小,高于1.0 Pa时,气压对薄膜结构没有影响。 相似文献
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通过熔融缩聚法合成出一种低成本的不饱和聚酯酰胺树脂并表征了其性能,以此为基体,以聚磷酸钙纤维(CPPF)为增强体,引入20%的交联剂乙酸乙烯酯、0.1%~0.3%的引发剂过氧化苯甲酰和0.1%~0.3%的促进剂N,N-二甲基苯胺室温交联后在195℃下深度交联成不饱和聚酯酰胺树脂/CPPF复合材料,并研究了其力学和降解性能。结果表明,随着CPPF含量的增加,不饱和聚酯酰胺树脂/CPPF复合材料的力学性能尤其是冲击强度有大幅度的提高,但当CPPF含量超过60%(质量分数,下同)时,复合材料的力学性能出现下降的趋势;复合材料在模拟体液环境中降解7周后,降解介质的pH和Ca2+浓度保持一个恒定值,降解3个月后含30%和50%CPPF的复合材料的弯曲强度分别能保持143、148MPa。 相似文献
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碳涂层对SiC纤维增强钛基复合材料界面显微结构及性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
研究涂碳的SiC(C)/Ti-6Al-4V和无涂碳的SiC/Ti-6Al-4V材料的界面结构以及结合强度。结果表明:碳涂层阻止了径向纤维间的相互作用,该涂层界面反应物只是TiC,这些产物包含邻近碳涂层生成的细小晶粒和邻近金属基体生成的粗大晶粒;在无涂碳界面上,相邻纤维一侧产生的是TiC薄层,毗邻金属基体产生的是TiC和Ti5Si3晶粒组成的厚混合物,晶粒的大小从纤维到基体逐渐增大。涂炭和无涂碳复合材料的界面结合强度分别是(118.2±4.24),(230±6.28)MPa,证明碳涂层在纤维和基体之间提供了一个弱结合界面。涂碳纤维复合材料的界面结合发生在涂碳层和反应层之间,而无涂碳发生在纤维和反应层之间。 相似文献