外延生长的Gd掺杂CeO2薄膜内位错的透射电子显微学表征

利用脉冲激光沉积（ pulsed laser depositon, PLD）方法在YSZ（ Y2 O3 stabilised zirconia）单晶衬底上外延生长了Gd掺杂的CeO2薄膜（gadolinium doped CeO2,GDC）。利用透射电子显微镜（TEM）对GDC／YSZ界面以及GDC薄膜内部的位错结构进行了表征。实验发现,界面处存在周期性分布的失配位错,界面失配主要通过失配位错释放。 GDC薄膜内部存在两种不同的位错,其中一种为纯刃型位错,另外一种为混合型位错。     

球磨Si50C50混合粉末合成SiC的高分辨电镜观察

SiC作为一种重要的工业原料,可以利用很多方法制备而成.工业用的SiC通常采用传统的Acheson过程,用碳还原SiO2,温度需达到2000℃～2300℃[1].文献[2,3]报道了在室温球磨 Si50C50 混合粉末可获得SiC.但是在这些文献中,所提供的证据均来自于X射线衍射,透射电镜以及扫描电镜等的实验结果,没有提供直观的原子尺度观察,因而对于其微观反应机制的理解缺乏足够的证据.     

激光合成超微粉结构的高分辩电子显微镜观察

超微粉(粒度在100钠米以下)的使用在微晶陶瓷及功能材料中日益受到得视。由于超微粉很细小,选区电子衍射实验难以对其作物相鉴定。在一定条件下,如分散得当,利用高分辩电子显微镜直接显示超微粉的原子排列规律可成为其结构及物相鉴定的有力手段。本文所用超微粉是由金属所以公斤级生产的,其平均尺寸在20nm左右。图1为激光法制备的Si—B—C合超微粉的高分辩像。高分辩像观察表明此种复合粉主要为SiC超微粉,其次为SiB_6微粉。SiB_6的晶体结构尚有争议,有人认为是立方晶系,CaB_6型,有人认为是正交晶系。近来的研究趋于后者,确定SiB_6属正交晶系,空间群为Pnnm,点阵常数为a=14.397埃,b=18.138埃,c=9.911     

界面反应对K_2O·STiO_2(W)/ZL109复合材料高温强度的影响

K_2O·8TiO_2(W)/ZL109复合材料在500℃下热暴露20h后高温强度最高,热暴露时间超过20h,随着热暴露时间的延长,其高温强度逐渐下降。界面反应是导致其高温强度下降的原因。     

Ti-Ni-Si纳米合金的制备和特性

Ｔｉ（７０）Ｎｉ（２０）Ｓｉ（１０）非晶合会在５００－８００℃范围内经１ｈ退火后。可形成平均晶粒度为８－１２０ｎｍ的纳米合金．Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）和透射电镜（ＴＥＭ）的结果表明。不同平均晶粒度的纳米合金样品中，相的组成相同．即Ｔｉ２Ｎｉ和Ｔｉ５Ｓｉ３以及少量的α－Ｔｉ晶体相．显微硬度（ＨＶ）的测量表明，纳米合金样品的显微硬度值比铸态或非晶态样品高一倍左右，但是，随着平均晶粒度的减小，硬度值的变化并不满足线性的Ｈａｌｌ－ｐｅｔｃｈ关系。     

INTERFACIAL REACTION IN K_2O·8TiO_(2(w))/ ZL109 COMPOSITE UNDER THERMAL EXPOSURE OR THERMAL CYCLING

在５００℃下热暴露１００ｈ以上时，Ｋ_２Ｏ·８ＴｉＯ_２晶须与ＺＬ１０９铝基体金属发生界面反应生成了新相Ｔｉ_７Ａｌ_５Ｓｉ_（１２），随着热暴露时间的延长，反应产物增多，热循环比热暴露更明显地促进了界面反应。在所有的状态下，这种晶须与基体之间都存在ＴｉＯ过渡层。     

定向凝固NiAl-28Cr-5.8Mo-0.2Hf合金的高温拉伸蠕变行为

研究了定向凝固NiAl-28Cr-5.8Mo-0.2Hf合金的显微组织和在982－1100℃,50-124MPa应力下的高温蠕变行为，该合金是由NiAl相。Cr(Mo)相和少量Hf的固溶体相组成。蠕变测试结果表明：蠕变曲线是由较短的减速蠕变阶段和较长的加速蠕变阶段组成，且蠕变后的显微组织变化不大，蠕变变形机制是由位错攀移机制所控制。加强蠕变阶段蠕变速率的增加是由于裂纹的形成与扩展引起的。     

SiC纤维增强的钛合金基复合材料的显微结构

利用电子显微镜研究了ＳｉＣ纤维增强的钛合金基复合材料的显微结构，结果表明，复合材料的增强相为直径１２０μｍ左右并含有１５μｍ钨芯的柱状纤维，β－ＳｉＣ针状枝晶沿径向生长，其面垂直于枝晶生长方向并含有大量的层错和微孪晶。纤维与基体结构得很理想，界面非晶保护层在材料复合过程中未受损失。     

Ag—Cu纳米合金的微观结构

利用高分辨电镜（ＨＲＥＭ）对气相凝聚法制备的Ａｇ１－ｘＣｕｘ（０．０５≤ｘ≤０．４０）纳米合金样品中的微观结构进行了研究．结果表明，在所有合金样品中，都没有观察到明显的界面亚稳相的形成，且晶界具有有序的原子结构样品中两组元的等轴纳米晶粒分布均匀，但随着Ｃｕ含量的增加，Ｃｕ颗粒出现明显的偏聚和粗化；与稳定相相比，富Ａｇ和富Ｃｕ相的点阵常数没有发生显著的变化．