不同注F剂量与CMOS运放电路辐照损伤的相关性

在不同注F剂量条件下,对P沟和N沟两种不同差分对输入CMOS运放电路的电离辐照响应进行了研究.分析比较了注F和未注F运放电路电离辐照响应之间的差异.结果表明,在栅场介质注入适量的F,可有效抑制辐照感生的氧化物电荷尤其是界面态的增长,从而提高CMOS运放电路的抗辐照特性.     

区熔硅近表面洁净区和体内微缺陷的形成

中子辐照区熔(氢)硅片经退火后在近表面形成洁净区,在硅片内部形成体内微缺陷.微缺陷的形成与中子辐照造成的损伤及单晶硅内氢杂质的催化加速有关,还与后续退火条件有关.第一步退火的温度对微缺陷的尺度有很大的影响,中低温要比高温所形成的微缺陷小.在退火过程中微缺陷有一个生长过程,1100℃退火2h微缺陷已达最大.硅片表面的粗糙度影响表面洁净区的形成,洁净区出现在未抛光面,双面抛光硅片不会形成表面洁净区.     

ESD EMP对单片机的辐照效应实验及加固方法研究

为研究静电放电电磁脉冲对电子系统的影响，进行了静电放电电磁脉冲对单片机系统的辐照效应实验。实验表明，单片机系统在ESD EMP作用下，会出现“死机”、重启动、通讯出错和数据采集误差增大等现象。在实验基础上，研究了对ESD EMP的加固方法。     

氩等离子体辐照反相乳液接枝改性涤纶织物的研究

首次提出了在等离子体辐照后再用反相乳液接枝改性涤纶织物的新方法,探讨了接枝颗粒特征以及织物各项物理力学性能.接枝织物的结构及性能的测试结果表明:接枝物的尺寸远小于纤维的直径,在提高织物吸湿性的同时,对织物透气性能和强力等无明显影响;实验也证实了乳液中未接枝单体可以再次聚合.     

山东济宁华光辐照厂事故通报会和清查放射源专项行动工作讨论会召开

2004年11月11日至12日，国家环保总局在北京召开山东济宁华光辐照厂事故通报会和清查放射源专项行动工作讨论会，总结、部署和指导“清查放射源，让百姓放心”专项行动的下一步工作。会议通报了华光厂事故，讨论了专项行动中发现的问题，交流了各省(市、自治区)清查工作取得的经验和成绩。     

中子辐照金刚石生成卡宾碳

金刚石在中子辐照下发生相转变,得到了线性结构的卡宾碳。所得产物为覆盖金刚石表面的黑色薄膜状物质,其拉曼光谱在2191cm-1处有强峰,归属于C≡C伸缩振动;同时,其俄歇电子谱的峰位与金刚石相比有5eV的位移,证实了卡宾碳的存在。在中子辐照条件下,金刚石向卡宾碳的转化可能是通过碳原子堆垛形式发生变化而实现的。     

激光辐照制备搪瓷涂层

激光辐照制备的搪瓷涂层表面粗糙,与金属基材结合牢固。一般由 Si,Al,Na,K,B,F,O等元素组成。在激光辐照过程中 K,Na 明显地挥发,从而在涂层中的含量明显减少;Co,Ni,主要分布在界面附近;Fe 元素也由基材进入涂层,呈梯度状分布,在界面过渡区含量很高,在涂层内含量很低。搪瓷涂层的形成与激光辐照参数,特别与激光功率间存在极为密切的关系;只有选用合理的参数,才能制得搪瓷涂层。     

辐照灭菌电子直线加速器控制系统

本控制系统硬件采用分布式网络控制,分三级对加速器进行监测和控制。硬件采用PLC和PC,软件采用CXP和C语言等编写。本系统在实现了在电子线路控制系统上实现的各项监控功能的基础上,增加了很多新功能,更因为部分硬件功能由软件来实现,使得整个系统更易于测试、生产和维护升级。