光化学气相沉积非晶硅和微晶硅太阳电池的发展

本文综述了光化学气相沉积(Photo-CVD)法分解硅烷(SiH_4、Si_2H_6)制备非晶硅(a-Si)膜的简单原理、a-Si 膜的性质、a-Si 和微晶硅(μc-Si)太阳电池的光伏特性。也介绍了 a-Si 和μc-Si 太阳电池制备技术和发展现状。并指出 Photo-CVD 法是制备高转换效率(η)太阳电池很有希望的一种方法。     

酞菁铜衍生物LB膜／N－Si光伏电池的反常二极管整流效应

从表面态和材料电阻率的角度分析了酞菁铜衍生物ＬＢ膜光伏电池的反常整流效应，讨论了该效应与光生电流的关系，并介绍了消除反常现象提高光生电流的实验方法。     

新兴光化学气相沉积非晶硅太阳电池的发展趋势

本文综述了光化学气相沉积(Photo-CVD)法分解硅烷(SiH_4,Si_2H_6)制备非晶硅(a-Si)膜的原理、膜的性质和a-Si太阳电池的光伏特性,报道了a-Si太阳电池的制备技术和发展现状,并对其前景进行了评述。     

Cr-MIS太阳电池

MIS太阳电池制作工艺简单,低温成结,可以克服晶界效应,适用于多晶和无定型材料,有希望大幅度降低太阳电池成本。 本工作在原工艺的基础上作了一些改进,制得的Cr-MIS单晶硅太阳电池和Cr-MIS复拉单晶硅太阳电池最高转换效率(有效面积)分别为11.1％和9.8％。     

氧化物层对Cr-MIS太阳电池性能的影响

本文报道了氧化物层对Cr-MIS太阳电池性能的影响。实验证明,氧化物层厚度约30(?)的电池性能较好。在100mW/cm~2的光强下,有效面积为1.3cm~2的Cr-MIS单晶硅电池,V_(oc)、J_(sc)、FF和η分别为0.545V、31.5mA/cm~2、67％和11.5％。在同样光照条件下,有效面积为3.14cm~2的Cr-MIS废次单晶硅电池,V_(oc)、J_(sc)、FF和η分别为0.541V、28.3mA/cm~2、64％和9.8％。     

河口筑堤土料的工程现场试验

介绍将蓄淡避咸水库建造在长江口江滩上,为利用库区弃土建造水库堤坝,在库区现场开展弃土土料筑坝的工艺试验(包括充填土工管袋、吹填土体、晾晒干填碾压等工艺).试验结果表明,细粒含量高的土体的充填和吹填工艺不能满足潮汐施工要求与正常工期要求,粉细砂可满足管袋充填的潮汐施工的安全要求,弃土可采用翻晒干填碾压工艺满足坝体质量与工期要求.     

常温SnO2—Pd气敏元件的研制

采用共沉淀方法，制备了ＳｎＯ２和Ｐｄ粉两种主要敏感材料，研制成了常温ＳｎＯ２－Ｐｄ气敏元件。该元件功耗低，小于０．１Ｗ，对Ｈ２，煤气等灵敏，稳定，响应快，小于７Ｓ，恢复快，小于２５Ｓ。讨论了ＳｎＯｘ的结构与气敏性的关系。     

非加热气敏元件气敏机理研究

研制成α－Ｆｅ２Ｏ３和ＣｅＯ２非加热气敏元件，指出气敏元件的比表面积越大（可达１４２ｍ＾２／ｇ），吸附的ＯＨ＾－（Ｏ＾２＾－）越多，气敏性能越好，研究了温度与阻值变化关系以及表面吸附氧的状态与温度关系，指出了表面吸附氧主要以Ｏ＾－和Ｏ＾２形成存在，气敏元 件对氢等不原气体感，对ＣＯ不敏感。     

EBD法制备ZnIn_2Te_4薄膜的性质与XPS研究

用电子束加热沉积法（EBD）制备了厚度420um的ZnIn2ZTe4薄膜。研究了最佳成膜工艺条件和性能，用电子能谱（XPS）分析了ZuIn2Te4薄膜的组成、结构和状态；典型ZnIn2Te4膜最佳参数为：电阻率ρ为3．2×10－1Ω·cm，Hall迁移率是79cm2V－1s－1，载流子浓度是1．58×1017cm－3，禁带宽度（Eg）是2．33eV；探讨了ZuIn2Te4膜导电机理，制作了ZuIn2Te4－Si太阳能电池。     

常温CaO烟敏元件的研究

本文研究了以 SnO_2为基质材料,加入微量 CaO 的常温气敏元件(简称常温 CaO 元件)。该元件对10%～30%的烟有很好的选择性,并且灵敏,对丁烷、煤气、液化石油气、乙醇、氢气等不灵敏.本文讨论了 Sb_2O_3对常温 CaO 元件性能的影响。