带有锥状反射结构的AlGaInP键合衬底LED

本研究通过光辅助化学腐蚀技术在衬底键合AlGaInP反极性发光二极管中制备出锥状反射镜结构提升器件的光提取效率。首先利用氢氟酸与双氧水在532nm激光的辐射下载GaP:Mg层制备出锥状腐蚀结构,然后将金属反射镜蒸镀在锥状结构之上制备锥状的反射镜结构。在完成全部芯片工艺后,测试结果表明锥状反射镜结构可以显著提升光提取效率,并在光通量测量中与表面粗化集成平板反射镜LED相比较,得到了18.55%的增强。     

表面还原处理对钽酸锂晶片电学性质的影响

以Y36°钽酸锂(LiTaO3,LT)晶片为研究对象,通过对同成分LT晶片(CLT)和深度还原黑色u'晶片(BLT)的比较研究,探讨了表面还原处理对钽酸锂晶片电学性能的影响.X射线衍射研究显示,还原处理对晶体结构没有明显影响.BLT的电导率比CLT明显高4个数量级,达到7.7×10-12 Ω-1·cm-1,其压电常数d33、居里温度和介电常数与CLT相差不大,介电损耗有所提高.研究结果表明,还原处理不改变晶体结构,但能提高晶片表面的电导率,从而改善和消除晶片在器件制备过程中因热释电效应引起的放电现象.     

晶圆低温直接键合技术研究进展

晶圆低温直接键合技术与传统键合方式相比具有对晶片及器件损伤小、无中介层污染、无需外部电场辅助等优势,在功率型半导体光电及电力电子器件、大功率固体激光器、MEMS、光电集成等领域具有巨大的应用潜力.文章从低温直接键合技术的发展历程入手,重点介绍了湿法疏水键合、湿法亲水键合和等离子体活化键合的物理化学机制.系统阐述了低温直接键合的工艺流程和键合强度的表征方法,探讨了低温直接键合的技术发展趋势,并对低温直接键合工艺的改善和创新应用拓展进行了展望.     

局域耦合效应在GaInP太阳电池中的应用

近年来,局域耦合效应在光电转换器件中的应用受到广泛关注,在发光二极管以及硅基太阳电池中的基础与应用研究成为本领域的研究热点。然而局域耦合效应在宽禁带材料体系太阳电池中的应用仍未见系统报道。研究中利用溅射与热退火的手段在GaInP太阳电池表面成功制备了粒径与占空比可控的Au/半导体纳米异质结构,并对其退火前后的形貌进行了系统分析,后续对纳米异质结构的光学吸收现象及局域耦合效应的内在机制进行了探讨。最终,通过反射光谱的表征,在Au溅射时间为20 s和30 s样品中分别得到了2.2%和5.5%的光吸收增强。该研究提出的局域耦合效应在GaInP太阳电池中的应用,为改善GaInP太阳电池的表面吸收效率提供了一种新的思路。     

基于Attention-GRU的短期光伏发电功率预测

针对传统长短时记忆神经网络（LSTM）参数量较多以及在处理长时间序列时容易忽略重要时序信息的不足,提出一种结合注意力机制（attention）与门控循环单元（GRU）的Attention-GRU短期光伏发电功率预测模型。首先,基于改进相似日理论建立新的数据集;然后,利用门控循环单元提取光伏发电功率的时序特征,引入注意力机制加强对时序输入中重要信息的关注;最终构建针对不同天气类型的预测模型。仿真结果表明,提出的模型与对比模型相比,预测精度更高。     

垂直腔面发射激光器中位错形成及扩展特性分析

垂直腔面发射激光器（VCSEL）具有成本低、速率高、功耗低和易于集成等优点，在短距离数据通信等领域具有广泛的应用。随着使用寿命、失效率等要求的不断提高以及器件应用需求的不断增大，VCSEL的可靠性受到了人们的广泛关注。研究发现，VCSEL失效的主要原因与位错的产生和扩展有关。为了提高器件的可靠性，对VCSEL内位错形成的原因进行分析，并系统介绍了位错扩展的动态特性和内在机理。