首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   8489篇
  免费   2061篇
  国内免费   309篇
电工技术   199篇
综合类   960篇
化学工业   939篇
金属工艺   500篇
机械仪表   174篇
建筑科学   1964篇
矿业工程   2233篇
能源动力   143篇
轻工业   141篇
水利工程   178篇
石油天然气   560篇
武器工业   19篇
无线电   271篇
一般工业技术   423篇
冶金工业   1942篇
原子能技术   131篇
自动化技术   82篇
  2024年   54篇
  2023年   113篇
  2022年   252篇
  2021年   352篇
  2020年   460篇
  2019年   308篇
  2018年   298篇
  2017年   335篇
  2016年   419篇
  2015年   346篇
  2014年   565篇
  2013年   486篇
  2012年   665篇
  2011年   673篇
  2010年   482篇
  2009年   526篇
  2008年   408篇
  2007年   520篇
  2006年   451篇
  2005年   426篇
  2004年   348篇
  2003年   293篇
  2002年   246篇
  2001年   237篇
  2000年   229篇
  1999年   261篇
  1998年   183篇
  1997年   168篇
  1996年   140篇
  1995年   130篇
  1994年   123篇
  1993年   61篇
  1992年   60篇
  1991年   56篇
  1990年   57篇
  1989年   48篇
  1988年   38篇
  1987年   15篇
  1986年   12篇
  1985年   2篇
  1984年   3篇
  1983年   3篇
  1981年   2篇
  1980年   3篇
  1979年   1篇
  1974年   1篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
石膏转化制硫酸钾结晶动力学及结晶添加剂研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
研究了浓氨介质中石膏与氯化钾直接转化制硫酸钾的结晶动力学及结晶添加剂的作用效果。结果表明 ,硫酸钾在氨介质中的成核速率与晶体生长速率、悬浮密度、搅拌速率存在如下关联式 :B0 =5 .64 13×10 8G3.32 0 8Mt0 .0 559np0 .2 92 8。加入异丙醇、OP乳化剂及十二烷基苯磺酸钠等添加剂 ,可使硫酸钾结晶产品纯度提高 ,晶体形态整齐均匀  相似文献   
2.
位山引黄灌区泥沙淤积原因及处理对策   总被引:7,自引:2,他引:5  
位山灌区是黄河下游大型引黄灌区 ,渠系泥沙淤积严重 ,泥沙处理困难。通过采用远距离输沙、集中处理沉沙区泥沙、分散沉沙和节水减淤等技术措施 ,减少了渠系的泥沙淤积。对清淤产生的泥沙 ,采取综合开发利用的技术和管理措施 ,取得了比较可靠的效果。  相似文献   
3.
Precipitation of calcium sulfate dihydrate, gypsum, from (i) a pure sulfuric acid/lime suspension and (ii) a waste sulfuric acid/lime suspension in a continuous pilot plant in the temperature range from 40 °C to 80 °C was studied. It was observed that in the case of waste sulfuric acid with a high content of Mg2+ and Fe2+ ions, several hours after the beginning of the precipitation, partial dissolution of the product and modification of the crystals from needle‐ and plate‐like to agglomerated structures occurred. It is suggested that the secondary changes occur due to the increased concentration of Mg2+ and Fe2+ ions in the reactor. Below 60 °C, and above 70 °C plate‐like and needle‐like single crystals respectively were formed. The mean size (d50) of the crystals was found to increase with increasing temperature and decrease with the initial concentration of lime. Gypsum produced between 70 °C and 80 °C is suitable for further processing for construction plaster. In a precipitation process with pure sulfuric acid only single perfect needle‐like crystals occurred. Copyright © 2005 Society of Chemical Industry  相似文献   
4.
MIP-CGP工艺专用催化剂CGP-1的开发与应用   总被引:11,自引:3,他引:8  
阐述了生产汽油组分满足欧Ⅲ排放标准并多产丙烯的催化裂化工艺(简称MIP-CGP)专用催化剂(简称CGP-1)的研究开发与工业应用结果。CGP-1催化剂的基质具有良好的容炭性能,使活性组元受到良好保护,其优势作用在第二反应区得以充分发挥,具有更高的氢转移活性和强的汽油小分子烯烃裂化活性。中国石化九江分公司和镇海炼化公司的MIP-CGP工业试验标定结果表明,与常规FCC相比,采用CGP-1催化剂的MIP-CGP技术在生产烯烃体积分数小于18%的汽油组分的同时,丙烯产率达到8%以上。此外,汽油诱导期大幅提高,抗爆指数增加;总液体收率有所提高,干气产率下降,焦炭选择性良好。  相似文献   
5.
江苏油田的庄 2、韦 2油田属强水敏油田 ,采用热 (水 )洗油井和化学清防蜡效果较差 ,两油田每年因洗井造成地层污染影响的产量损失在 5 0 0 0t以上 ,约占油田产量的 4 5 %。根据集肤效应 ,采用油管电热清蜡技术 ,在含水小于 6 0 %、井斜小于 4 0°的油井上可正常使用 ,一般通电加热 4 0~ 80min后 ,油井井口温度能达到 5 0℃左右 ,最高可达到 6 5℃以上 ,连续加热 5~ 6h即可达到清蜡目的 ,电热清蜡为周期 6 0~ 90d。影响电热清蜡主要指标因素是油井的产液量 ,产液量越小 ,所需要的加热电流和加热电压也越小 ,井口温度达到最高值越低 ,清蜡效果越差。试验的 7口井平均年度投入产出比达到 1∶5 ,经济效益和社会效益十分明显。  相似文献   
6.
将空气中烧成的镍导体用于散热制冷片制作工艺中,可降低成本,提高合格率。通过实验得到的最佳值为:镍导体中4号玻璃(SiO2>30,B2O3>10,PbO<55,TiO2少许)的含量4.5%,化学镀镍时间50min,方阻47.5mΩ/□,附着力8.1N/mm2。  相似文献   
7.
曙光油田超稠油井套管损坏的机理和防治   总被引:8,自引:0,他引:8  
李卫忠 《钻采工艺》2003,26(2):55-56
超稠油特殊的油藏特点决定了其生产周期短、注汽频繁、出砂、汽窜、超覆现象严重,以及套管质量等因素的影响,套管损坏较为严重。对曙光油田超稠油井套管损坏的规律和机理进行了研究,并从钻井和完井工艺的完善、套管钢级和射孔工艺的选择、采油生产参数的确定、注汽管柱隔热效果的提高、防治砂工艺等方面,对套管损坏提出了预防措施和对策。并对套管损坏井制定了修复再利用方案。  相似文献   
8.
曾键年  鄢志武 《黄金》1995,16(5):2-6
本文通过分析晋南塔儿山地区的构造特征,探讨了该区金成矿作用的构造控制因素。  相似文献   
9.
厚膜导体Pd-Ag/Au、Pt-Pd-Au/Au平面复合结构,Pd-Ag/Au立体复合结构可使多种组装技术相互兼容。立体复合结构还可有效地降低导体线电阻,减少线损耗。而且,其超声键合性尤佳  相似文献   
10.
GaN buffer and main layers were grown by the conventional hydride vapor phase epitaxy technique using GaCl3 consecutively. The deposited buffer layers were investigated by atomic force microscopy and X-ray analysis. To examine the behavior of the buffer layers at main layer growth temperature, heat treatment was conducted at 900°C. Based on the results of the buffer layer study, GaN thick films were grown at 1050°C. Optimum deposition conditions of buffer layer from the buffer and main layer studies generally coincided. On the φ scanning pattern, the GaN films grown on (0001) Al2O3 were single-crystalline. Band-edge emission dominated photoluminescence was observed at room temperature.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号