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1.
RF-PECVD法制备高Ge含量微晶Si-Ge薄膜及太阳电池   总被引:4,自引:4,他引:0  
采用射频等离子体增强化学气相沉积 (RF-PECVD) 技术,研究了衬底温度对高Ge 含量(≈50%)微晶Si-Ge(μc-SiGe:H)薄膜结构特性 和电学特性的影响。结 果表明:较低的衬底温度会抑制 μc-SiGe:H薄膜(220)晶向的择优生长;而当衬底温度过高 时,μc-SiGe:H薄膜的O含量和微 结构因子较大。在衬底温度为200℃时,获得了光电特性和结构特性 较优的高Ge含 量μc-SiGe:H薄膜。将优化好的μc-SiGe:H薄膜应用到电池中,在本征层 为600nm的情况下, 获得了转换效率为3.31%(Jsc=22.5mA/cm2,Voc=0.32V,FF=0.46)的单结μc-Si Ge:H电池,电池在1100nm处的光谱响应 达5.49%。  相似文献
2.
应用无信息变量消除法结合连续投影算法对可见-近红外光谱区进行有效波长的选择,选择后的波长作为输入变量建立最小二乘-支持向量机模型,对白虾属中三种典型种,脊尾白虾、秀丽白虾和东方白虾进行鉴别分类.实验采用Kennard-Stone算法选取150个样本作为建模集,50个样本作为预测集,通过UVE-SPA优选了数值分别为392、431、517、551、595、627、676、734、760、861、943和1018 nm的12个波长为LS-SVM的输入变量,建立了白虾种分类模型.该模型对50个预测集样本检验的准确率达到了92.00%.结果表明,采用可见-近红外光谱对白虾种进行鉴别是可行的,UVE-SPA能够有效地进行波长选择,使LS-SVM模型获得最优的分类结果.  相似文献
3.
基于透射光谱确定微晶硅锗薄膜的光学常数   总被引:2,自引:2,他引:0  
结合多层结构模型以及柯西色散公式,给出一种 由透射谱提取微晶硅锗(μc-Si1-xGex :H)薄膜光学常数的Matlab方法。 与Swanepeol方法、PUMA(pointwise unconstrained minimization approach)方法相比,Ma tlab法通过透射率极值的位置而 非幅值计算折射率,能够避免幅值大小偏差所造成的影响,得到更准确的光学常数,拟合 精度能提高1个数量级。计算所 得不同Ge含量的光学常数表明,μc-Si1-xGe x:H在整个波长范围内有更高的吸收系数和折射率,并且二者 随Ge含量增加而增加。由 ASA(advanced semiconductor analysis)进一步计算表明,相对于μc-Si:H电池,当 本征吸收层较薄时相同厚度的μc-Si1-xGe x:H 电池从400nm开始即能表现出更高的量子效率(QE)响应,当本征吸收层较厚时相同厚度的 μc-Si1-xGe x:H电池在近红外区域的QE 响应依然优势明显。并且,在获得相同电流密度的情况下, μc-Si1-xGe x:H电池能够明显降低 本征吸收层厚度,因而能够有效降低Si基薄膜太阳电池的制造成本。  相似文献
4.
李外云  刘锦高  黄振华 《电子器件》2006,29(4):1250-1254
在利用ARM微处理器进行实际应用开发时,存储器接口设计是整个应用系统设计的关键。不同的ARM微处理器具有不同的存储器接口,所支持的存储器芯片型号和种类也不尽相同,但在设计方法上却大同小异。文中首先对PXA255微处理器所支持的三类存储器接口设计进行了分析,并以接口设计实例阐明PXA255在进行存储器接口设计时的方法,最后给出了PXA255在实际应用系统中存储器接口设计原理图。  相似文献
5.
黄振华  季飞 《通信技术》2007,40(12):372-374
拓扑控制是无线网络优化的核心问题之一,其目的在于降低节点间传输功率,延长网络寿命和减少节点邻居数目。文中介绍了基于节点方向信息和基于位置信息的两种分布式算法并对其进行研究与仿真,并从业务负载量上说明拓扑控制给网络带来的显著优化。  相似文献
6.
提出了一种新型的适合ISM 2.45 GHz频段的无线通信和RFID等领域应用的h形微带天线,该天线具有小型化、双频工作等特点.该h形微带天线被看作由两个半波微带振子组成,分别对应于天线的两个工作频率.文中给出了天线反射损耗的实测结果及实测方向图,实测结果与软件仿真及理论预测结果基本吻合.  相似文献
7.
Hydrogenated microcrystalline silicon-germanium (μc-SiGe:H) films are fabricated by radio-frequency plasma-en- hanced chemical vapor deposition (RF-PECVD). The optical absorption coefficient and the photosensitivity of the μc-SiGe:H films increase dramatically by increasing the plasma power and deposition pressure simultaneously. Addi- tionally, the microstructural properties of the μc-SiGe:H films are also studied. By combining Raman, Fourier trans- form infrared (FTIR) and X-ray fluoroscopy (XRF) measurements, it is shown that the Ge-bonding configuration and compactability of theμc-SiGe:H thin films play a crucial role in enhancing the optical absorption and optimizing the quality of the films via a significant reduction in the defect density.  相似文献
8.
薄膜体声波谐振器(FBAR)具有高灵敏度、高工作频率,低功耗,小尺寸及制造工艺IC兼容的特点,使其成为高效能换能器和传感器的理想技术。基于FBAR的传感器,如高灵敏度质量传感器、DNA和蛋白质探测器、气体传感器、水银离子探测器和微区质量探测器,与采用其他微电子机械系统的同类传感器相比,已取得了更好的传感性能。该文综述了FBAR传感器的进展,特别是FBAR高灵敏度传感器、FBAR谐振式传感器及其高频读出电路;提出了采用六端口反射计实现FBAR换能器的射频频率偏移信号读出、基于单片微波集成电路或低温共烧陶瓷工艺制备的六端口网络构建集成FBAR传感器的原创设想。  相似文献
9.
黄振华  高杨  蔡洵  赵俊武 《压电与声光》2015,37(6):1066-1070
由于体声波传感器具有灵敏度高,准数字量输出,便于集成和工作频率高等特点,使其近几年迅速发展,且因为体声波传感器具有工作频率高的特点,导致其读出电路部分复杂,不易集成,致使体声波传感器的实用性不高。为推进体声波传感器的实用化,该文提出一种基于六端口反射计的体声波传感器读出电路代替使用矢量网络分析仪的原创性设想。采用Agilent公司的射频仿真软件Advanced Design System初步验证了基于六端口反射计的体声波传感器读出电路的可行性,并给出了满足薄膜体声波谐振器的射频输出信号检测要求的六端口网络的电路设计。  相似文献
10.
在高灵敏度光电探测领域,常常采用雪崩二极管(APD)等高增益探测器,这些探测器通常需要上百伏的工作电压,因此电源噪声对探测器的性能影响很大。针对单光子探测的需要,论文提出了一种电荷灵敏前置放大器消除电源噪声的设计,通过采用匹配的差分输入,可以有效抵消电源的共模噪声。论文首先对APD探测器在不同偏压下的结电容进行测试,然后采用可调电容对APD电容进行匹配,用MultiSim对提出的电路进行了仿真分析,最后制作实验电路进行了测试和验证。结果表明:差分输入电荷灵敏前置放大器能够有效消除电源噪声(包括低频噪声和高频噪声),实现高灵敏度的光探测。  相似文献
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