油水井压力测试技术分析

本文对油水井压力测试技术进行分析,力求了解不同压力测试方法,探索测试现场中压力检测可能出现的问题。并针对问题,探索当下压力测试的优化方法,与压力测试资料实际应用进行分析,确保获得资料的丰富性。最后,为了更有效的应用油水井压力测试技术,应在未来大力应用智能化测试技术,强化水管井的监管力度。     

水平井开发效果影响因素研究——以大庆外围油藏为例

通过统计大庆外围特低丰度薄层油藏14个区块、90口水平井、245口直井的地质、油藏工程及生产历史资料数据,利用多因素综合分类分析法,系统分析水平井开发效果与各种地质及工程因素之间的关系。研究表明,地质影响因素主要为砂体类型、注采连通关系及油水同层发育程度,开发调整措施的适应性是影响水平井生产效果的主要因素。     

强水敏砂岩油藏水驱油相对渗透率曲线异常分析

以强水敏砂岩油藏实际岩样为例,通过水驱油渗流实验和渗流物理分析,探讨强水敏砂岩油藏水驱油过程相对渗透率曲线异常现象及其对油藏开发的影响。     

憎水憎油型支撑剂研究

憎水憎油型支撑剂是一种新型的压裂用支撑剂,可通过在含氟聚合物溶液中以适当的工序处理陶粒、石英砂等压裂用支撑剂获得.从分子结构与附着功的角度分析了含氟聚合物溶液处理常规支撑剂使其表面改性的作用原理,介绍了该支撑剂的处理工艺,同时对憎水憎油型支撑剂的化学稳定性、憎水憎油性、导流能力及其对压裂液携砂性能的影响等方面进行了室内实验研究.结果表明,该支撑剂处理工艺简单、稳定性好,将其应用于压裂施工,明显降低了地层流体对水力裂缝堵塞的可能性,从而使裂缝长时间保持高导流能力,达到延长压裂有效期的目的.     

浅层断块油藏水平井CO_2吞吐增油技术

水平井是高尚堡浅层断块油藏的主要开采方式,在水平井开发过程中易形成边底水突进、水窜、水淹,油井含水上升速度快,导致油井产能下降,严重影响油田的开发效果。针对水平井开发后期产能下降的问题,采用了CO2吞吐增油技术。其主要技术原理为:在地层温度条件下CO2能快速溶于原油中,使原油膨胀,改变原油的物性,大幅度降低原油黏度,降低油水界面张力,增加溶解气驱的能量,进而达到油井增产的目的。34井次的现场应用结果证实,水平井单井日产油量由1.72t增加到4.88t,含水率由95.00%下降到51.45%,控水增油效果显著。     

双重介质油藏裂缝参数对开发效果的影响

采用油藏数值模拟方法分析裂缝各参数,研究裂缝系统块系数、基质块高度、孔渗等参数变化对开发效果的影响.研究表明:裂缝发育程度是影响开发效果的主要因素;裂缝渗透率、孔隙度对基质贡献率有一定影响;重力因子的影响较小.     

利用油水渗流特征评价水驱特征曲线

建立4种常用水驱特征曲线所对应的含水率与含水饱和度的关系曲线方程,通过实例评价水驱特征曲线的适用性.     

黄骅拗陷新生代构造样式及其演化

为了揭示黄骅拗陷新生代盆地原型、恢复盆地构造演化历史,运用油区构造解析理论.对黄骅拗陷新生代盆地构造样式及其演化进行综合分析,认为盆区存在伸展式和走滑式两种基本构造样式.在盆地尺度内,按断层几何学和运动学特点,伸展构造样式可进一步分为伸展拗陷、伸展拗断、地堑断陷、多米诺半地堑断陷、滚动半地堑断陷、复式半地堑断陷、跷跷板断陷、伸展断拗8种次级构造样式,并基本遵循伸展拗陷-伸展拗断-伸展断陷-伸展断拗演化序列,这种演化序列与岩石圈的流变学特征和递进伸展变形过程有关.走滑构造样式受深断裂走滑作用控制,可分为雁列式走滑构造和帚状断层组.     

排采连续性对煤层气开采的影响

排采连续性对煤层气开发至关重要.但是,在排采过程中关井现象不可避免,重新开井后如何排采、制定合理的排采制度是提高产量的关键.通过对煤层气生产阶段理论进行分析,结合关井前后矿场数据,同时借助数值模拟方法,对关井过程中储层参数变化进行了研究.结果表明,关井明显改变储层物性参数,造成井筒附近煤层含水饱和度增加,井底压力升高,...     

环氧黑陶瓷涂层在塔河油田的耐蚀性能研究

随着油田开采年限的延长以及服役环境的复杂化,内涂层的适用性遭受挑战。模拟环氧黑陶瓷涂层在塔河油田的服役工况条件,利用高温高压釜模拟工况环境,研究了涂层在气、油、水3相中的耐蚀性,并利用电化学交流阻抗技术对涂层在H₂S主导、H₂S/CO₂共存和CO₂主导等6种模拟工况条件下的电化学特征进行了分析。研究表明,环氧黑陶瓷涂层具有较好的耐工况腐蚀特征,其交流阻抗值高于10⁷Ω·cm²。现场应用发现涂层与基体结合良好,具有较好的抗阴极剥离性能。同时还对其失效机制进行了初步探讨,对其在现场工况条件下的服役寿命进行了初步预测。涂装缺陷成为了水及各种离子扩散的快速通道,在涂层与基体界面处发生电化学腐蚀,导致界面的局部压力增大而使涂层发生起泡、开裂。采用拟合曲线的二次多项式预测环氧黑陶瓷涂层寿命为517 d。