全文获取类型
收费全文 | 15856篇 |
免费 | 3602篇 |
国内免费 | 2735篇 |
专业分类
电工技术 | 779篇 |
技术理论 | 1篇 |
综合类 | 1568篇 |
化学工业 | 679篇 |
金属工艺 | 646篇 |
机械仪表 | 688篇 |
建筑科学 | 4492篇 |
矿业工程 | 2189篇 |
能源动力 | 251篇 |
轻工业 | 368篇 |
水利工程 | 1209篇 |
石油天然气 | 1704篇 |
武器工业 | 66篇 |
无线电 | 1233篇 |
一般工业技术 | 917篇 |
冶金工业 | 647篇 |
原子能技术 | 43篇 |
自动化技术 | 4713篇 |
出版年
2024年 | 473篇 |
2023年 | 1195篇 |
2022年 | 2042篇 |
2021年 | 1894篇 |
2020年 | 1673篇 |
2019年 | 1113篇 |
2018年 | 708篇 |
2017年 | 631篇 |
2016年 | 551篇 |
2015年 | 584篇 |
2014年 | 1030篇 |
2013年 | 629篇 |
2012年 | 1071篇 |
2011年 | 1018篇 |
2010年 | 902篇 |
2009年 | 830篇 |
2008年 | 688篇 |
2007年 | 824篇 |
2006年 | 812篇 |
2005年 | 721篇 |
2004年 | 493篇 |
2003年 | 452篇 |
2002年 | 370篇 |
2001年 | 269篇 |
2000年 | 309篇 |
1999年 | 218篇 |
1998年 | 153篇 |
1997年 | 114篇 |
1996年 | 111篇 |
1995年 | 61篇 |
1994年 | 59篇 |
1993年 | 41篇 |
1992年 | 31篇 |
1991年 | 20篇 |
1990年 | 21篇 |
1989年 | 26篇 |
1988年 | 7篇 |
1987年 | 5篇 |
1986年 | 10篇 |
1985年 | 5篇 |
1984年 | 5篇 |
1983年 | 1篇 |
1981年 | 1篇 |
1980年 | 5篇 |
1979年 | 6篇 |
1978年 | 2篇 |
1975年 | 2篇 |
1974年 | 1篇 |
1959年 | 3篇 |
1951年 | 3篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1.
Numerical simulation, using SILVACO-TCAD, is carried out to explain experimentally observed effects of different types of deep levels on the capacitance–voltage characteristics of p-type Si-doped GaAs Schottky diodes grown on high index GaAs substrates. Two diodes were grown on (311)A and (211)A oriented GaAs substrates using Molecular Beam Epitaxy (MBE). Although, deep levels were observed in both structures, the measured capacitance–voltage characteristics show a negative differential capacitance (NDC) for the (311)A diodes, while the (211)A devices display a usual behaviour. The NDC is related to the nature and spatial distribution of the deep levels, which are characterized by the Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS) technique. In the (311)A structure only majority deep levels (hole traps) were observed while both majority and minority deep levels were present in the (211)A diodes. The simulation, which calculates the capacitance–voltage characteristics in the absence and presence of different types of deep levels, agrees well with the experimentally observed behaviour. 相似文献
2.
催化裂解多产丙烯新技术 总被引:6,自引:0,他引:6
介绍了国内外利用蜡油或常压渣油等重质原料的增产丙烯技术CPP,ARGG FDFCC和TSRMP;还介绍了利用富含烯烃的混合碳四和催化裂化汽油等轻质原料的增产丙烯技术OCP,Propylur,Superflex,OCT,Meta-4和BASF公司的丁烯歧化工艺技术. 相似文献
4.
深基坑支护结构计算的有限元方法 总被引:3,自引:0,他引:3
针对软土地基的特性,本文提出了考虑土体抗力释放与结构模型随施工过程改变的新杆系有限元法,并 编制了求解支护结构内力与变形的计算程序,通过对事例分析.计算结果与实际情况非常吻合,证明了该方法的合理 性。 相似文献
5.
6.
7.
光刻胶灰化工艺与深亚微米线条的制作 总被引:5,自引:1,他引:4
随着器件尺寸的缩小,细线条的制作成为很关键的工艺,普通光学光刻已接近其分辨率的极限,而电子束光刻和X射线光刻技术复杂、费用昂贵。本文对光刻胶灰化工艺进行了分析和研究,并应用此工艺进行了深亚微米线条的制作,在普通光学光刻机上制作出宽度小于0.25μm细线条。我们已将此工艺成功地应用在深亚微米MOSFET的制作中。 相似文献
8.
多级脉冲深穿透射孔技术 总被引:4,自引:0,他引:4
目前国内较先进的射孔工艺是增效射孔和三相流射孔,这2种射孔工艺均存在射孔深度和造缝深度浅的问题,尤其是对低渗油藏和纵向渗透率远大于横向渗透率的油藏,此造缝深度并不能满足油田生产的需要.介绍了一种新型的射孔技术,它是一种能进行深度射孔造缝的多级射孔技术,利用三级推进剂燃爆时产生峰值不连续的高温、高压气流,形成多级脉冲,多次冲击射孔孔眼前沿的裂缝,使其有效延伸至地层深处,从而较单独的射孔更能有效地增加油气产量.通过地面水泥靶的试验,证明了该射孔器的延缝功能和安全性;通过塘32等井的现场试验,证明该射孔技术对污染地层解堵有显著效果,可明显地降低地层破裂压力. 相似文献
9.
针对我国现有自升式平台存在的不能满足深水域勘探开发的要求以及造价过高等问题,提出一种自升式平台深水化改造新模式——分体坐底自升式平台,在基本不改变原有平台结构的基础上,通过增加可沉浮平台下体,使作业水深增加50m以上,而造价比同工作水深的常规自升式平台低得多。文章介绍了该分体坐底自升式平台的结构方案、作业工况及操作程序,分析了该平台的技术可行性和经济可行性,并提出了深入研究和具体实施需要解决的问题。 相似文献
10.