全文获取类型
收费全文 | 134篇 |
免费 | 6篇 |
国内免费 | 4篇 |
专业分类
电工技术 | 5篇 |
综合类 | 5篇 |
化学工业 | 26篇 |
金属工艺 | 11篇 |
机械仪表 | 10篇 |
建筑科学 | 14篇 |
矿业工程 | 2篇 |
能源动力 | 3篇 |
轻工业 | 8篇 |
石油天然气 | 2篇 |
武器工业 | 1篇 |
无线电 | 19篇 |
一般工业技术 | 10篇 |
冶金工业 | 5篇 |
自动化技术 | 23篇 |
出版年
2024年 | 1篇 |
2023年 | 2篇 |
2022年 | 3篇 |
2021年 | 9篇 |
2020年 | 6篇 |
2019年 | 9篇 |
2018年 | 3篇 |
2017年 | 5篇 |
2016年 | 3篇 |
2015年 | 3篇 |
2014年 | 16篇 |
2013年 | 7篇 |
2012年 | 7篇 |
2011年 | 12篇 |
2010年 | 6篇 |
2009年 | 3篇 |
2008年 | 4篇 |
2007年 | 3篇 |
2006年 | 3篇 |
2005年 | 9篇 |
2003年 | 3篇 |
2002年 | 1篇 |
2001年 | 4篇 |
2000年 | 2篇 |
1999年 | 1篇 |
1998年 | 9篇 |
1997年 | 3篇 |
1996年 | 1篇 |
1991年 | 1篇 |
1990年 | 1篇 |
1987年 | 1篇 |
1986年 | 2篇 |
1985年 | 1篇 |
排序方式: 共有144条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
实验研究了不同温度下SO2对二噁英(PCDD/Fs)从头合成的抑制特点,运用HSC Chemistry 6.1软件对主要无机化学反应过程进行模拟,探究了SO2的抑制机理。结果表明,SO2对PCDD/Fs总浓度和I-TEQ浓度的抑制效果随温度的升高而增强。PCDD/Fs总浓度和I-TEQ浓度抑制率从200℃不足20%分别提高到300℃时的75.6%和77.3%及400℃时的89.2%和80.5%;SO2的添加促进了PCDD/Fs尤其是PCDDs同系物分布的低氯代化。在从头合成的高温段和低温段,SO2分别侧重抑制PCDFs和PCDDs。相平衡计算和Gibbs自由能计算表明,SO2优先与催化剂CuCl2反应生成无催化活性的CuSO4,其次与氯源Cl2反应,最终实现PCDD/Fs的生成抑制。模拟结果对现有硫基抑制机理进行了验证和补充,对高效、廉价抑制剂的开发及工程使用具有重要意义。 相似文献
2.
椰油酰胺丙基甜菜碱的合成与表征 总被引:1,自引:0,他引:1
以椰油酸甲酯、N,N-二甲基-1,3-丙二胺、氯乙酸和NaOH为原料,KOH为催化剂合成椰油酰胺丙基甜菜碱。考察了N,N-二甲基-1,3-丙二胺与椰油酸甲酯的投料比、催化剂用量、反应温度和反应时间对主反应椰油酰胺丙基二甲胺合成的影响。结果表明,较佳工艺条件为:n(N,N-二甲基-1,3-丙二胺)∶n(椰油酸甲酯)=1.15∶1,w(催化剂)=3.0%,反应温度为210℃,反应时间为25 min,此条件下椰油酸甲酯的转化率达到99.70%。采用红外光谱、质谱和高效液相色谱对目标产物结构进行了确认。 相似文献
3.
工艺参数对钴基合金等离子熔覆残余应力的影响 总被引:2,自引:2,他引:0
目的 探究钴基合金等离子熔覆在不同工艺参数下残余应力的分布规律,选取最优工艺参数组合,以达到降低残余应力的目的。方法 设计正交试验,采用等离子熔覆技术制备9组不同工艺参数下单道钴基等离子熔覆样件,利用盲孔法对每个样件的熔覆起点、中间位置及终点位置的残余应力进行测量,分析工作电流、扫描速度、送粉速度等工艺参数对残余应力的影响规律。结果 工件表面残余应力主要以拉应力为主,其中间位置的残余应力最大。各个位置平行于扫描路径方向的残余应力均大于垂直于扫描路径方向的残余应力。当工作电流为92 A、扫描速度为100 mm/min、送粉速度为12 r/min时,所成形的样件残余应力最小。结论 工作电流对熔覆起点和终点平行于扫描路径方向的残余应力影响最为显著,其余各位置各方向上,影响最显著的因素为扫描速度。工作电流越大,残余应力越大;随着扫描速度的增大,残余应力不断变小;随着送粉速度的增大,残余应力有增大的趋势。选取合适的工艺参数组合能够有效地控制残余应力。 相似文献
4.
5.
从数据采集、运动状态识别及识别结果显示3个方面,设计基于Android的运动状态识别分析系统。在硬件电路方面,本系统使用MPU6050加速度传感器采集数据,并做预处理。在软件方面,运动状态识别算法在手机APP的后台实时处理数据。首先对接收的6组数据进行预处理,检测并统计识别步数;其次运动周期提取,计算挥拍次数及平均挥拍速度;然后对运动周期内的数据进行标准化处理,调用个人特征数据库进行运动识别,实现越用越准;最后将结果通过基于Android的手机APP界面进行显示。在系统测试中,能够计算出挥拍次数、平均挥拍速度、步数,同时能够识别出羽毛球、乒乓球两种运动模式和高远球、弧旋球等8种运动动作,识别率达到90%以上。 相似文献
6.
为了提高红外导引头的跟踪精度,降低导气管对导引头控制系统的影响,提出一种新型可变增益扰动观测器。首先,利用搭建的导引头实验系统研究了导气管干扰的扰动特性。然后,在分析导气管扰动的系统特性基础之上,结合经典扰动观测器理论,设计了新型可变增益扰动观测器,并分析了其鲁棒稳定性。最后,针对某实际红外导引头系统,设计了可变增益扰动观测器,并进行了导气管扰动抑制实验。结果表明:经典扰动观测器无法对导气管的扰动进行有效的抑制,而采用可变增益扰动观测器后,系统速度阶跃响应稳定精度提高71.1%;位置阶跃响应稳定精度提高42.8%。研究表明可变增益扰动观测器可以有效地抑制红外导引头中的导气管扰动。 相似文献
7.
核仪表系统(RPN)作为核电站的实时监测系统,需要三个量程的软件提供一系列的参数来作为判断基准,当测量到的这些参数超过设定阈值时,便会触发停堆或联锁信号。中间量程在整个装料和临界前的一系列试验过程中,都需要进行电流的测量和监测。通过对福清核电核仪表系统(RPN)中间量程饱和问题进行分析,能够更好的了解福清核电RPN系统的设计特点和先进性,从而达到对反应堆进行保护和控制的目的。并且从中了解到国外生产厂家RRCN在设计RPN系统软件时的一些设计思路和设计理念,从而为将来国产化RPN系统提供一些理论依据。 相似文献
8.
在触控产品的制作过程中,气泡线不良严重影响着产品的外观品质。本文从气泡线的产生机理入手进行研究,发现该不良是由贴附偏光片时传感器保护层有机膜段差处与偏光片之间残留气泡导致。本文从设计面、工艺面对气泡线的影响因子进行了研究,实验发现有机膜边界设计位置、有机膜厚度、偏光片贴附相关工艺以及偏光片中PSA厚度对气泡线不良影响显著。其中有机膜边界设计位置远离显示区,降低有机膜与偏光片交叠宽度,可以使脱泡时气泡更容易排出而改善气泡线不良;降低有机膜厚度,可以减少偏光片贴附时有机膜断差位置气泡积累而改善气泡线不良;偏光片贴附相关工艺中增加贴附压力、降低贴附速度、增加脱泡时间,可以减少气泡积累以及增加排出而改善气泡线不良;增加偏光片中PSA胶层的厚度,可以在偏光片贴附时获得更大的弹性及压入量,减少气泡的积累而改善气泡线不良。研究结果表明,以上改善方法均能有效降低气泡线的发生率,实际生产时可采用组合对策,避免气泡线不良的发生。 相似文献
9.
10.