CL-20/DNB共晶炸药的制备与表征

采用溶液共结晶法制备得到一种由六硝基六氮杂异伍兹烷(HNIW,俗称CL-20) 和1,3-二硝基苯(DNB)组成的新型共晶炸药,其中CL-20与DNB的摩尔比为1:1。粉末X射线衍射表明共晶炸药的衍射图谱明显不同于构成它的两个单组份;单晶X射线衍射测试结果表明,该共晶炸药属正交晶系,Pbca空间群,晶胞参数：a =0.94703(6) nm,b =1.34589(8) nm,c =3.3620(2) nm,α=β=γ=90?,V=4.2852(5) nm 3, Z=8;差示扫描量热（DSC）法分析表明,CL-20/DNB共晶炸药在188~268℃间放热分解,熔点较DNB提高约45℃左右。     

含能聚氨酯热塑性黏合剂GAP/PBAMO的性能

以聚双叠氮甲基氧杂环丁烷(PBAMO)为硬段,聚缩水甘油醚(GAP)为软段,采用一锅法扩链合成了含能聚氨酯黏合剂(GAP/PBAMO).实验中合成了不同硬段含量的黏合剂,并采用FT-IR、NMR、GPC、XRD、DSC和SEM等对其结构和性能进行了表征.结果表明,硬段质量分数为66.7%时,该热塑性黏合剂具有较好的耐热...     

环保型水基切削液的研究现状及其在烧结钕铁硼磁体后加工中的应用

我国钕铁硼磁体后加工企业在钕铁硼企业中占六成以上.磁体后加工的技术创新和新技术的应用已成为钕铁硼行业新的技术突破口和效益增长点.在烧结钕铁硼磁体后加工中应用环保型水基切削液已成为钕铁硼磁体行业"ISO-14000认证"、美国、欧盟等发达国家的环保指令等要求中的基本要素.在烧结钕铁硼磁体后加工领域开发和推广环保型水基切削液具有广阔的前景,同时也是巨大的挑战.综述了环保型水基切削液的研究进展,并对其在烧结钕铁硼磁体后加工领域的应用中所面临的机遇与挑战作一评述.     

应用微机理论研究Ni(pz)_4Cl_2型络合物的光、热、磁性质

利用d8 (D 4h)全组态统一晶场理论模型 ,研究了Ni(pz) 4Cl2 型化合物能量矩阵的特征值、特征矢以及计算其ZFS、EPR参量的计算方法 ,并利用该方法拟合出了Ni(pz) 4Cl2 型化合物的光谱、ZFS和EPR参量 ,总结出利用微机对其拟合的一般规律 ,计算结果与实验值一致。     

3-氨基-4-氨基肟基呋咱500克级合成

以丙二腈为原料经四步连续反应一锅法合成出了新型含能材料化合物3氨基4氨基肟基呋咱(AAOF),得率达72.4%。用IR、MS、1HNMR、13CNMR、元素分析和紫外特征吸收波长(UV)对其分子结构进行了表征。在优化工艺的基础上实现了AAOF的500g级合成。对AAOF的合成反应历程进行了理论推导和验证。     

间/对-苯撑硫醚共聚物的合成与表征

以无水硫化钠、对-二氯苯、间-二氯苯为原料,无水磷酸三钠为助剂,六甲基磷酰三胺为溶剂在200～236℃范围内反应6h合成得到了间/时-苯撑硫醚共聚物(m-p-PPS)树脂.经红外光谱、广角X射线衍射(WAXS)、热重差热分析(TG/DTA)等方法分析表明:该树脂结构呈线型、部分结晶,在N2气氛中热稳定性较差.着重讨论了原料的比例、反应温度等条件对产品得率的影响,初步讨论了产品的结晶性能和热稳定性能.     

Ni（pz）4Cl2型化合物的光磁性质理论研究

本文利用ｄ＾８（Ｄ４ｈ）全组态混合统一晶场理论对Ｎｉ（ｐｚ）４Ｃｌ２型化合物的吸收光谱、基态ＺＦＳ、ＥＰＲ参量及顺磁磁化率刊物了统一的计算和理论分析。理论结果与实验观测值符合甚好，从而对Ｎｉ（ｐｚ）４Ｃｌ２的光、磁性质作出了完整的、合理的理论解释。     

Ni(pz)_4Br_2型络合物的光、热、磁性质的理论研究

本文利用d8（D*（4h））对称性与d8（D*（2h））对称性线性叠加d8［（1－C2）D*（4h）＋C2D*（2h）］作为Ni2+离子的环境品场，借助于强场能量矩阵和全组态混合EPR理论对Ni（pz）_4Br_2型络合物的吸收光谱、肖特基（Schottky）热容量和顺碰碰化车进行了统一计算和理论分析．理论结果与实验观测值符合甚好．从而对Ni（pz）_4Br_2的光、热、磁性质作出了完整、合理的理论解释．     

液氮冻结食品冻结时间的计算方法及实验验证

冻结时间是评价冻结食品质量的重要指标,正确计算冻结时间是食品冻结装置优化设计及运行的关键。本文通过建立液氮速冻实验平台,测试了食品的冻结时间,介绍了现有的理论模型,选择了几种典型的计算方法应用于食品冻结,并将各模型的理论结果与实验值进行比较,分析各偏差原因,获得计算食品冻结时间最准确的方法。以有限长圆柱状食品为例,通过研究发现在整个氮气温度场中国际制冷学会模型计算结果与实验值最相近,平均偏差为8.86%,分段计算法次之,平均偏差小于15%。     

在外场作用下三量子比特量子纠缠演化特性的研究

采用相干态正交化展开方法,对三量子比特的纠缠度影响因素进行了分析研究,并运用数值计算,结合解析解,在光场初态为真空态的相互作用过程中,对三量子比特的纠缠情况进行了研究.分析了三个全同的量子比特纠缠度随光场频率的变化规律以及光场量子比特耦合强度对三量子比特纠缠度的影响.研究结果表明,三量子比特的本征能量和共生纠缠度随光场频率、时间got的演化与耦合强度有关,而三量子比特的本征能量和共生纠缠度随时间gt的演化与耦合强度无关.