首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   32篇
  国内免费   1篇
  完全免费   10篇
  无线电   43篇
  2014年   3篇
  2012年   1篇
  2011年   1篇
  2009年   1篇
  2008年   2篇
  2007年   4篇
  2006年   2篇
  2005年   3篇
  2004年   3篇
  2003年   1篇
  2001年   2篇
  2000年   4篇
  1999年   5篇
  1998年   4篇
  1997年   2篇
  1996年   2篇
  1995年   1篇
  1984年   2篇
排序方式: 共有43条查询结果,搜索用时 31 毫秒
1.
Ni-Co合金包覆碳纳米管的研究   总被引:12,自引:0,他引:12  
利用化学镀方法在碳纳米管表面包覆磁性金属镍-钴合金,得到一维纳米复合材料。研究表明,反应温度和溶液PH值对镀层质量有较大影响。退火处理将大大改善包覆层质量。磁学性质的测量表明,矫顽力较之块状合金有大的增加,可望在高密度磁记录材料中得到应用。  相似文献
2.
The MOSFET is a key device in high-fequency applications,such as swithing sup-plies,because of its high input DC impedance and the majority carriers participating in thecurrent conduction.Unfortunately,owing to the limitation of the c...  相似文献
3.
双极型压控晶体管模型及原理   总被引:4,自引:0,他引:4  
本文提出一种新的双极型压控晶体管模型,并说明其工作原理。这种器件有两种载流子参与导电,有较大的电流密度和功率,导电能力又受电压控制,具有较大的输入阻抗,兼有双极器件和MOS场效应器件的特点。  相似文献
4.
等离子体聚合正丁胺   总被引:2,自引:0,他引:2  
首次在等离子体状态下将正丁胺单体聚合成聚正丁胺薄膜,这种聚合反应可在一定工艺范围内发生。由元素分析的结果发现,在聚合反应过程中有氢元素逸出,并且主要是C-H上氢元素的逸出,从而使得聚合物上C/H比增大。热稳定性和溶解性实验结果表明:聚正丁胺薄膜具有高度支化、交联的结构,性能稳定,不溶不融。红外光谱分析表明,该聚正丁胺薄膜中有胺基存在。  相似文献
5.
晶化对掺杂GD非晶硅薄膜导电性能的作用   总被引:1,自引:0,他引:1  
在a-Si:H薄膜中进行置换式硼、磷掺杂能引起薄膜结构的变化。在一定衬底温度下,增大r.f淀积功率能使薄膜发生由非晶向微晶及类多晶结构的转化,晶化了的非晶硅薄膜的室温电阻率又可下降三个数量级,其电导激活能也大幅度下降。从而使薄膜的导电性能得到提高。只有在类多晶结构的硅膜中才能获得更高的电导率。  相似文献
6.
高速网络TCP/IP减荷的研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
近十年来,随着网络技术的发展,网络带宽迅速增长,而同期CPU的性能未得到相应的提高.在吉比特网络下,网络终端CPU处理TCP/IP协议的能力已经成为限制网络应用的瓶颈.为了使终端用户能充分利用广阔的带宽资源,需要提高网络终端的协议处理能力.文中基于FPGA的硬件设计,将原来由软件完成的IP层协议功能完全卸载出来,向CPU提供硬件支持.并且通过功能仿真、综合后仿真、布局布线后仿真验证了设计的可行性,由静态时序分析可知,协议处理器的时钟频率可达50 MHz,处理IP数据流的能力可以达到1.6 Gb/s的网络线速度.  相似文献
7.
 本文论述了一种基于联合源-滤波器分离的稳健声门源模型估计方法.此方法利用LF(Liljencrants-Fant)模型对声门波导数(glottal flow derivative)进行建模,而声道被描述为一个时变的ARX模型.由于联合估计问题是一个多变量非线性优化过程,本文采用了一个两阶段(two-pass)的实现策略来解决这一问题.第一阶段初始化声门源和声道模型,并为其后的联合优化过程提供稳健的初始参数.第二阶段的联合估计则最终决定模型估计的精度,由信任域下降优化算法实现.通过分别对合成和真实语音的实验,表明该方法是一种具有一定精度和较好的稳健性的声门源模型估计算法.  相似文献
8.
CMOS技术在生物传感器中的应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍了应用传统CMOS工艺实现ISFET的设计方法,比较了四种不同结构ISFET的传输特性,提出了应用同一CMOS工艺实现衔接电路的差分结构形式,并通过实验验证了此电路设计的合理性。传感单元ISFET与衔接电路可整体集成于同一芯片,提高了生物传感器的品质。  相似文献
9.
Ni—Co合金覆碳纳米管的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用化学镀方法在镀方法在碳纳米管表面包覆磁性金属镍-钴合金,得到一维纳米复合材料。研究表明,反应温度和溶溶液PH值对镀层质量有较大影响。退火处理将大大改善包覆层质量。磁学性质的测量表明,矫顽力较之块状合金有大的增加,可望在高密芳磁记录材料中得到应用。  相似文献
10.
氢化非晶及微晶硅的氢含量和红外光谱研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
本文报道了不同衬底温度,不同生长速率和不同射频功率情况下辉光放电分解硅烷方法生长的氢化非晶与微晶硅中的氢含量和红外振动吸收光谱及其退火效应的研究结果.升高衬底温度和增大射频淀积功率都导致样品中氢总含量的下降,但就SiH_2与SiH 的相对含量而论,前者导致SiH_2相对含量的减少,而后者似乎引起相反的效果.热退火和光谱测量实验表明:不同条件下生长的非晶或微晶薄膜的热稳定性是不同的,缓慢的生长速率似乎有助于提高薄膜的热稳定性.  相似文献
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号