从第七届IEEE国际半导体激光学术会议看国外半导体激光器的发展

引言1980年9月8日至10日在英国布赖顿(Brighton)召开了第七届IEEE国际半导体激光器会议。会上共发表了50多篇学术报告。还利用一个晚上时间对长波长激光器进行了书面交流。会后参观了英国的三个公司研究部门:标准电讯实验室(STL),普莱西(Piessy)的埃伦达克(Allendark)研究中心,剑桥仪器公司以及所属的金属材料实验室,还参     

1.55μm Si基光电探测器的研究进展

从材料的生长、器件结构的选择等方面对1．55μm锗光电探测器的研究进展进行了综述，对Ge量子点共振腔增强型光电探测器的应用前景进行了探讨与展望。     

半导体锥形激光功率放大器放大的自发发射效应

本文考虑了ＡＳＥ效应和端面反射率的影响，建立了锥形激光功率放大器的Ｒｉｇｒｏｄ模型并引进了新的迭代方法，讨论了ＡＳＥ效应和端面反射率对放大器增益Ｇ及信噪比Ｓ／Ｎ的影响．     

一种适合移动云节点的可靠存储模型

多维异构的情况下,完全副本的存储方式网络传输负担重,单个节点的能耗消耗大,可用性低。针对于此,该文提出了两种适合移动节点的存储模型:1) 交叉存储策略;2) 比例存储策略。模型中移动节点不再存储数据的完全副本,同时根据移动节点的带宽差异性的特点,将存储和并行传输统筹考虑,降低速度缓慢节点对于整体性能的影响。实验表明,该文并行传输模型相比传统的传输算法,既聚集了较大的带宽,也节省了存储空间。     

基于单片机的汽车防撞防盗系统的设计与实现

针对汽车行驶过程易出事故以及车辆安全问题,在深入研究的基础上加入新的功能,设计了基于单片机的汽车防撞防盗系统。汽车防撞防盗系统设计以STM32单片机为控制核心,系统可分为防撞模式和防盗模式。在防撞模式下,当人体红外感应模块检测到汽车与障碍物之间的距离远远小于预先设定的报警值时,蜂鸣器将自动报警;在防盗模式下,当超声波模块探测到附近有人时,蜂鸣器就会发出报警提示。该系统开发后可应用于汽车行车、停车过程,避免司机在行车时发生剐蹭而导致经济损失,也可以在停车后保证汽车的安全。     

硅基室温电流注入Ge/Si异质结发光二极管

目前,硅基光电集成所需的各个光子学单元已经取得了巨大的突破,并且与现有的微电子工艺完全兼容:硅基光波导在     

基于无线功率放大器应用的多指结构SiGe HBT

采用简单的双台面工艺制作了完全平面结构的5个单元、10个发射极指大面积的SiGe HBT.器件表现出了良好的直流和高频特性,最大电流增益β为214.BVCEO为9V,集电极掺杂浓度为1×1017 cm-3,厚度为400nm时,BVCBO为16V.在直流偏置下IC=30mA,VCE=3.0V得到fT和fmax分别为18.0GHz和19.3GHz,1GHz下最大稳定增益为24.5dB,单端功率增益为26.6dB.器件采用了新颖的分单元结构,在大电流下没有明显的增益塌陷现象和热效应出现.     

热光Si共振腔型可调谐滤波器

报道了利用Si基键合技术和化学机械抛光工艺制作的垂直结构的Fabry-Perot可调谐滤波器,调谐机理为pn结正向注入电流引起的热光效应.调谐范围可达23nm,响应时间约为300μs,并给出了获得更快响应和更低能耗的热光和电注入可调谐滤波器件结构改进方案.     

B在SiGe中的应变补偿作用

用超高真空化学气相淀积方法生长出不同硼(B)掺杂浓度的应变SiGe合金材料,研究了B对SiGe合金的应变补偿作用.结果表明,B的掺入使SiGe的应变减小,B对Ge的应变补偿率为7.3,即平均掺入1个B原子可以补偿7.3个Ge原子引起的应变.同时获得B的晶格收缩系数为6.23×10-24cm3/atom.     

松辽盆地南部西斜坡区青一+青二段层序地层格架及其对砂体的控制作用

松辽盆地南部西斜坡区青一+青二段砂体较为发育,为了研究其形成机制与分布规律,运用高分辨率层序地层学原理和方法,综合岩心、钻井、测井、地震等资料,确定了研究区层序界面的识别标志。该区青一+青二段发育一个长期基准面旋回,根据该旋回内部发育的转换面,进一步将其划分为3个中期基准面旋回。中期和长期基准面旋回的叠加样式特征明显,中期基准面旋回一般具有对称性特征,上升与下降半旋回均比较发育;长期基准面旋回具有不对称性特征,以发育上升半旋回为主,构成"上升不对称"型旋回结构。结果表明:研究区沉积相类型及砂体的展布受基准面变化的控制较明显,斜坡坡折带上部为三角洲前缘发育区,下部的凹陷区主要为半深湖泥质与滑塌浊积扇体发育区;下降半旋回部分主要发育三角洲前缘砂体,上升半旋回部分主要发育三角洲前缘砂体和浊积体。该研究成果对于研究区的油气勘探,特别是岩性油气藏的勘探,具有一定的借鉴作用。