钛合金粉末热复合磁脉冲压制试验研究

采用热复合磁脉冲成形方法对钛合金(牌号为TC4)粉末进行了成形试验研究.通过压坯平均致密度和光学金相分析,揭示了加热温度、放电电压和复压次数等成形条件对TC4粉末热复合磁脉冲成形压坯致密度的影响规律.结果表明,压坯致密度不随温度升高而线性增加,300 ℃时的致密度最高.在给定放电能量和300 ℃下,压坯致密度随电压和复压次数的增加而提高.     

热复合磁脉冲粉末压坯致密度的试验研究

对加热Cu粉末进行磁脉冲致密试验研究,探索提高压坯致密度且不使粉末颗粒产生明显长大的致密方法.通过压坯平均致密度和微观金相形貌分析,揭示了加热温度、放电参数和粉末体高径比等工艺参数对Cu粉末热复合磁脉冲致密压坯致密度的影响规律.研究表明:压坯致密度不随温度升高而线性增加,200℃时的致密度最高;在给定放电能量和200℃下,压坯的致密度随电压和电容量增加而提高,随粉末质量增加而降低;3次放电显著改善压坯致密效果,致密度达98.75%,再增加次数的影响甚微.     

PMOS晶体管工艺参数变化对SRAM单元翻转恢复效应影响的研究

基于Synopsys公司3D TCAD器件模拟,该文通过改变3种工艺参数,研究65 nm体硅CMOS工艺下PMOS晶体管工艺参数变化对静态随机存储器(Static Random Access Memory, SRAM)存储单元翻转恢复效应的影响。研究结果表明：降低PMOS晶体管的P+深阱掺杂浓度、N阱掺杂浓度或调阈掺杂浓度,有助于减小翻转恢复所需的线性能量传输值(Linear Energy Transfer, LET);通过降低PMOS晶体管的P+深阱掺杂浓度和N阱掺杂浓度,使翻转恢复时间变长。该文研究结论有助于优化SRAM存储单元抗单粒子效应(Single-Event Effect, SEE)设计,并且可以指导体硅CMOS工艺下抗辐射集成电路的研究。     

可调节气流方向的闭式循环热泵烤房的设计应用

针对我国燃煤型烟叶烘烤设备能耗高、污染排放大、烤后烟叶欠柔软等问题,设计了一种可调节气流方向的闭式循环热泵烤房,并进行了烘烤试验。结果表明:热泵烤房升温准,控温稳,能够满足烤烟密集烘烤对温湿度的要求。不同烘烤阶段的冷凝水流出速率有较大差别,随着烘烤的进行冷凝水流出速率逐渐下降。热泵烤房烤后烟叶宽度收缩率和柔软性显著高于燃煤密集烤房,烟叶化学成分含量更适宜,化学成分比例更协调,烤后烟叶感官质量综合得分高于燃煤烤房,烘烤用工及能耗成本每kg干烟减少1.88元。该技术可为提高烟叶烘烤质量提供支持。