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Surface-activated bonding (SAB), also called room-temperature bonding, is used in three-dimensional integration technology for semiconductor devices. An Ar fast atom beam (FAB) is used for SAB. However, conventional FAB guns must be replaced after hundreds of minutes of irradiation because carbon abrasion powders are generated by Ar ions sputtering in the gun. Therefore, this study develops a novel FAB gun with improved lifetime. The proposed FAB gun applies magnetic fields to guide Ar ions to reduce sputtering in the gun and improve irradiation efficiency. The proposed FAB gun indicates the possibility of improving gun lifetime. 相似文献
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根据城门山铜矿半自磨磨矿工艺流程,研究了以半自磨机为主体的磨矿优化控制策略,建设了由DCS 系统、优化系统、数据分析系统组成 SAB 控制系统。通过工业连续运行试验证明控制策略能够改善磨矿溢流产品粒级分布、同时减少了钢球和电能的消耗。 相似文献
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New materials are required for upcoming technologies to maintain good performance levels and increase circuit lifetime. Predictive simulations are thus performed looking at several fundamental barriers and restoration treatments in order to achieve good signal propagation and strong reliability for integrated circuits. Precise recommendations are finally proposed for both 32 nm and 22 nm technology nodes. 相似文献
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研究表明,0.18μm BCD工艺中SAB膜的厚度对Logic EE IP的数据保持力特性有重大影响。SAB膜越厚,Logic EE IP的数据保持力特性越好;如果SAB膜厚度小于一定尺寸,那么Logic EE IP的数据保持力将会失效。因此适当的SAB膜厚度对保证Logic EE IP的数据保持力通过合格性测试非常重要。主要研究在标准工艺条件下,通过3种SAB膜厚(标准厚度55 nm、80 nm和100 nm)、老衬底(标准厚度55 nm)、新衬底延长清洗时间(标准厚度55 nm)以及新衬底新生长材料的SAB膜(标准厚度55 nm)等试验,最终确定了在华虹宏力0.18μm BCD工艺平台上,当SAB膜厚度为100 nm时,Logic EE IP核的数据保持力通过了JEDEC标准的合格性测试。 相似文献
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文章对无线扬声器使用的频段和未来对频谱的需求进行了分析和介绍,并对数字、模拟无线扬声器进行了比较。 相似文献
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目标感兴趣区域的获取是目标分类的基础,由大场景图像中快速获取目标感兴趣区域对整个ATR系统的性能提高有较大意义。本文给出了一种适用于rural区的SAR图像目标感兴趣区域获取方法,在分析图像场景灰度统计分布的基础上,利用全局恒虚警率检测算法得到潜在目标区域,然后利用密度、形态学和尺寸滤波器对潜在目标区域聚类并滤除虚警,最终获得目标感兴趣区域。对2048×512像素实际场景的实验结果,应用本文算法4个车辆目标全部被检测且没有虚警,VC代码获取目标区域的总时间小于0.5秒。 相似文献