HgCdTe焦平面探测阵列干法技术的刻蚀速率研究

首次报道了HgCdTe焦平面探测器微台面列阵成形工艺的干法技术有关刻蚀速率的一些研究结果。从HgCdTe外延材料的特点出发,详细分析了其干法刻蚀适用的R IE(Reactive Ion Etching)设备、刻蚀原理以及刻蚀速率的影响因素。采用ICP ( Inductively Coup led Plasma)增强型R IE技术,研究了一种标准刻蚀条件的微负载效应( etch lag)对刻蚀速率的影响,以及刻蚀非线性问题,并获得刻蚀速率随时间的关系。  

一种小功率高压开关电源的设计

介绍一种利用推挽变换、倍压整流电路实现高压输出电源的设计方案．着重介绍了开关电源主电路、高压变压器以及可靠性热设计的具体方法，最后给出了设计的测试结果。  

RGB LED白光照明单元的组合设计

在含有多个LED排列的光源中,需要对RGB LED照明单元的排列组合进行精确的设计.文章将每一个单色LED看成是一个非理想的朗伯发射体,分析了LED排列的几种典型结构,根据设计方程式模拟出了不同LED结构的照度分布情况.模拟结果表明,排列LED在其极值范围内可以得到比较均匀的照度分布,随着LED之间距离的增大,其中心位置的照度随之下降;增大LED阵列中心到被照平面的距离z,照度均匀性也随之逐渐降低.  

移动互联网上的Mashup应用

近两年,随着移动通信市场的日趋饱和及市场竞争的不断加快,全球主流移动运营商都将移动互联网作为其业务发展的战略重点予以积极推进.  

数字家庭网络用户预测

随着信息化的普及，数字化技术的飞速发展，普通家庭中出现了越来越多的数码产品：个人电脑、PDA、手机、数字电视、DVD、MP3、DV／DC、智能电器……。与此同时，宽带与互联网的迅猛发展，加速了在家庭中的普及率。而娱乐产品的丰富又通过宽带、无线网络带给人们生活内容的改善。通信、信息、娱乐等技术的迅速成熟，融合这三方面构建一个宽带接入、内部互联、内容共享的家庭网络需求也日趋突显。在未来，信息资源在个人终端上得以整合，个人用户可以直接面对一个虚拟的信息平台进行操作，设备和信息之间实现无缝的连接，所有这些使得“数字家庭网络”越来越重要。  

中国移动互联网应用市场分析

中国移动互联网市场情况 1．市场发展现状 目前中国的移动互联网市场进入第二次快速发展阶段，创新应用服务将引领市场发展。2009年中国移动互联网用户规模达2亿多，年增长率近105％；预计2011年用户将近4亿。2009年中国移动互联网收入规模近390亿元，年增长率达90％。预计2011年收入规模将达1700亿。发展预测如下图1所示。  

物联网产业发展和建设策略

本文介绍了物联网的定义和网络结构．以及国内外的发展情况．最后对我国发展物联网的策略提出了建议。  

表面粗化提高倒装AlGaInP发光二极管的光提取效率

对发光二极管进行表面粗化能够大幅度的提高其光提取效率。利用晶片键合技术并采用湿法刻蚀的办法粗化n面AlGaInP表面制作了一种带表面粗化的倒装薄膜发光二极管。刻蚀后的表面形貌呈现金字塔状。270μm x 270μm管芯裸装在TO-18金属管座上，在20mA的注入电流下，粗化了的LED-I光强达到了315mcd，输出光功率达到了4.622mW，比没有粗化的LED-II的光功率高1.7倍。光功率增加的原因在于粗化后形成的这种金字塔状表面，其不但减少了背部镜面系统和半导体-空气接触面的反射，而且能有效的将光从LED中散射出去。  

TD-SCDMA网络优化

主要介绍TD-SCDMA网络优化,分别介绍了网络优化的概念、目标、思路和流程,分析了TD网络优化和GSM及WCDMA网络的差异,最后说明了TD网络优化需要解决的一些问题。  

UWB超宽带发展及市场预测

本文介绍了UWB的技术发展、系统架构、与其它无线通信技术的关系及其优势和应用；通过观察分析，并结合中国的近况，对全球和中国的UWB市场发展进行了预测。