压电陶瓷用于半导体桥点火的研究

根据多层压电陶瓷产生电量的理论计算和分析,制作了压电陶瓷堆,利用压电陶瓷在爆炸冲击作用下产生的能量对半导体桥火工品进行了点火试验,并研究了压电陶瓷层数、爆轰激励源大小对点火的影响。结果表明:压电陶瓷片层数越多,其输出电压越高,输出能量越大;施加的爆炸冲击波压力越大,其输出的电压越高,能量也越高。因此,压电陶瓷用于半导体桥点火是可行的。     

一种半导体桥火工品抗静电技术

为提高半导体桥火工品脚壳间的抗静电能力,利用瞬态抑制二极管(TVS)的瞬态电压抑制特性对半导体桥火工品脚壳之间的静电放电进行保护。静电放电试验表明:在静电加载时,大部分的电流从TVS通过,半导体桥火工品未发火,说明TVS能有效地对半导体桥火工品脚壳间起静电防护作用。     

半导体桥芯片静电加固的研究

针对桥区形状为尖角形的半导体桥在尖角处电流密度过于集中、易发生静电损伤的问题,提出将半导体桥的尖角部分设计为圆弧的形状,达到提高半导体桥抗静电能力的目的。静电实验发现圆弧型半导体桥在10000pF电容、25kV电压并且串联5000Ω电阻的静电冲击条件下完好无损。33μF电容、19V电压放电模式下,静电冲击前后圆弧型半导体桥的发火时间基本没变,而尖角型半导体桥的发火时间发生了较长的延迟,证明圆弧型半导体桥在保证发火的前提下抗静电能力得到增强。     

半导体桥上尖角、圆孔对其电爆性能的影响（英）

设计了14种带有尖角和圆孔的半导体桥,研究了在电容放电发火条件下尖角、圆孔对其发火时间、发火所消耗的能量等性能参数的影响规律,并从半导体桥的作用机理方面对实验结果进行了分析.结果表明,SCB上V型尖角使得SCB发火时间和发火所消耗的能量明显降低,而圆孔对SCB发火性能影响不明显.     

桥丝式电点火头发火时间的预测

通过瞬态脉冲无损检测试验得到桥丝式电点火头的电热响应参数,利用电热响应参数分别采用数学模型和人工神经网络模型预测电点火头的发火时间,并与实测发火时间进行比较.结果表明,人工神经网络方法与电火工品瞬态脉冲无损检测技术相结合,用来预测电点火头的发火时间,是电火工品瞬态脉冲无损检测领域的一条新的途径.     

步进法与升降法进行火工品安全性与可靠性评定的比较研究

可靠性的评定结果是否可信,直接关系到火工品的使用安全性和作用可靠性.现有火工品可靠性评定方法中较准确的是步进法,而最常用的是Bruceton升降法.本文假设样本总体符合不同分布的情况下设计升降法试验,通过试验得到的大量感度试验数据对这两种方法进行了比较,结果得知,在估计0.999响应点时,升降法比步进法乐观,刺激量比步进法平均低15%～25%;在以错误的样本总体分布设计升降法时,其产生的偏差更大.     

国内外传爆药的发展概况

介绍了国外传爆药发展的概况，提出了我国传爆药的发展方向．     

SCB火工品的研究与发展

文章评述了半导体桥火工品问世以来的研究成果与发展趋势。主要内容有半导体桥作用机理、半导体桥的结构与封装、半导体桥火工品的特点、半导体桥火工品的应用、半导体桥火工品的研究和发展趋势。     

人工神经网络对混合点火药燃速的预测

以某混合点火药各组分含量作为药剂性能描述，利用误差反传神经网络（BP网络）算法，通过对9个配方药剂的训练建立了燃速与组成之间的定量关系模型，并对另外9个配方混合点火药的燃速进行了预测。结果表明，模型很好地反映了配比与燃速之间的关系，预测值与实际测量值比较接近，相对误差小于12％。该方法为混合药剂的研究和开发提供了一条新的途径。     

用瞬态脉冲试验研究射频试验后电火工品的性能变化

介绍了瞬态脉冲试验原理,利用瞬态脉冲试验研究了电火工品经过射频作用后发火性能的变化,发火试验的结果说明:射频试验功率越大,温升越高,火工品的平均发火作用时间就越长.研究结果表明瞬态脉冲试验能够反映电火工品受射频能量作用后的性能变化.