含孔隙富铝聚四氟乙烯/铝含能材料冲击温升规律

为研究孔隙度对富铝含量聚四氟乙烯/铝（PTFE/Al）含能材料冲击温升效应的影响,采用考虑熔化效应的一维粘塑性孔洞塌缩模型,对该材料的冲击温升进行了理论分析。建立孔隙度分别为10%、20%、30%的富铝PTFE/Al细观离散化模型,并借助非线性动力有限元软件AUTODYN开展细观数值模拟,对冲击加载下含孔隙富铝PTFE/Al含能材料的孔洞压缩及温升规律进行了分析。通过分离式霍普金森压杆实验对数值模拟结果进行了验证。结果表明：材料内部温度随着入射杆的周期性加载总体呈现出间歇性升高的现象;在压缩过程中,材料内部温度升高主要受孔洞内径速度和屈服强度的影响,且孔隙度为10%的富铝PTFE/Al含能材料（质量配比50/50,试件尺寸8 mm× 5 mm）相比孔隙度为20%和30%的富铝含量PTFE/Al含能材料,其温度升高最高。研究结果可为PTFE/Al含能材料的工程化应用提供参考。     

提高三氯异氰尿酸质量的方法

分析了影响三氯异氰尿酸质量的几个因素，并提出了包括保证原料质量、准确配制及过滤中间体、提高搅拌效率、采用双通氯管、适当控制pH值及反应温度等的解决措施。     

特高压串补装置瞬态地电位升和电磁骚扰的测量方法和系统

为了对特高压(UHV)串补装置高电位平台上的一次设备绝缘和二次系统电磁兼容(EMC)进行优化设计,需要对隔离开关操作或旁路间隙击穿引起的瞬态地电位升(PPR)和电磁骚扰进行测量。为此,提出了高电位、强电磁环境下的瞬态地电位升和电磁骚扰测量方法。采用电磁屏蔽、直流供电、光纤通信等技术措施,研制了主要由高电位平台上的测量仪器、地面上的监控系统和通信系统组成的瞬态测量系统,该系统包含3个屏蔽区域。进行了特高压串补装置真型试验平台的隔离开关操作试验,获得了瞬态测量信号的幅域、时域和频域等特征。对瞬态测量系统的功能性测试表明:其屏蔽效能40 d B,电磁兼容抗扰度满足国标规定的3级及以上且试验评价结果均为A级,工频耐压和冲击耐压分别为4、10 kV,主要性能指标满足特高压串补装置瞬态地电位升和电磁骚扰的测量要求。     

液体盐的使用效果与改进

通过使用价格较低的液体盐部分取代价格较高的固体盐,减少了成本,提高了精盐水的质量,降低了操作人员的劳动量,延长了电解槽的使用寿命;为进一步增加液体盐用量,提出了用洗泥水取代蒸发工序的冷凝水溶解蒸发回收盐的工艺改进方案。     

基于情境感知的门诊导诊APP设计策略研究

为改善公立医院传统导诊方式造成的门诊患者"看病难"的现状,研究门诊导诊服务各利益相关者之间的联系,优化服务体验,提升整体服务效率,缓解医护压力.通过对门诊导诊服务用户行为流程进行分析,得出在不同阶段用户的痛点及需求,接下来梳理门诊导诊服务情境所涉及的一系列关键情境因素,在此基础上构建针对性的情境设计策略模型.以情境感知...     

制药工程专业化工原理学习现状与对策 ——以梧州学院为例

化工原理是一门理论与技能培养并重的课程.采用调查问卷法对梧州学院制药工程专业在校学生的化工原理课程学习态度和兴趣、自我学习等方面进行调查,从而了解学生化工原理的学习现状.从选用合适的教材和优化教学内容、加强课程实践教学、完善平时成绩考核方式、充分利用优质的网络资源方面,提出了化工原理教学对策,以增强学生的自主学习能力,...     

二氯异氰尿酸钠的优质低耗生产

简要介 绍了二 氯异氰 尿酸钠的产品概况、理化性质、质量指标和主要的生产方法,探讨了提 高产品质量 和降低原料消耗 的措施,包 括抓好原料 质量、严 格工艺控制、改进干燥器 设计、增强氯化气液碰撞、采用催化剂、避免产物分解以及回收处理废液、废气等。     

柔性直流换流阀IGBT过流失效研究

IGBT过流失效极易导致模块爆炸、水冷系统漏水甚至换流阀停运,是危害柔性直流输电系统安全运行的重要因素之一。基于模块多电平柔性直流换流阀结构特点和运行工况,总结分析了柔性直流换流阀IGBT的短路过电流、脉冲式过电流和续流二极管过电流这3种过流失效类型及其特征;结合MMC换流阀的工作原理及特点,提出了IGBT 3种过流方式的保护方案及参数配置方法;通过±420 kV/1250 MW换流阀采用的3300 V/1500 A焊接型IGBT器件进行了失效分析与保护方案的试验验证,试验结果证明了过流失效分析的正确性和过电流保护方案的有效性。     

翻译理论的再认识——兼论翻译理论与翻译实践的关系

分析了长期以来存在的翻译理论的认识误区及其根源,从翻译理论与翻译实践的关系的角度对翻译理论进行了评价和定位,论述并肯定了翻译理论的现实意义,同时也对理论研究中错误的指导思想做出了反省。     

离子流场中导体充电电位的计算

随着我国高压直流输电工程的快速建设,其电磁环境问题日益受到广泛关注,线下离子流场中导体充电问题是其中一项比较重要的问题。该文对上流有限元法进行改进,使其能够计算离子流场中经电阻接地导体的充电电位,计算结果与实验结果具有较好的一致性,证明了该算法的正确性。基于所提算法,讨论接地电阻变化时充电导体电位的变化规律。当接地电阻很大时,该方法计算结果为离子流场中悬浮导体的电位值;离子流场中悬浮导体充电电位绝对值比导体不存在时相同位置的电位值高。考察离子流场中悬浮导体的电位问题,需要进行离子流场数值计算。