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1.
大排田岩体位于粤北澜河铀矿集区内,对研究区内大排田岩体粗中粒斑状黑云母花岗岩进行了详细的岩相学和地球化学分析,以探讨其岩石成因、岩浆源区及与铀成矿的关系。结果表明,大排田岩体中粗粒斑状黑云母花岗岩具有高SiO2(73.6%~76.5%),富Al2O3(12.4%~13.5%)、富碱(K2O=5.21%~5.63%,Na2O=2.44%~2.76%),且钾大于钠,贫MgO(0.23%~0.52 %)、铝饱和指数(A/CNK)为1.30~1.56,FeOt/MgO为3.21~6.61,属于高钾钙碱性过铝质花岗岩。大排田岩体微量元素显示了Rb、Th、U、Ta相对富集, Ba、Nb、Sr等元素相对亏损特征。稀土元素配分模式总体呈右倾型,轻重稀土分馏明显,轻稀土相对富集(112×10-6~245×10-6),重稀土相对亏损(26.7×10-6~53.3×10-6),Eu显示了负异常特征。上述地球化学特征指示其具有A2型花岗岩特征。推测其形成于拉张构造背景下,由变泥质沉积岩发生部分熔融形成的。  相似文献   
2.
在快速移动环境中,子载波间干扰(ICI)是恶化OFDM系统性能的重要因素。为抑制OFDM系统中的ICI,采用了一种基于线性预编码技术的迫零均衡方法,并对其在无冗余情形下的误码率(BER)性能进行了理论分析,推导出了BER最优的线性预编码矩阵的选取准则。仿真结果表明,在较高信噪比条件下,所用的方法能有效抑制ICI和显著改善OFDM系统的误码率性能。  相似文献   
3.
在MIMO-OFDM无线通信系统中,采用基于子载波线性预编码设计和变步长加载算法得到一种优化的自适应加载算法,在完全已知信道状态前提下,能在满足固定速率和给定误比特率约束下使系统总发射功率达到最小。仿真结果表明,该算法复杂度比Capello算法低,并且性能与之近似,都远远优于非自适应MIMIO系统的性能。  相似文献   
4.
多输入多输出-正交频分复用(MIMO-OFDM)作为一种高速率无线通信的有效方式,其信道估计技术具有非常重要的位置。将OFDM技术与基于发射分集的空时格码相结合,构造了一个基于空时格码的OFDM模型。基于MIMO-OFDM系统的导频设计准则及特性,提出了一种空时编码OFDM系统中基于导频的辅助信道估计方法。仿真实验结果表明信道估计的性能接近理想信道情况下的性能。  相似文献   
5.
集成电路中用等离子体刻Al已经日益重要,为了满足VLSI工艺所需要的精确控制,要对刻蚀过程进行监控.使用含氯的刻蚀气体时,由于ALCI分子中电子跃迁的结果,可以观测到很强的波长为261.4毫微米的发射谱线,可以通过这种发射谱线的强度变化来监控剜蚀过程.本文介绍光谱仪和一种简单的固体检测器的应用,检测器是和干涉滤光器连在一起的,光的发射和反射技术都可用来检测等离子体刻Al的终点.  相似文献   
6.
用体积负载型装置研究了在OF~4 4%0_2等离子体中Si和多晶硅的刻速均匀性,理论研究和实验结果表明,硅和多晶硅在OF_4 4%0_2等离子体中的刻蚀过程是个受扩散限制的过程,用金属环来控制垂直于基片表面方向的游离基的扩散,可以使整个基片上的刻速很均匀.  相似文献   
7.
兴宁盆地位于NE向邵武-河源断裂带与五华断裂带的夹持区,铀成矿地质条件优越,具有有利的地层、岩浆岩、物化探条件,优越的成矿构造环境和极其发育的铀矿化、异常点。结合区域地质工作成果,详细分析了该区地质特征及铀成矿潜力。结果表明:区内区域性深大断裂旁侧次级硅化带或辉绿岩组带的发育部位,尤其是硅化带与中基性岩脉交汇,且出现硅化、赤铁矿化、次生铀矿化与各类物化探异常叠加的地段是铀成矿的有利地段。  相似文献   
8.
目前套管内管类落物打捞工具无法实现1趟管柱完成冲洗及打捞功能,对于特殊尺寸的管类落物鱼顶需要制作特殊打捞工具,容易造成井下二次责任事故。鉴于此,研制了新型修井冲砂变径打捞矛。该打捞矛通过结构的重新设计,根据矛杆内中心孔冲洗鱼顶及调整不同规格尺寸的垫块原理,利用现有的修井设备,实现了套管内特殊尺寸落物鱼顶的冲洗及打捞的施工模式。地面试验及现场20口油井的应用表明,新型修井冲砂变径打捞矛可满足300kN的提升拉力要求,冲砂干净,一次性打捞成功率达90%,简化了作业施工程序,缩短了施工工期,提高了生产时效。  相似文献   
9.
本文叙述关于用光学法自动测量集成电路和大规模集成电路用的掩模或基片上所形成的微细图形尺寸的方法.图1是利用放大的光学象测量掩模图形线宽方法之一例.掩模置于可沿x-y方向定位的工件台上,由透射光照明,要测的图形,经过显微镜光学系统放大成象,在成象面上,沿着图形线宽的测量方向放  相似文献   
10.
本文综述了国外等离子体刻蚀技术的发展概况,对等离子体刻蚀的基本原理和反应动力学的问题作了比较详细的介绍和论述,对设备的设计考虑,包括磁控溅射等新的设计技术进行了介绍,同时还讨论了影响刻蚀图形精度的各种因素以及用于终点检测的各种方法,最后对刻蚀速率问题和刻蚀的选择性问题进行了分析,并且简单地介绍了半导体技术中某些常用材料的等离子体刻蚀.  相似文献   
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