浅谈环保型增塑剂生产过程中污染最小化的处理措施

研究了具体的单个增塑剂生产过程中各个生产环节“三废”的产生情况，以及怎样最大限度地减少污染物生成的方法。复配型环保增塑剂是几种不同优良增塑剂的叠加，可以赋予塑料制品多方面的特性，对此类增塑剂的生产特点以及怎样控制污染物做了分析和介绍。     

2.4GHz全集成CMOS Doherty功率放大器

采用0.18μm CMOS工艺设计并制作了一个2.4 GHz全集成CMOS Doherty功率放大器.着重考虑了片上螺旋电感的回流路径对电感模型的影响,并在设计中使用了一种新颖的螺旋电感版图结构来避免回流路径的影响.实测结果表明该功率放大器增益达到16dB,1dB压缩点为20.5dBm,峰值输出功率和对应功率附加效率分别为21.2dBm和20.4％,整个芯片面积为2.8mm×1.7mm.     

65纳米硅衬底上低损耗带屏蔽的共面波导传输线建模

共面波导传输线可以用作毫米波频段片上的高品质因子的无源器件。在这篇文章里,采用CMOS 65nm工艺设计和制造了加地线屏蔽和不加地线屏蔽的共面波导传输线。本文提出一个基于物理的模型来描述传输线单位长度的频率相关的电感、电容、电阻和电导参数。从基本的共面波导结构出发,模型里加入了慢波效应和底线屏蔽效应的影响。实验数据表明模型有很高的准确度。     

On modeling the digital gate delay under process variation

To achieve a characterization method for the gate delay library used in block based statistical static timing analysis with neither unacceptably poor accuracy nor forbiddingly high cost,we found that general-purpose gate delay models are useful as intermediaries between the circuit simulation data and the gate delay models in required forms.In this work,two gate delay models for process variation considering different driving and loading conditions are proposed.From the testing results,these two models,especially the one that combines effective dimension reduction(EDR) from statistics society with comprehensive gate delay models,offer good accuracy with low characterization cost,and they are thus competent for use in statistical timing analysis(SSTA).In addition, these two models have their own value in other SSTA techniques.     

认识手工制作紫砂壶

一般紫砂泥分为手工泥和现代机制泥。从拉压紫砂泥到紫砂壶成品制作,主要有三种方式,分别为全手工、纯手工、半手工等。     

认识手工制作紫砂壶

一般紫砂泥分为手工泥和现代机制泥。从拉压紫砂泥到紫砂壶成品制作,主要有三种方式,分别为全手工、纯手工、半手工等。     

构建新型航空发动机研制的柔性制造中心

航空发动机研制、生产周期长，工艺装备品种多、数量大，竞争需求导致发动机不断更新换代，但批量不大，生产单位形成批生产和新机研制并存的格局。     

Broyden算法在薛定谔方程和泊松方程自洽求解中的应用

利用Broyden算法,通过自洽求解一维半导体量子线的电子浓度分布和电势分布,和常用的牛顿法以及逐次超松弛(SOR)法相比较,确认了Broyden算法的收敛结果正确,并减少了达到收敛的迭代步数,是对于薛定谔方程和泊松方程组成的非线性方程组系统自洽求解的有力工具.     

GaAs高温栅全平面离子注入技术研究及运算放大器差分输入电路的实现

<正>本工作主要从事高温栅离子注入全平面工艺的研究,并应用此技术设计和制备了具有良好性能的耗尽型GaAs MESFET和GaAs运算放大器差分输入电路.80年代初期,由于离子注入、干法技术的发展、高温栅离子注入全平面工艺逐渐取代了传统的凹栅工艺,成为更有前途的GaAs MESFET集成电路技术.该工艺通过直接在半绝缘衬底上注入和退火的方法,形成有源层和n~+层;以高温栅取代传统的A1栅和其它低温栅,并引进干法刻蚀技术取代传统的“剥离”技术;同时以高温栅为掩蔽,自对准注入n~+层.离子注入形成的有源层,具有更好的均匀性;通过调整注入剂量和能量,来调整MESFET夹断电压,更具灵活性,易控制,精度高.同时,以栅为掩蔽自对准注入n~+层,大大减小了串联电阻;整个电路制作在同一平面上,克服了凹栅工艺布线成品率较低的问题.整个电路一致性、均匀性都较好,成品率也大幅度提高.     

一种具有片上译码/放大功能的微阵列电路及其与生物纳米系统的集成

提出了一种用SMIC 0.18μm CMOS混合信号工艺实现的全集成CMOS微阵列生物芯片，并成功地实现了其与一种新的生物纳米系统的集成. 该电路实现了19μm×19μm电极的4×4 (16单元）阵列，反相电极，电流模式放大器，译码电路，以及逻辑控制电路的单片集成，并能够提供-1.6~1.6V的组装电压，8bit的电位分辨率及39.8dB的电流增益，电源电压为1.8V，而失调和噪声电流分别为5.9nA和25.3pArms. 在实验中，利用该电路实现了对30nm聚乙烯醇包裹的磁性粒子的片上选择性组装，并对实验结果进行了讨论，从而验证了该电路的正确性和该集成方法的可行性.