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基于感应耦合等离子体干法刻蚀技术,对采用Cl2/BCl3气体组分下GaN刻蚀后的侧壁形貌进行了研究。扫描电镜(SEM)结果表明,一定刻蚀条件下,刻蚀后GaN侧壁会形成转角与条纹状褶皱形貌。进一步实验,观察到了GaN侧壁转角形貌的形成过程;低偏压功率实验表明,高能离子轰击是GaN侧壁转角与条纹状褶皱形貌形成的原因。刻蚀过程中,掩蔽层光刻胶经过高能离子一段时间轰击后,其边缘首先出现条纹状褶皱形貌,并转移到GaN侧壁上,接着转角形貌亦随之出现并转移到GaN侧壁上。这与已公开发表文献认为的GaN侧壁条纹状褶皱仅由于掩蔽层边缘粗糙所引起而非刻蚀过程中形成的解释不同。 相似文献
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基于物理原理的分析,提出了GaAs PIN二极管的一种新等效电路模型.GaAs PIN二极管被分成P+n-结、基区和n-n+结三部分分别建模,总的模型由三个子模型组成,从而极大地提高了模型的准确性.相应的模型参数提取过程不要求苛刻的实验或测试条件,简便易操作.研制了15组GaAs PIN二极管来验证模型,测试结果表明模型准确地反映了GaAs PIN二极管的正向和反向特性. 相似文献
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报道了一种基于商用0.15um赝配高电子迁移率晶体管工艺的单片低噪声放大器,工作频率范围为23~36GHz.它采用自偏置结构.对晶体管栅宽进行了优化设计减小栅极电阻,以得到低的噪声系数.采用吸收回路和加电阻电容网络的直流偏置结构提高电路稳定性,用多谐振点方法和负反馈技术扩展带宽.测试结果表明,其噪声系数低于2.0dB,在31GHz处,噪声系数仅为1.6dB.在整个工作频带范崮内,增益大于26dB,输入回波损耗大于11dB,输出回波损耗大于13dB.36GHz处的ldB压缩点输出功率为14dBm.芯片尺寸为2.4mm×1mm. 相似文献
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用新的电路形式提高HBT光调制器驱动电路的传输速率及性能 总被引:1,自引:1,他引:0
在传统光调制器驱动电路中,所用HBT截止频率的大小要达到驱动电路传输速率的4倍以上.文中在输出级采用共射共基HBT形式后,其器件的截止频率只需大于电路传输速率的2倍即可,从电路设计的角度降低了对所用器件的要求.文中分析了新的电路结构提高传输速率的原因并给出了模拟结果.同时新的电路结构也具有良好的热稳定性. 相似文献
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采用自行研发的4英寸InGaP/GaAs HBT技术,设计和制造了10Gb/s光调制器驱动电路.该驱动电路的输出电压摆幅达到3Vpp,上升时间为34.2ps(20~80%),下降时间为37.8ps(20~80%),输入端的阻抗匹配良好(S11=-12.3dB@10GHz),达到10Gb/s光通信系统(SONET OC-192,SDH STM-64)的要求.整个驱动电路采用-5.2V的单电源供电,总功耗为1.3W,芯片面积为2.01×1.38mm2. 相似文献
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在传统光调制器驱动电路中,所用HBT截止频率的大小要达到驱动电路传输速率的4倍以上.文中在输出级采用共射共基HBT形式后,其器件的截止频率只需大于电路传输速率的2倍即可,从电路设计的角度降低了对所用器件的要求.文中分析了新的电路结构提高传输速率的原因并给出了模拟结果.同时新的电路结构也具有良好的热稳定性. 相似文献
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采用普通接触曝光研制成栅长为0 .2 5 μm的Ga As基In Al As/ In Ga As变组分高电子迁移率晶体管(MHEMT) ,测得其跨导为5 2 2 m S/ m m,沟道电流密度达4 90 m A/ mm,截止频率为75 GHz,比同样工艺条件下Ga As基In Ga P/ In Ga As PHEMT的性能有很大的提高.对该器件工艺及结果进行了分析,提取了器件的交流小信号等效电路模型参数,并提出了进一步得到高稳定性、高性能器件的方法. 相似文献