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1.
2.
提出了一种波导三路功分器结构,该功分器采用E面T型缝隙耦合结构来实现功分比的调节。通过调节耦合缝隙以及感性膜片,使输入阻抗匹配并且实现等功率同相位的三路功分输出。为了实现功率合成,采用对称的两个三路功分器进行背靠背级联实现功率合成网络,仿真结果显示出良好的驻波效果和极低的插损。最终对加工出的实物进行测量,在32.5~36 GHz频段内实现了输出功率幅度不平衡度小于0.5 dB的良好效果。通过背靠背连接两个功分器实现了在33.3~35.3 GHz带宽内插损小于0.3 dB的功率分配/合成网络。 相似文献
3.
4.
5.
研究了Ka波段变频放大电路的设计及其温度补偿技术,分析了上变频放大模块的基本原理,分别对射频增益及检波电压进行了温度补偿,提出了一种优异温度稳定性、高线性度、高增益稳定性的总体设计方案。该变频放大模块由放大电路、温补电路、混频电路、滤波电路及功率放大器等单元电路组成。运用Agilent ADS软件完成了模块的整体电路设计。同时,介绍了一种基于场仿真软件和实测相结合的方法,建立毫米波多芯片组件中互连的键合线模型,将键合线的寄生电感融入了上变频放大模块电路设计中,显著提高键合线互连电路的频率响应。采用多芯片组装工艺制作了高性能的变频放大模块,实现了在Ka波段输出功率>于30.6 dBm,全温范围功率波动<0.8 dB,全温检波电压指示波动<0.2 V,测试结果与仿真结果一致。 相似文献
6.
采用两个pin二极管设计、仿真,制作了一个8~20 GHz并联结构的高功率容量的单刀双掷开关。首先通过采用一个新的电路结构,该电路结构除了传统的并联pin单刀双掷开关结构外,还有微带线匹配电路部分,克服了并联结构单刀双掷开关难以实现大的带宽的缺点。然后选择合适的二极管,根据其参数,建立开路、短路等效电路模型;利用Ansoft Designer软件对电路进行了仿真和优化。最后根据优化结果制作并测试了单刀双掷开关。该单刀双掷开关插入损耗在频率8~20 GHz内小于1.7 dB,在频率8~15 GHz内小于1.5 dB;开关隔离度在整个频带内大于21 dB;在14 GHz耐功率容量大于10 W(CW)。 相似文献
7.
基于自主研制的0.25 μm高压大栅宽GaN高电子迁移率晶体管(HEMT),采用LC低通谐振匹配技术和宽带功率合成技术,利用大栅宽HEMT有源模型以及键合线、电容和管壳等无源模型进行一体化仿真,匹配电路采用LC匹配网络和λ/4微带线将HEMT阻抗提高至50 Ω,最终实现了连续波120 W宽带GaN功率器件.测试结果表明,该器件在36 V漏极工作电压和-2.0V栅极工作电压下,2~4 GHz频带内连续波输出功率大于120 W,功率附加效率大于46%,功率增益大于9.5 dB,二次谐波抑制度大于20 dBc,杂波抑制度大于70 dBc. 相似文献
8.
9.
当前世界经济面临自“大萧条”以来的重大挑战,特别是美国通货膨胀指标居高不下,创下历史新高,为全球宏观经济运行和宏观经济政策制定带来较大的不确定性。美国通胀在 2022 年上半年持续攀升,2022 年全年预计维持在历史高位水平。未来两三年,美国通胀预计势头不减,但中长期来看,随着货币政策的收紧、供需错配等因素常态化,未来通胀将从较高水平逐步回落。由于美国通胀以及后续美联储加息缩表政策对国际金融市场和有色金属价格具有重大影响,有必要对美国通胀的原因、动力和未来走向进行深入研究,为后市有色金属价格趋势预判提供借鉴和参考。 相似文献
10.
利用衡水湖1994—2017年间的水位资料,采用滑动平均法和Mann-Kendall法分析衡水湖水位年际变化特征;计算以月为单位的平均水位,分析衡水湖水位年内变化特征;采用Pearson相关分析法和累积距平法分析各因素与水位变化之间的相关关系;绘制月水位与降水量(蒸发量)、引水量(工业用水量)的折线图,分析各因素对年内水位的影响。结果表明,衡水湖年际水位变化表现为波浪式上升趋势,上升速率为0.077 m/a;月平均水位从年初至年末表现为明显的下降趋势,2—7月下降速率为0.139 m/月;年水位变化受蒸发量影响显著,受降水量的影响较弱,与引水量的相关性最弱。 相似文献