Ⅲ族氮化物InAlN半导体异质结研究进展

由于高频大功率固态微波功率电子器件有明显的应用前景,在过去二十年氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管(HEMT)得到广泛研究,取得了一系列进展,并开始走向商业化.为了进一步提高器件性能,尤其是高工作频率和高电压下器件工作的可靠性,新材料、新工艺以及新器件被不断提出,其中基于InAlN材料的晶格匹配无应变异质结凭借优越材料性能成为新一代GaN基HEMT材料.本文结合在III族化合物半导体材料和器件领域的相关工作,对InAlN基异质结半导体材料生长进展做简要综述.在分析InAlN基异质结外延生长的基础上,对我们提出的脉冲式(表面反应增强)金属有机物化学气相淀积(MOCVD)外延InAlN/GaN异质结技术优势和外延材料结果进行了讨论.     

基于改进可拓云的导弹电磁突防概率研究

针对导弹电磁能力效能评估方面研究缺乏的问题，提出了一种以电磁突防概率为研究对象的导弹电磁效能评估方法。初步定义导弹电磁突防能力概念；提出一种改进可拓云模型，运用该模型完成导弹五种突防模式的电磁综合评估；构建电磁突防概率数学模型，计算导弹各突防模式的电磁突防概率。仿真结果表明，改进可拓云评估模型可有效提升评估结果的可信度，具有准确性更高、相对可区分性更好的特点；构建的电磁突防概率数学模型具备有效性；运用电磁突防概率可直观、清晰、有效地表征导弹电磁效能。     

Characteristics of AlGaN/GaN/AlGaN double heteroj unction HEMTs with an improved breakdown voltage

正We studied the performance of AlGaN/GaN double heterojunction high electron mobility transistors (DH-HEMTs) with an AlGaN buffer layer,which leads to a higher potential barrier at the backside of the twodimensional electron gas channel and better carrier confinement.This,remarkably,reduces the drain leakage current and improves the device breakdown voltage.The breakdown voltage of AlGaN/GaN double heterojunction HEMTs (~ 100 V) was significantly improved compared to that of conventional AlGaN/GaN HEMTs(~50 V) for the device with gate dimensions of 0.5 x 100μm and a gate-drain distance of 1μm.The DH-HEMTs also demonstrated a maximum output power of 7.78 W/mm,a maximum power-added efficiency of 62.3%and a linear gain of 23 dB at the drain supply voltage of 35 V at 4 GHz.     

InGaN与采用InGaN作为背势垒的双异质结的生长

我们研究了采用MOCVD生长了InGaN与InGaN和AlGaN/GaN/InGaN/GaN双异质结。我们发现InGaN的质量会严重影响AlGaN/GaN/InGaN/GaN双异质结的特性。通过优化生长压力与生长温度得到高结晶质量的InGaN薄膜。由于InGaN的极化方向与AlGaN的相反,使得GaN层与InGaN层之间出现了一个高势垒,提高了载流子的限域性并且降低了缓冲层的漏电。采用InGaN作为背势垒的双异质结的DIBL仅为1.5 mV/V。当VDS= 10 V时,测量得到的关态漏电流为2.6 µA/mm。     

击穿电压提高的AlGaN/GaN/AlGaN双异质结特性

本文论述了AlGaN/GaN双异质结高电子迁移率晶体管的特性,该结构使用Al组分为7%的AlGaN来代替传统的GaN作为缓冲层。Al0.07Ga0.93N缓冲层增加了二维电子气沟道下方的背势垒高度,有效提高了载流子限阈性,从而造成缓冲层漏电的显著减小以及击穿电压的明显提高。对于栅尺寸为0.5100μm,栅漏间距为1μm的器件,AlGaN/GaN 双异质结器件的击穿电压（~100V）是常规单异质结器件的两倍（~50V）。本文中的双异质结器件在漏压为35V、频率为4GHz下,最大输出功率为7.78W/mm,最大功率附加效率为62.3%,线性增益为23dB。     

一种基于AHP-可拓云的雷达系统效能评估方法

针对现有雷达系统效能评估方法系统性的不足,提出层次分析法(analytic hierarchy process,AHP)-可拓 云模型效能评估方法,完成对单频段、多频段雷达系统不同模式的效能评估和单型雷达的综合评估。评估结果显示 效能评估时同模式多频段雷达效能值高于单频段;综合评估时多频段雷达物理特性指标评估值低于单频段。结果表 明：该方法对系统进行量化评估具有较好的区分性、有效性,为雷达及其他系统研制提供参考性建议。