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1.
针对含锗为0.318%的含锗浸出渣,借助电感耦合等离子体发射光谱仪(ICP-OES)、X射线衍射(XRD)分析、扫描电子显微镜能谱分析(SEM-EDS)等手段,确定浸出渣中锗的赋存状态,结果表明,含锗浸出渣物料的锗主要赋存于二氧化硅颗粒中;选择高温硫化挥发工艺实现锗的富集,重点研究了挥发过程中气氛环境、添加剂、挥发温度和挥发时间等对锗挥发率的影响。结果表明,采用氩气作为保护气氛,在挥发温度为900 ℃、挥发时间3 h的条件下,浸出渣中锗的挥发率达99.73%,得到挥发富集物含锗2.255%,实现了锗的高效富集,有利于提高锗的综合回收率。  相似文献   
2.
为解决单晶锗微结构元件超精密金刚石切削加工的技术难题,提出采用超声振动辅助切削技术提高单晶锗的临界未变形切屑厚度,并推导了微结构切削中切屑厚度的理论计算公式. 进行微圆弧金刚石刀具的振动辅助微切削实验,研究临界未变形切屑厚度随振幅的变化规律,分析微槽表面加工质量和切屑形貌等. 分析4.5 μm和10.0 μm深的十字槽、矩形凸台等微结构的加工质量,针对微槽边缘的加工损伤问题,采用“切深递减”同时结合横向进给的工艺方法. 实验结果表明:微槽切削中切削深度的理论计算值存在较大的误差,应选用直接测量法;振动辅助切削的临界未变形切屑厚度随着振幅的增加而增大,最高达到了704 nm,是普通切削深度的5.2倍. 与普通切削相比,振动辅助加工可以在一定程度上降低微槽表面粗糙度. 采用振动辅助微切削技术能够在大切深条件下加工出具有较高表面质量和轮廓精度的微结构,能够有效解决微槽侧面加工损伤问题,微槽表面粗糙度Ra值低至3.09 nm.  相似文献   
3.
采用离心分离工艺对Ge Cl4水解生成的二氧化锗进行过滤实验,分析了各工艺参数对Ge O2直收率、Ge O2滤饼含水量与含氯量的影响规律。通过研究得到最优工艺参数组合:离心机滤布孔径为2.6μm,脱水转速为1200 r/min,滤饼厚度为80~100 mm,单次洗涤洗液量为20 L,洗涤循环次数为3~5次。结果表明:Ge O2直收率可达到99.62%,制备的Ge O2滤饼含水量小于8%,含氯量小于0.05%,此样品再经过干燥则可以达到国标规定的Ge O2-06产品要求。  相似文献   
4.
为控制单晶锗脆塑转变临界状态,基于公式对单晶锗脆塑转变时的临界载荷进行了预测,采用纳米压痕仪对单晶锗(110)晶面进行了变载荷纳米划痕实验和恒定载荷纳米划痕实验,分析得到单晶锗(110)晶面发生脆塑转变时的临界状态,并借助原子力显微镜(AFM)对实验表面进行扫描表征。结果表明,单晶锗(110)晶面在变载荷纳米划痕实验下发生脆塑转变的临界载荷和临界深度分别为41.4mN、623nm;单晶锗(110)晶面在恒定载荷纳米划痕实验下发生脆塑转变的临界载荷和临界深度分别为30~50mN、500~900nm,验证了变载荷纳米划痕实验结果的正确性。根据变载荷纳米划痕实验结果修正了单晶锗(110)晶面在固定实验参数下发生脆塑转变临界深度理论计算公式,为分析单晶锗微纳米尺度塑性域切削提供数据支持。  相似文献   
5.
Vapour‐liquid‐solid (VLS) techniques are popular routes for the scalable synthesis of semiconductor nanowires. In this article, in‐situ electron microscopy is used to correlate the equilibrium content of ternary (Au0.75Ag0.25–Ge and Au0.65Ag0.35–Ge) metastable alloys with the kinetics, thermodynamics and diameter of Ge nanowires grown via a VLS mechanism. The shape and geometry of the heterogeneous interfaces between the liquid eutectic and solid Ge nanowires varies as a function of nanowire diameter and eutectic alloy composition. The behaviour of the faceted heterogeneous liquid–solid interface correlates with the growth kinetics of the nanowires, where the main growth facet at the solid nanowire–liquid catalyst drop contact line lengthens for faster nanowire growth kinetics. Pronounced diameter dependent growth kinetics, as inferred from liquid–solid interfacial behaviour, is apparent for the synthesised nanowires. Direct in‐situ microscopy observations facilitates the comparison between the nanowire growth behaviour from ternary (Au–Ag–Ge) and binary (Au–Ge) eutectic systems.  相似文献   
6.
SiGe合金作为一种重要的高温热电材料一直被广泛关注并得到商业应用,其n型SiGe合金热电材料的无量纲热电优值(ZT)取得较大进步,但是p型SiGe合金的ZT值仍然较低。本文,以一定化学计量比均匀混合的Si、Ge、B混合粉末为原材料,使用放电等离子烧结(SPS)系统一步法合金化制备了p型Si80Ge20Bx(x=0.5,1.0,2.0)合金热电材料,并对样品的组成、微观形貌、热电性能进行了表征与分析。结果表明,放电等离子烧结过程实现原位合金化并烧结为块体材料。随着B掺杂量的增加,电导率明显提升,热导率显著下降,当温度为950 K时,热导率为1.79 W /(m?K)。在1050 K时,ZT值达到了0.899。球磨和掺杂的协同作用使得SiGe结构基体中产生不同类型的缺陷特征而散射不同波长的声子,导致硅锗合金热导率的降低。  相似文献   
7.
针对晶体锗切削加工过程,首先采用热源法及温度叠加原理建立了切削温度场的理论数学模型。然后运用MATLAB软件分别计算出切削速度分别为1.5、2.0、2.5m/s,进给量分别为0.02、0.025mm/r时工件在剪切变形区的温度场,分析了不同切削速度、不同进给量下的温度变化。最后,采用DEFORM-3D软件进行三维切削仿真分析,获得了不同切削参数下工件温度场的云图。计算结果与仿真结果表明:切削速度与进给量的增大会导致切削温度的升高,刀具与工件开始接触时,切削温度、进给量与时间呈线性急剧增加,但温度升高到一定值后会保持相对稳定。相同增量下,进给量对切削温度的影响大于切削速度。不同切削速度和进给量下的仿真结果与理论计算结果误差均小于10%。  相似文献   
8.
朱丽苹 《矿冶工程》2019,39(2):82-84
以锌浸出渣-富锗锌精矿为主要原料, 协同浸出物料中锌、锗。实验结果表明, 在还原浸出初始酸度70~75 g/L、高酸浸出初始酸度115 g/L、反应温度85~90 ℃、反应时间2 h条件下, 锌和锗浸出率分别可达93%和87%。该工艺简单、流程短, 不用增加复杂设备, 可为富锗锌精矿和锌浸出渣的清洁高效全湿法处理及产业化生产提供借鉴。  相似文献   
9.
采用Cube压头对单晶锗进行变载与恒载纳米划刻实验, 利用扫描电子显微镜和原子力显微镜对已加工表面进行观测, 根据表面形貌将划刻过程分为延性域、脆塑转变域及脆性域三种, 对各个阶段的表面成型及材料去除方式进行了研究。使用最小二乘法对不同阶段划刻力进行非线性拟合, 并利用相关系数检验拟合函数可靠性, 结果表明划刻力与划刻深度存在强相关性。同时分析了单晶锗的弹性回复率随划刻距离的变化趋势, 结果表明工件的弹性回复率将从纯弹性阶段的1逐步回落至0.76左右。基于脆塑转变临界载荷, 以裂纹萌生位置作为脆塑转变标志, 首次结合工件已加工表面弹性回复, 提出一种适用于计算单晶锗的脆塑转变临界深度模型, 其脆塑转变临界深度为489 nm。  相似文献   
10.
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