适合NAND闪存控制器的BCH纠错编译码器VLSI实现

随着大容量MP3播放器、PMP播放器、数码相机、智能手机等消费电子产品的需求持续增长,MLC的NAND闪存已经取代SLC的NAND闪存成为市场主流。而存储容量的增大所带来良率与可靠性的下降,意味着我们需要纠错能力更强大的硬件编译码器来处理可能发生的错误。针对固态硬盘需要支持多通道的NAND闪存,纠错编译码器也要有能够处理并行I/O总线的能力,本文实现了可由软件配置、最大纠错能力t为可变的1~16b的BCH纠错编译码器,在计算错误位置多项式的过程中使用了修正的欧几里德算法。     

氮化硅抗反射膜MIS/IL硅太阳电池光辐照不稳定性的实验研究

对氮化硅抗反射膜MIS/IL硅太阳电池在光照下对不稳定现象的实验研究结果表明:电池蜕变过程和辐照光源、光强、抗反射膜中的正电荷密度等密切相关,而和电池的工作状态(如开路,短路或负载等)无关。光照-退火循环实验和蜕变电池的静置恢复实验说明光照下的电池蜕变是一种由短波长光子(如紫外光)诱导产生的可恢复的物理过程。用MNOS电容器和NOS源漏器件模拟氮化硅抗反射膜MIS/IL太阳电池的活性区域,对光照前后Si_3N_4-SiO_x-Si系统的界面电荷特性研究的结果表明:紫外光照射后,Si_3N_4-SiO_x-Si界面正电荷密度减少,照度为4×10~4勒克斯、辐照时间15分钟可使正电荷密度减少4.8×10~(12)cm~(-2)。抗反射膜内正电荷密度的减少,是由于短波长光子激发热电子向氮化硅膜中注入所致。     

葡萄糖异构酶的研究——酶的分离提纯

葡萄糖异构酶细胞经丙酮处理,缓冲液抽提。DEAE—纤维素离子交挟柱层析和Sephadex G—200凝胶柱层析等方法得到分离井纯化。该法与超声破碎法相比,比活提高3.3倍,活力收率为74%,得到了高纯度异构酶,经Sephadex G—200凝胶柱层析获得较高收率的电泳纯制品。     

渤海油田裸眼水平井套铣打捞封隔器关键技术及其应用

针对渤海油田裸眼水平井斜度大、水平段长、摩阻大、不易起下钻和传递钻压及扭矩、井壁稳定性差等修井作业难题,通过裸眼水平井钻具优化技术、套铣打捞技术、修井液体系优化技术、冲砂技术等一系列关键技术的制定与实施,成功实现了渤海油田裸眼水平井打捞作业零的突破,取得了良好的经济效益,为后续裸眼水平井修井作业提供了借鉴。     

一种新型的基于开关电容相关双采样的带隙基准电路

A switched capacitor bandgap voltage reference with correlated double sampling structure embedded in a temperature sensor is implemented in a standard 0.35μm CMOS process.Due to the smaller change of the op-amp’s output voltage,this topology is very suitable for low power applications.In addition,errors caused by the finite op-amp gain,input offset voltage,and 1/f noise are eliminated with the correlated double sampling technique.Additionally,two-level process calibration techniques are designed to minimize the process spread. Finally,a method of getting a full period valid reference voltage output is discussed and experimental results are provided to verify the effectiveness of the proposed structure.     

非侵入式脉搏血氧检测系统设计

氧气是新陈代谢的基础,血氧饱和度作为一项重要的健康指标,在临床医学以及家庭保健等方面有着广泛的应用前景。本文以TI的超低功耗的MSP430微处理器作为系统的核心,设计了一款基于数字血氧探头的脉搏血氧检测系统,并实现了基于VC的下位机与上位机的串行通信。数字信号处理方案简化了电路设计,实验结果证实本方案能够有效降低成本、减少开发板的面积,从而更好的满足市场需求。     

薄膜全耗尽SOI短沟道MOSFET准二准电流模型

本文在分析薄膜全耗尽ＳＯＩ器件特殊物理效应的基础上，建立了可细致处理饱和区工作特性的准二维电流模型。该模型包括了场效应载流子迁移率，速度饱和以及短沟道效应等物理效应，可以描述薄膜全耗尽ＳＯＩ器件所特有的膜厚效应，正背栅耦合（背栅效应）等对器件件特性的影响。并且保证了电流，电导及其导数在饱和点的连续性。将模型模拟计算结果与二维器件数值模拟结果进行了对比，在整个工作区域（不考虑载流子碰撞离化的情况下）     

不同应力条件下亚微米MOSFET''s热载流子退变特性实验研究

本文对N沟道亚微米器件在不同应力条件下的热载流子退变特性进行了实验研究。实验结果表明:热空穴注入对器件的热载流子退变特性有重要影响。文章对不同应力条件下器件中的热空穴注入与热电子注入的相互作用进行了分析。     

薄膜全耗尽SOI短沟道MOSFET准二维电流模型

本文在分析薄膜全耗尽SOI器件特殊物理效应的基础上,建立了可细致处理饱和区工作特性的准二维电流模型。该模型包括了场效应载流子迁移率、速度饱和以及短沟道效应等物理效应,可以描述薄膜全耗尽SOI器件所特有的膜厚效应、正背栅耦合(背栅效应)等对器件特性的影响,并且保证了电流、电导及其导数在饱和点的连续性。将模型模拟计算结果与二维器件数值模拟结果进行了对比,在整个工作区域(不考虑载流子碰撞离化的情况下)二者吻合得很好。     

航空发动机涡轮叶片温度测量综述

简要介绍了航空发动机涡轮叶片表面温度的几种主要测量方法,总结了热电偶、晶体、示温漆、荧光、光纤、以及红外辐射、多光谱等测温方法的的测温原理、技术特点和国内外研究现状,并在此基础上对将来涡轮叶片温度测量发展方向进行了展望.