一种0.18μm CMOS毫米波带通滤波器的设计

基于SMIC 0.18μm RF-CMOS工艺,设计了一种采用垂直地平面共面波导(VGPCPW)传输线的片上30 GHz带通滤波器。通过对传统CPW和VGP CPW两种不同结构传输线的理论研究,对比分析了两者的损耗、特征阻抗及隔离特性,建立了VGP CPW长度可扩展的传输线模型。使用特征阻抗为50Ω的低损耗VGP CPW传输线结构,结合VGP CPW长度可扩展模型与EM分析方法,设计了30 GHz带通滤波器。在片测试结果表明,该毫米波VGP CPW传输线滤波器模型仿真和电磁场仿真S参数曲线与测试结果比较吻合,可为毫米波集成电路滤波器设计提供借鉴。     

SOI LIGBT抗闩锁效应的研究与进展

概述了绝缘层上硅横向绝缘栅双极晶体管(SOI LIGBT)抗闩锁结构的改进历程,介绍了从早期改进的p阱深p+欧姆接触SOI LIGBT结构到后来的中间阴极SOI LIGBT、埋栅SOILIGBT、双沟道SOI LIGBT、槽栅阳极短路射频SOI LIGBT等改进结构;阐述了一些结构在抗闩锁方面的改善情况,总结指出抑制闩锁效应发生的根本出发点是通过降低p基区电阻的阻值或减小流过p基区电阻的电流来削弱或者切断寄生双极晶体管之间的正反馈耦合。     

模拟电路MOSFET晶体管失配研究:模型和参数

MOSFET晶体管的精确匹配对模拟和混合集成电路最终性能至关重要,因此漏电流失配方差或标准差大小的计算伴随着MOSFET器件特征尺寸的减小一直不断地发展和演进.针对模拟集成电路设计中MOSFET漏电流失配,围绕模型和参数选取这一核心问题进行回顾、分析和总结,并说明其应用.同时研究其最新的进展情况及面临的问题,最后提出了...     

可供便携式设备充电的移动电源设计

针对便携式设备续航时间短的问题,设计了一款能够在户外供其他移动数码产品充电的移动电源。此款移动电源基于锂电池充电芯片ASC8513和升压芯片ME2109,能做到自身的充电电流和输出电流均达到2 A,比普通产品的1 A电流高出1倍,并具有很好的安全性和人性化设计。着重分析了移动电源系统中各模块的电路设计,参数设置和工作效率等问题,为设计一款性能优良的移动电源提供了解决方案。     

一种便携式超高频RFID读写器的设计

该文首先分析了超高频RFID读写器的硬件架构,然后对AS3992芯片的特性进行了介绍,对其关键指标进行了分析,随后对RFID信道中的损耗进行了估算;该设计采用AS3992内部低功率线性输出,设计了对应的射频前端电路,并进行了ADS仿真验证,最后分析了ISO/IEC 18000-6B数字基带中的清点标签流程,对读写器进行了性能指标测试。     

基于边缘权重分析的水面弱目标红外增强

为了提高水面环境下的弱目标红外图像的视觉质量,本文基于红外辐射理论,结合边缘分析与透射率等参数获取,实现了复原增强。通过辐射理论分析获得了原始场景图像关于透射率与路径辐射光的函数表达。利用暗通道先验,获取粗糙的透过率,结合边缘权重分析与导向滤波,获取精细透过率。在边缘分析基础上,确定了路径辐射。观测实验证明本文增强结果的潜在目标区域的局部对比好,突出了边缘与纹理特征。测试结果表明,本文方法运行速度快,增强的视觉效果好,客观评价值高,为后期的目标探测、识别等应用奠定了基础。     

紫外激光改性氧化钒薄膜

氧化钒薄膜制备后需要进行退火处理以降低非晶态氧化钒薄膜的方阻大小并改善薄膜结晶特性。传统退火方式时间较长且退火过程会导致器件性能降低。本文主要利用激光精确控制的特点处理氧化钒薄膜,通过平顶光路系统改变激光功率、高斯光斑形貌以及光斑的重叠率对氧化钒薄膜进行退火处理,主要研究了激光能量密度以及光斑重叠率对氧化钒薄膜的方阻,表面粗糙度以及结晶度的影响。实验结果表明激光功率为0.7 W,光斑重叠率为93.33%,光斑能量密度为62.2 mJ/cm2时,退火氧化钒薄膜的方阻值明显降低,薄膜表面光滑且氧化钒结晶度较好。     

单通道TD-SCDMA射频拉远单元

该文设计了一种单通道TD-SCDMA射频拉远单元。首先根据系统要达到的性能指标要求,设计了系统拓扑结构,接着从该系统拓扑结构出发,分析了整个系统的设计思路及实现方案,选择相应的电路模块。测试结果表明设计的系统达到了预期的指标,临近通道功率比小于-40.64 dBc和误差向量幅度为5.08%rms。     

应用于北斗接收机的低噪声放大器设计

该文采用电容交叉耦合技术,设计了基于SMIC0.18μm CMOS工艺的应用于北斗二号接收机全差分低噪声放大器,中心频率为1 561.098MHz。仿真结果表明：该低噪放的噪声系数为2.045dB,功率增益S21为19.684dB,输入反射系数S11和输出反射系数S22分别小于-13dB和-40dB,反向隔离S12小于-40dB,线性度IIP3大于-5.5dBm,在1.8V电压下的总功耗为16mW。     

60GHz单级功率放大器的设计

该文探讨了60 GHz 功率放大器的设计方法,设计并测试了基于0．07μm GaAs 工艺的60 GHz毫米波单片功率放大器,该放大器采用共源结构,单级放大,工作电压为1．2 V,工作电流为27 mA,在62．2 GHz 时有最大小信号增益4．9 dB,60 GHz 时仿真的输出1 dB 压缩点功率为12 dBm。