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基于CRD对741双极型通用集成运放进行改进研究,通过CRD替代双极型集成运算放大器(OPAMP)输入级及偏置电路中做为恒流源的双极型器件,并利用Multisim 10和Cadence进行设计与仿真。结果表明,当电源电压改变时,双极型运算放大器输入级电流在0.290 mA到0.433 mA变化,而基于CRD的差分输入级电流恒定在0.239 mA到0.244 mA之间,且电流变化只有0.005 mA。当电源电压恒定在13 V时,双极型运算放大器偏置电流达到0.739 mA,而基于CRD偏置电路电流只有0.222 m。由此可知,基于CRD的运算放大器能实现更低功耗。 相似文献
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集成电路设计具有涉及面广、综合性强和技术更新快等特点,传统的教学模式已不能实现高质量和高效率的教学效果。本文提出了关于"集成电路设计"课程教学改革的几点意见,针对涉及面广和综合性强的特点,应充分利用现代信息技术,建设数字化教学资源库;设计性课程普遍存在入门难和学生容易厌学的问题,需采用启发式、探究式、讨论式、参与式、翻转课堂等教学模式来充分调动学生学习积极性;设计课程免不了实践环节,应加强实践教学;由于集成电路技术更新快,教学中既要做好基础理论讲授,又需要向学生输送大量的学科前沿信息,以便学生掌握行业动态。通过教学改革,做到理论联系实践、基础和前沿并举、鼓励创新和协作,充分调动学生的学习积极性,实现高质量、高效率的教学效果。 相似文献
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超导薄膜实现布图布线工艺是制备超导电子元件的必要步骤。报道了两种二硼化镁超导薄膜布图布线的湿法刻蚀技术:一种是先利用双氧水(H2O2)刻蚀前驱体硼薄膜,然后将刻蚀的样品放入钽坩埚中在镁蒸气下高温退火,实现了对超导薄膜二硼化镁(MgB2)布图布线的刻蚀;另一种是选用氢氟酸(HF)和硝酸(HNO3)的混合溶液直接在二硼化镁超导薄膜上进行图形刻蚀。通过上述两种方法刻蚀出的MgB2薄膜图形精确度高,超导转变温度Tc都在38K以上,临界电流Ic约为1×106 A/cm2。 相似文献
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本文基于SMIC40nmCMOS工艺,设计了一款输入频率范围25~20MHz,输出频率范围2.4~4GHz的电荷泵锁相环(CPPLL).介绍了电荷泵锁相环的整体电路框架,叙述了各子模块电路的设计、仿真验证与整体电路的设计与仿真验证,重点介绍压控振荡器的设计与仿真优化.版图后仿真结果表明,电荷泵电流失配在直流情况下达到0.3%@0.4-1.3 V;压控振荡器的输出频率范围为0.3~4 GHz、在输出频率1 MHz时相位噪声为-93.4 dB@1MHz、锁定时间为1 μs、绝对抖动为1 ps、典型值时的功耗为30 mW、面积为300×300 μm. 相似文献