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1.
功率器件寄生电容的大小直接关系到平板显示器驱动芯片的功耗及性能.本文利用器件的动态电流来分析NLDMOS寄生电容特性.在不影响NLDMOS直流特性的前提下,通过改变鸟嘴位置,得到具有低寄生电容的高性能器件.将该器件应用于平板显示器驱动芯片高低压转换电路,模拟结果证明该电路的自身功耗降低了34%,高压输出对低压控制信号的扰动减小了32%.  相似文献   
2.
上海养云安缦酒店系采用从江西抚州被拆除的传统民居的材料重新组装建造而成,其中的石材施工和木饰面施工是工程中的两大难点。结合对石材施工和木饰面施工的难点进行分析,介绍了两个施工阶段的技术要点以及实施体会,以期为类似古建筑改建及修缮工程提供参考。  相似文献   
3.
平板显示器驱动芯片中NLDMOS寄生电容   总被引:3,自引:2,他引:1  
功率器件寄生电容的大小直接关系到平板显示器驱动芯片的功耗及性能.本文利用器件的动态电流来分析NLDMOS寄生电容特性.在不影响NLDMOS直流特性的前提下,通过改变鸟嘴位置,得到具有低寄生电容的高性能器件.将该器件应用于平板显示器驱动芯片高低压转换电路,模拟结果证明该电路的自身功耗降低了34%,高压输出对低压控制信号的扰动减小了32%.  相似文献   
4.
SOI LDMOS栅漏电容特性的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
借助软件,模拟并研究了SOI LDMOS栅漏电容Cgd与栅源电压Vgs和漏源电压Vds的关系;研究了栅氧化层厚度,漂移区注入剂量,P阱注入剂量,SOI厚度,场板长度等五个结构工艺参数对Cgd的影响;提出了减小SOI LDMOS栅漏电容Cgd的各参数调节方法.  相似文献   
5.
建立了高压SOI-LDMOS截止频率ft的提取方法,并借助半导体器件专业软件Tsu-prem-4和Medici,对截止频率ft与栅源电压Vgs和漏源电压Vds的关系进行了分析;研究了栅氧化层厚度、漂移区注入剂量、SOI层厚度和场极板长度等四个关键参数对截止频率的影响;最后,提出了提高SOI-LDMOS截止频率的方法。  相似文献   
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