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1.
InGaAs PIN光电探测器的暗电流特性研究   总被引:13,自引:2,他引:11  
从理论上分析了In0.53Ga0.47As PIN光电探测器在不同掺杂浓度及反向偏压下的暗电流特性,并与研制的器件的实测结果进行了比较和讨论.模拟结果表明:在低偏压下,器件中的产生复合电流起主要作用,偏压增大时,隧道电流起主要作用,且In0.53Ga0.47As光吸收层的载流子浓度对器件的暗电流有很大的影响,实测器件特性与模拟结果完全符合.文中还对器件结面积和电极尺寸等对暗电流的影响进行了比较和分析.  相似文献   
2.
短波红外InGaAs/InP光伏探测器系列的研制   总被引:2,自引:7,他引:2       下载免费PDF全文
采用气态源分子束外延方法及应用有源区同质结构及较薄的组分渐变InxGa1-xAs缓冲层,研制了波长扩展的InGaAs/InP光伏探测器系列,其室温下的截止波长分别约为1.9μm,2.2μm.和2.5μm.对此探测器系列在较宽温度范围内的性能进行了细致表征,结果表明在室温下其R0A乘积分别为765,10.3和12.7Ωcm2,比室温降低100K时其暗电流和R0A可改善约3个量级.瞬态特性测量表明此探测器系列适合高速工作,实测响应速度已达数十ps量级.  相似文献   
3.
研制了InGaP/GaAs串接太阳电池,结果表明,电池的转换效率在21%~24%之间(IAMO,28℃),填充因子在79%~81%之间,并对其材料结构、器件工艺制作以及性能测量表征等进行了讨论。  相似文献   
4.
5.
报导了带二维衍射光栅的 12 8元线列GaAs/AlGaAs多量子阱长波红外焦平面探测器的研究成果。探测器光吸收峰值波长λP=8.9μm ,采用垂直入射光耦合的工作模式 ,在 80K工作温度下其平均黑体电压响应率为 2 .75× 10 4 V/W ,平均黑体探测率为 2 .5 2× 10 9cmHz1/ 2 /W ;电压响应率和探测率的非均匀性分别 5 .2 %和 8.3%。 12 8元线列探测器与 6 4元CMOS读出电路对接后与光学系统、扫描系统、数据采集系统和图像显示系统等组成红外成像演示系统 ,实验室获得了清晰的人体手部热像和余热图像  相似文献   
6.
In0.53Ga0.47As PIN光电探测器的温度特性分析   总被引:3,自引:0,他引:3  
从理论和实验上分析了双异质结In0.53Ga0.47As PIN光电探测器在不同的反向偏置电压下暗电流在甚宽温度范围内的温度特性。结果表明:在反向偏置低压与高压段,产生一复合电流与隧道电流(缺陷隧道电流与带带间隧道电流)分别占主导地位,并呈现出相应的温度特性。还从理论与实验两方面探讨了噪声对探测器R0A的影响,结果表明:在低温段,产生一复合噪声起主要作用,在高温段,俄歇复合噪声起主要作用。  相似文献   
7.
报导了自行研制的InGaP/GaAs双结太阳电池,电池的转换效率在21%-24%之间(1AM0,28℃),填充因子在79%-82%之间。文中对其材料结构设计、器件工艺制作以及性能测量表征等方面的问题进行了讨论。  相似文献   
8.
通过对2014年5月27日,66 kV牌楼变10 kVⅠ段母线出现多起短路故障伴有遥测电压异常引起跳闸事件的跟踪分析,查出遥测电压异常的直接原因是测控装置接线错误,并深层分析出系统闪络短路故障的主要原因是该系统设备污秽严重,电容电流超过限值及大量谐波分量注入等因素,引起间歇弧光过电压击穿了绝缘薄弱设备。针对性地制定事故处理措施后,消除了遥测电压异常缺陷,降低了单相接地故障引发过电压造成的短路故障事故几率,确保了10 k V系统电网安全、经济、优质运行,为此类故障的分析处理提供借鉴。  相似文献   
9.
随着社会需求的不断增长,橡胶制品的数量与品种不断增多,其中许多制品都要经过硫化罐硫化这一过程。例如橡胶制鞋、气垫船气垫、各种轮胎等等。而硫化罐硫化过程则是一个复杂的物理和化学变化过程。而橡胶本身及其制品内部富含易燃甚至易爆品[例如:发泡剂(NO)_2(CH_2)_5N_4在橡胶中易于分解且在高温下易燃]。如处理不当,这些物质在硫化罐中高温高压条件下,就有可能引起罐内起火。这类现象在橡胶制品行业时有发  相似文献   
10.
锗硅(Si1-xGex)是硅和锗通过共价键结合形成的半导体化合物,是这两种元素无限互溶的替位式固溶体。锗硅一般有非晶、多晶、单晶和超晶格四种形态,其中单晶锗硅的主要应用之一就是作为异质结双极晶  相似文献   
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