芦岭煤矿塌陷区土壤重金属污染特征研究

安徽皖北地区作为我国重要的煤炭工业基地,煤炭的大量开采不仅造成了地表塌陷、大气污染、水污染等,还对所在区域的土壤造成了污染。选择宿州东南典型的采煤塌陷区——芦岭煤矿塌陷区,采用野外调查与室内实验分析相结合的方法,对芦岭塌陷区土壤重金属Cr、Cu、Zn、Co、Pb、Ni的污染状况进行了分析,以了解皖北地区采煤塌陷区土壤的重金属污染情况,找出其中主要的污染元素,为当地的环境修复提供了科学依据。     

CCD多晶硅刻蚀技术研究

CCD晶硅刻蚀相比于传统CMOS工艺的多晶硅刻蚀需要多晶硅对氮化硅更高的刻蚀选择比,更长的过刻蚀时间.采用Cl2+He,Cl2+He+O2,Cl2+He+O2+HBr三种工艺气体组分在Lam4420机台进行了多晶硅刻蚀实验,研究了不同气体配比、不同射频功率对刻蚀速率、选择比、条宽、侧壁形貌等参数的影响.通过优化工艺参数,比较刻蚀结果,最终获得了适合于CCD多层多晶硅刻蚀的工艺条件.     

CCD热工艺过程的硅片翘曲优化研究

针对光刻线宽均匀性控制问题,研究了硅片翘曲度对光刻线宽均匀性的影响。采用翘曲度测试仪研究热工艺过程中硅片翘曲度的变化。研究结果表明,硅片翘曲度对线宽均匀性产生重要的影响,翘曲度大,则线宽均匀性降低。通过优化栅氧化工艺的升降温速率、进出炉速率,使硅片翘曲度降低,线宽非均匀性由±4%降低到±2%。     

高精密恒电流库仑滴定法测定苯甲酸纯度

高精密恒电流库仑法是国际上公认的基准测量方法,根据法拉第电解定律,通过质量、电阻、电动势、时间等基本物理量及法拉第常数来进行样品测定,直接溯源到国际单位SI,不需要用标准物质进行比对。采用高精密恒电流库仑法测定苯甲酸纯度,测定结果扩展不确定度:0.014%,实验证实该方法具有高准确性,测量精度<0.02%。     

家电网络技术的应用

近年来，家用电器等嵌入式设备的Internet网络化成就了目前网络发展的一个重要方向和必然结果。本文首先对嵌入式TCP/IP的特点进行了介绍，然后从嵌入式领域的角度对TCP/IP协议进行了较全面的分析。     

基于软件工程思想的数码防伪公共服务系统的设计与开发

针对通常数码防伪系统所存在的问题，结合软件工程的基本思想和方法，分析数码防伪公共服务系统的设计与开发过程．并利用风险管理的理论对试系统的开发过程进行控制和管理。新数码防伪系统能为各产品厂商或企业提供服务接口，提供多种查询方式，并可搜集、汇总并统计市场反馈信息。实践表明。将软件工程的思想方法与数码防伪公共服务系统的设计与实际开发相结合．降低了系统的开发难度，提高了系统的可靠性与可维护性．较好地满足了企业的信用防伪需求。     

CCD彩色滤光片的制备与集成技术研究

介绍了彩色CCD的器件结构和成像原理,采用彩色光刻胶光刻法实现了彩色滤光片的制备,并通过分析彩色滤光片缓冲层、滤光片厚度和固化工艺等对滤光片性能的影响,获得了彩色滤光片的片上集成技术,并将其集成在512×512帧转移CCD器件上,完成了性能评价与成像验证.测试结果表明:制备的彩色滤光片主线透过率大于80％,光谱串扰小于15％,色纯度大于75％,集成该滤光片的彩色CCD成像色彩空间与sRGB相当,能够满足大多数CCD相机彩色成像的要求.     

大面阵内线转移CCD二次金属铝刻蚀残留研究

分析了引起大面阵内线转移CCD直流短路的原因,确认了二次金属铝刻蚀残留是引起器件失效的主要原因.利用扫描电子显微镜技术,研究了刻蚀工艺参数对内线转移CCD二次金属铝刻蚀残留的影响.优化了预刻蚀、主刻蚀和过刻蚀三个阶段的工艺条件,消除了金属铝刻蚀残留.采用优化的工艺参数进行二次金属铝刻蚀,器件直流成品率提高了30％.     

基于XGBoost算法的复杂碳酸盐岩岩性测井识别

碳酸盐岩储层在形成过程中受到多种因素的影响，储层岩性复杂多样，基于测井资料对碳酸盐岩岩性识别具有重要意义。为了解决传统的测井岩性识别方法和机器学习方法对于复杂碳酸盐岩岩性识别准确率不高的问题，以廊固凹陷北部奥陶系碳酸盐岩为例，将XGBoost算法应用于复杂碳酸盐岩岩性识别，并将模型的性能与决策树C4.5算法和支持向量机算法进行对比。结果表明，采用的XGBoost算法的岩性识别模型对研究区碳酸盐岩岩性识别的准确率达到了88.18%，相较于决策树C4.5算法和支持向量机算法准确率均提高了10%左右，且由于XGBoost算法采用多线程和分布式计算的方法，使得训练时间大大缩短。基于XGBoost算法建立的岩性识别模型能够有效地识别复杂碳酸盐岩岩性，为复杂碳酸盐岩岩性的测井识别提供了新的思路。     

刻蚀小尺寸CCD接触孔工艺研究

采用CF4,CHF3,Ar三种工艺气体进行小尺寸CCD接触孔刻蚀实验,研究了不同气体配比、不同射频功率对刻蚀速率、选择比、条宽控制、侧壁形貌等参数的影响。通过优化工艺参数,比较刻蚀结果,最终获得了适合于刻蚀CCD小孔的工艺条件。