全文获取类型
收费全文 | 247篇 |
免费 | 8篇 |
国内免费 | 9篇 |
专业分类
电工技术 | 32篇 |
综合类 | 26篇 |
化学工业 | 2篇 |
金属工艺 | 4篇 |
机械仪表 | 71篇 |
建筑科学 | 9篇 |
矿业工程 | 7篇 |
能源动力 | 3篇 |
轻工业 | 8篇 |
水利工程 | 1篇 |
石油天然气 | 3篇 |
无线电 | 9篇 |
一般工业技术 | 65篇 |
冶金工业 | 4篇 |
原子能技术 | 10篇 |
自动化技术 | 10篇 |
出版年
2023年 | 2篇 |
2022年 | 5篇 |
2021年 | 6篇 |
2020年 | 6篇 |
2019年 | 5篇 |
2018年 | 4篇 |
2017年 | 2篇 |
2016年 | 5篇 |
2015年 | 5篇 |
2014年 | 15篇 |
2013年 | 4篇 |
2012年 | 8篇 |
2011年 | 7篇 |
2010年 | 10篇 |
2009年 | 18篇 |
2008年 | 12篇 |
2007年 | 14篇 |
2006年 | 8篇 |
2005年 | 16篇 |
2004年 | 9篇 |
2003年 | 12篇 |
2002年 | 9篇 |
2001年 | 21篇 |
2000年 | 10篇 |
1999年 | 11篇 |
1998年 | 8篇 |
1997年 | 1篇 |
1996年 | 8篇 |
1995年 | 2篇 |
1994年 | 4篇 |
1993年 | 1篇 |
1992年 | 7篇 |
1991年 | 2篇 |
1989年 | 3篇 |
1987年 | 1篇 |
1984年 | 1篇 |
1981年 | 1篇 |
1959年 | 1篇 |
排序方式: 共有264条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1.
齿轮、齿形同步带内孔键槽相对基准齿的偏转角的测量问题是一个难题,本文提出了一种间接测量的原理,把偏转角转换成位移,再通过比较测量法求出偏转度。这种专用检具目前已成功地用于实际生产中。 相似文献
2.
3.
高温高庄截止间对密封性能有较严格的要求,如图1所示。密封面大多采用锥面,并在深孔位置上,其锥面大径偏差为±0.2mm,使用通用量具无法测量,我厂采用间接测量法,解决了这个问题。一、测量原理及其结构如图2,△ABC是等腰三角形,并且α角略大于β角,OC垂直于AB。只要通过专用检具测量出OC值(测头下移量减去块规厚度后的数值),即可得所需锥面大径D: 相似文献
4.
用量针法进行中径类型尺寸的间接测量建立起来的函数模型,其函数连续与否有其特殊含义。本文提出这类函数的连续性主要表现为几何特征,即线段的连续,本文称为连续准则。符合连续准则的公式为最佳公式。无论用恰当针径或非恰当针径代入最佳公式,其结果都一样。用不符合连续准则的公式,即非最佳公式,则只有用恰当针径代入,结果才正确;用非恰当针径代入将产生很大误差。 相似文献
5.
为提高工业机器人、自动化校准设备等智能系统的整体精度,基于罗德里格矩阵和最小二乘法拟合建立数学模型,解决了三维直角坐标系之间转换关系的工程应用问题。采用基于冗余测量数据的平面平差优化技术和定位坐标点的间接测量方法,提升了局部坐标系建立的精度。针对坐标点接触式测量和非接触式测量的技术缺陷,提出了采用激光跟踪仪测量终端,用标定工装辅助实现间接测量的方法,能通过多点的接触式间接测量保证被测定位坐标点的精度。最后经过多次试验验证了方法的可行性。 相似文献
6.
马成长 《湖北工业大学学报》2003,18(6):53-56
利用Mathematica的符号计算功能,设计出了一个能计算间接测量误差的通用Mathematica程序包,它把间接量的函数形式作为输入,通用性比一般的数值型误差计算程序要好。 相似文献
7.
黄纪忠 《武汉大学学报(工学版)》1998,(5)
根据Prandtl理论关于对数流速分布的假定,利用间接测量法测量了相同流量不同水深情况下明渠底部的切应力分布.结果显示,在明渠边壁糙率突然减少的两边流速分布和边壁切应力均有最大值.根据作者的试验结果,给出了槽底平均切应力τ0与明渠流弗汝德数Fr的相关关系,可供参考. 相似文献
8.
0引言 高压计量装置有许多种类,最常见的是10kV/0.4kV专变用户高压计量装置,其次是10kV及以上各级电压直供用户的高压计量装置,现以最常见的高压计量装置为例,介绍查错误接线和故障检测方法.检测10kV/0.4kV专变用户高压计量装置,由于互感器一次侧不能直接检测,采用电能表误差检测,TA变比采用间接测量,相量图分析. 相似文献
9.
物质发射率的间接测量法 总被引:1,自引:1,他引:1
阐述了物质发射率的一种测量方法--间接测量法的原理及应用,该方法是一种简单、实用的测量法,值得在实路中推广应用。 相似文献
10.
宏孔硅阵列(MSA)在光子晶体、硅微通道板、MEMS 器件等领域应用前景广阔,引起人们广泛关注。为制备理想的MSA结构,本文开展了MSA光电化学方法腐蚀实验,重点研究了腐蚀电流密度对宏孔形貌的影响。给出了n型硅抛光片背面光照情况下在氢氟酸溶液中的电流-电压扫描曲线,讨论了临界电流密度JPS的意义和MSA稳定生长的基本电流密度条件。提出了一种间接地测量JPS与腐蚀时间关系的方法,并根据JPS的测量结果调整腐蚀电流,实现了理想的MSA等径生长,制备出孔深度为295m,长径比为98的MSA结构。 相似文献