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1.
压电马达用压电陶瓷的研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
采用传统的电子陶瓷工艺制备了高性能四元系压电陶瓷 (PZN- PMS- PZT- r Mn O2 )。考察了不同剂量的锰掺杂对压电陶瓷的介电性能和压电性能的影响 ,即室温介电常数 ε、介电损耗 tanδ、居里温度 Tc、机电耦合系数 kp、压电常数 d33和机械品质因数 Qm。随着 Mn含量的增加 ,ε和 tanδ均减小 ;由于内偏置场的影响 ,居里温度 Tc随锰含量的增加而增加。kp 和 d33随 Mn含量的增加而减小 ;而 Qm 表现出较复杂的变化规律 ,随 Mn含量的增加 Qm先增加 ,当 r=0 .2 %时 ,达到最大值 10 0 0 ,当 r>0 .2 %时 ,Qm 下降。实验结果表明 :当 r=0 .2 %的锰掺杂压电陶瓷比较适合制作压电马达 ,其压电性能为 ε=12 0 0、tanδ=0 .0 0 4、Tc=349°C、kp=0 .6 0、d33=380 p C/ N和 Qm=10 0 0  相似文献
2.
串联2-2型复合材料的进一步研究   总被引:2,自引:1,他引:1  
讨论了串联2-2型压电复合材料的介电损耗tanδ、介电击穿Eb等介电特性。通过测试复合材料的谐振频率fr和反谐振频率fa,计算出了2-2型复合材料的压电常数d31、dh、gh以及优值dhgh,并讨论了它们的变化规律。文章对压电常数作了数学模拟,实验结果表明:在压电陶瓷(PZT)体积含量较高时,实验值与计算值比较吻合。  相似文献
3.
透明多晶尖晶石的制备及应用研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
报道了采用高纯、超细的尖晶石粉末作为起始原料,分别用真空热压烧结和真空烧结结合热等静压法制备各种形状透明多晶尖晶石的技术;测试了透明多晶尖晶石的透过率、抗弯强度、硬度、热膨胀系数、电击穿强度、电阻和介电常数等性能;介绍了透明多晶尖晶石在导弹整流罩等电磁窗口和防弹装甲及发光基片方面的应用,并探讨在其他方面的应用.  相似文献
4.
透明尖晶石陶瓷的透过性能研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用高纯、超细的尖晶石粉末作为起始原料,用真空热压烧结结合热等静压法制备出透明尖晶石陶瓷制品,制品抛光后在3~5 μm波段的透过率最高达到86%以上.通过酸碱腐蚀和高温退火对材料进行耐腐蚀和耐高温性能研究.实验结果表明,该工艺制备的透明尖晶石陶瓷有较好的耐酸碱腐蚀性能和耐高温性能.通过镀膜可提高制品中波红外透过率,单面镀增透膜后制品3~5 μm透过率最高可到92%.结合其他性能数据,简要介绍透明尖晶石陶瓷已经取得的应用和在基片、窗口材料等方面潜在的应用.  相似文献
5.
分散剂在sol-gel法制备PZT粉体中的应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用sol-gel法制备了PZT纳米粉体。针对硝酸铅会从干凝胶中析出的问题,分析了硝酸铅的析出原因,采取在溶胶中加入柠檬酸三铵作为分散剂来消除硝酸铅的偏析。实验结果表明:当柠檬酸三铵的加入量为醋酸铅的2.5%(摩尔分数)时,能得到粒度较为均匀,组成与计算配方一致的PZT纳米粉体。  相似文献
6.
元素V掺杂对ZnO压敏效应的影响机理研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
研究了掺杂不同V_2O_5对ZnO陶瓷压敏特性的影响.实验表明,ZnO压敏电压随V元素掺杂量增加而随之升高,非线性系数随元素V掺杂量增加而先增大后减小,漏电流先减小后增大.分析认为,V元素掺杂对ZnO压敏材料电性能的影响不仅与电子的能级有关,与其自旋特性也紧密相关.ZnO陶瓷中掺杂的V元素在晶界偏析,其V元素都会产生局域磁矩,会对与其取向不同的自旋电子产生强的散射,这样可增大ZnO压敏陶瓷电阻率,使晶界产生非线性特性.  相似文献
7.
(La,Nb)共掺杂TiO2压敏陶瓷中第二相的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
研究了(La,Nb)掺杂TiO2压敏陶瓷中第二相的转变及其对压敏性能的影响。采用实验方法研究了La2O3和Nb2O5的掺杂量及烧结温度对TiO2压敏陶瓷的压敏电压和非线性系数的影响。采用SEM、EPMA和XRD测试了TiO2陶瓷的显微结构、化学组成和物相。研究结果表明,(La,Nb)掺杂TiO2压敏陶瓷中存在第二相,随着烧结温度的增加,第二相会从LaNbO4向LaNbTiO6转变。根据La2O3-TiO2、La2O3-Nb2O5和Nb2O5-TiO2的二元相图,绘出了La2O3-Nb2O5-TiO2三元相图,在三元相图基础上初步估算了在不同烧结温度TiO2压敏陶瓷中第二相的相对含量。第二相LaNbTiO6的析出,导致钛空位(V″Ti″)浓度增大,而使压敏电压和非线性系数增加。  相似文献
8.
采用实验方法研究了纳米粉体对TiO2压敏陶瓷晶界势垒结构的影响.采用扫描电镜测试了样品的显微结构.基于热电子发射理论和样品的电学性能计算了TiO2压敏陶瓷的势垒结构.在室温至320 ℃范围内,测试TiO2压敏陶瓷样品的电阻率ρ.通过样品的lnσ-1/T曲线计算了TiO2压敏陶瓷材料的晶界势垒结构.讨论了显微结构和势垒结构对TiO2压敏陶瓷电学性能的影响.结果表明,合适的纳米TiO2加入量为x=5 mol%.  相似文献
9.
研究了串联2-2型复合材料的介电击穿特性。串联2-2型压电复合材料结构较为简单,它是研究具有复杂连通性压电复合材料的基础。根据能量守恒定律,推导出串联2-2复合材料中压电陶瓷PZT层上和聚合物PVDF层上的电场强度Ec、Ep。由于压电陶瓷的介电常数εc(≈1600ε0)远远大于聚合物的介电常数εp(≈12εo),因此Ep远远大于Ec。尽管PVDF的介电强度高于PZT的介电强度,但由于Ep远远大于Ec,所以串联2-2型压电复合材料的介电击穿往往是从聚合物层开始的,最后导致复合材料整体被击穿。对理论计算进行了实验验证,结果表明:在PZT含量较低时,计算值与试验值比较接近,但随着复合材料中PZT含量的提高,二者的偏差越来越大。文章最后定性讨论了在高PZT含量时复合材料的计算值与试验值偏差较大的原因。  相似文献
10.
2006年9月15-18日,黑龙江第十四届国际计算机,通信技术及电子产品展览会在哈尔滨国际会展体育中心隆重举办。  相似文献
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