中国散裂中子源反角白光中子束斑测量

中国散裂中子源（CSNS）反角白光中子（Back-n）束斑品质是核数据测量和其他物理实验的基础。利用像增器脉冲选通特性和飞行时间法搭建了一套具有时间分辨能力的成像系统，其空间分辨小于1 mm，初步实现了束斑轮廓、尺寸和非均匀性等特性参数的测量和定量分析。在距散裂靶约55、75 m处测得束斑FWHM分别为55、63 mm，对应峰值强度约75%处束斑直径分别为50、60 mm，且束斑边缘陡峭，呈台阶状。分析表明，束斑轮廓、尺寸和非均匀性等特性参数均与中子能量无关，在束斑中心区域80%范围内非均匀性小于10%。测量结果表明，CSNS反角白光中子源物理终端具有较好的中子束斑品质，可开展较高精度的核数据测量。     

碲锌镉探测器对14MeV脉冲中子束的直照响应

碲锌镉(CZT)晶体具有优良的材料性能,是一种备受关注的新型核辐射探测器材料.本工作运用MCNP程序模拟了CZT探测器对14 MeV中子的直照响应,且在ING-103型稠密等离子体聚焦装置14 MeV脉冲中子发生器上进行了实验研究.结果表明:CZT探测器对14 MeV脉冲中子的直照响应理论值与实验值有较好的一致性;在包含因子k为2时,实验值的扩展不确定度小于14%;且CZT探测器对14 MeV脉冲中子具有1.28×10-16C·cm2的灵敏度,适用于测量高强度脉冲中子.     

大学校园眼镜消费与市场营销调查

近年来,随着“校园经济”的出现和升温,校园营销作为营销模式的一次全新尝试受到商家们的广泛关注和重视。随着我国教育体制改革的深化,全国高校进一步扩招,大学生人数成倍增长。目前,我国在校大学生人数稳居世界首位,教育部公布的数据显示,截至2006年7月,我国在校大学生人数已     

硼铁矿冶炼Fe－Si－B合金的工艺研究

建立了以辽东硼铁矿为原料，用碳热还原成碳－铝热还原冶炼Ｆｅ－Ｓｉ－Ｂ合金的工艺，测定了还原时间和温度对合金中Ｂ，Ｓｉ，Ｃ含量的影响以及Ｃ含量与Ｂ和Ｂｉ含量的关系：用熔渣－金属平衡方法对合金进行脱Ａｌ，研究了碱度以及Ｂ２Ｏ３和ＳｉＯ２含量对合金中Ａｌ含量的影响．结果表明，该工艺可使合金中Ｃ含量降至０．１５％，Ａｌ含量小于０．０５％．     

利用硼镁石矿煅烧高活性氧化镁的试验研究

高镁低硅硼镁石矿火法炼镁的实验中,煅烧生矿生成的氧化镁对金属镁的回收率有重要影响.为了得到高活性氧化镁,首先利用差热-热重法分析了高镁低硅型硼镁石矿的受热分解情况,然后测定了在选定煅烧温度及不同恒温时间下硼镁石矿的烧失率和灼减量,并利用柠檬酸法测定氧化镁的活性度,利用X射线衍射分析了在煅烧温度1 223 K、恒温1.0 h后矿石发生烧结.最终确定得到高活性氧化镁的硼镁石矿的煅烧温度范围在1 173～1 223 K、恒温0.5～1.0 h.最佳煅烧条件为煅烧温度1 223 K、恒温0.5 h.     

碳化硅探测器的最大线性电流研究

本文研究了电流型碳化硅探测器的最大线性电流特性,给出了最大线性电流计算方法,分析了辐射类型、灵敏区面积、灵敏区厚度和耗尽区电场强度对最大线性电流的影响,利用强脉冲X射线加速器和紫外激光源实验研究了碳化硅探测器的最大线性电流特性。研究结果表明,灵敏区面积4 cm2的碳化硅探测器可获得4 A以上的线性电流,不同规格碳化硅探测器最大线性电流的理论和实验结果最大相对偏差约23%。     

层叠式Si-PIN伽玛探测器

利用Monte-Carlo方法对新研制的层叠式Si-PIN伽玛探测器的伽玛灵敏度进行了理论计算。结果表明，层叠式Si-PIN伽玛探测器相对于单个的Si-PIN探测器具有更高的灵敏度，而且伽玛灵敏度与每层间的聚四氟乙烯片的厚度有关。实验测量的层叠式探测器和普通单个探测器对1.25MeV的伽玛灵敏度与理论计算值相当。     

二次资源富硼渣提取铀的实验研究

富硼渣是含铀硼镁铁矿经高炉分离之后得到的产品之一 .通过将富硼渣作为二次资源、用离子交换法提取铀的实验研究 ,认为从富硼渣的硫酸浸出液中提取铀是基本可行的     

眼镜批发商发展之路的N个诘问

受中国特色化的国情因素影响，批发通路一直在中国市场经济中占据着相当重要的地位。制造商要想立足于市场，必须将产品通过批发商、经销商进行分销，从而扩大产品的覆盖面，因此，企业能否有效地与通路合作，调动各级批发商、经销商的积极性，在很大程度上决定了企业能否赢得市场，求得最后生存和发展的机遇。制造商的这种需求奠定了批发商、经销商的生存基础和商业价值，并直接导致了批发商力量的“坐大”。[编者按]     

PIN探测器贯穿辐射与非贯穿辐射线性特性

采用脉冲X射线源和脉冲氙灯光源实验研究了PIN探测器对贯穿辐射和非贯穿辐射响应的最大线性电流输出特性,并与理论计算结果进行了比较。PIN探测器输出的最大线性电流随外加反向偏置电压线性变化,对贯穿辐射响应的最大线性电流输出比对非贯穿辐射响应的最大线性电流输出约大20%,理论计算的最大线性电流值比实验值小。在脉冲辐射探测中,采用可见脉冲光源获得的PIN探测器最大线性电流不会超出探测器对贯穿辐射的线性响应。