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1.
2.
采用简易的一步水热法制备了超长的VO2(B)纳米带。对纳米带的结构、形貌、最优合成条件及电化学性能进行了研究。结果发现:制得的VO2(B)纳米带长度约为几十微米,宽度为~200 nm;且最优合成条件为在钒源与还原剂摩尔比为2:1的条件下,200℃水热反应24 h。当该VO2(B)纳米带被作为锂离子电池的阳极材料时,显示出了优异的电化学性能,尤其是循环稳定性,循环500周后的电容量损失率仅为10.41%,极大的解决了钒类纳米材料作为锂离子电池阳极材料时稳定性差的问题,提高了其成为锂离子电池阳极材料的可能性。 相似文献
4.
采用溶剂热法合成了以三核碘化亚铜(CuI)四面体结构为活性中心的硅氢加成反应催化剂,探讨了物料比对产物收率的影响。结果说明了当配体与碘化亚铜的摩尔比为1∶6时,产物收率最高。通过元素分析、傅里叶红外光谱分析、X射线光电子能谱分析、X射线单晶体衍射分析、紫外可见光光谱分析、热失重分析对配合物的化学组成、空间结构及性能进行表征,并进一步通过甲基苯基乙烯基树脂和甲基苯基含氢硅油的硅氢加成反应进行催化固化效果验证。结果说明了在催化剂填加量为0.04%、固化温度为150℃的优化条件下反应24h,共混体系固化效果最佳。该配合物对硅氢加成反应具有很好的催化性能,并且原料成本低、制备方法简单、晶体颗粒方便储存,有望解决硅氢加成反应中贵金属催化剂的高成本问题。 相似文献
5.
6.
研究了在自对准硅MMIC中等平面深槽隔离工艺的实现。该工艺包括如下过程:首先应用各向异性刻蚀的Bosch工艺刻蚀出用于隔离埋集电极的1.6μm宽、9μm深的隔离槽,接着对隔离槽通过热氧化二氧化硅、淀积氮化硅和多晶硅的形式进行填充,然后再采用高密度等离子体刻蚀设备对多晶硅进行反刻,其刻蚀时间通过终点检测系统来控制,最后再刻蚀出0.8μm深的有源区硅台面和采用1.5~1.6μm厚的氧化层对场区进行填充,藉此来保证隔离槽和有源区处于同一个平面上。此深槽隔离工艺与目前的多层金金属化系统兼容,且该工艺不会造成明显的硅有源区台面缺陷,测试结果表明:在15 V下的集电极-集电极漏电流仅为10 nA,该值远低于全氧化填充隔离槽工艺的5μA。 相似文献
7.
雷达发射机是雷达运行过程中的关键设备之一,因为雷达发射机的发热功率极高,因此对散热系统散热能力的要求同样极高.本文通过对雷达发射机冷却方法选择的分析,探讨雷达发射机的冷却方法的具体优化方案.希望可以为确定雷达发射机冷却方案提供可靠的优化建议. 相似文献
8.
介绍了LOCOS隔离技术的原理,研究了应用于LOCOS工艺的反刻平坦化技术,通过调整刻蚀中反应气体流量等工艺参数,在CHF3流量50 mL/min、O2流量2 mL/min条件下,获得了较好的平坦化表面。研究了应用于LOCOS工艺的CMP平坦化技术,通过调整CMP压力、转速、流量等工艺参数,控制了抛光速率和精度,提高平坦化的均匀性,在工艺条件为压力1psi(1 psi=6.89×103 Pa),转速25 r/min,流量120 mL/min时,获得了良好的平坦化形貌。通过实验对比发现,CMP平坦化效果优于反刻平坦化,适合于实际生产应用。 相似文献
9.
10.