DBC陶瓷基板表面覆铜的熔断电流模型研究

为了优化设计直接覆铜(Direct Bonded Copper，DBC)陶瓷基板的表面覆铜层尺寸，并评估覆铜层的极限电流能力，利用有限元仿真分析方法，研究了不同尺寸的DBC陶瓷基板表面覆铜达到熔点时的电流变化，建立了 DBC陶瓷基板表面覆铜的熔断电流模型，通过实际测试得到了3组不同DBC陶瓷基板表面覆铜的熔断电流，并与理论模型的计算值相比较，结果表明，理论模型与实测结果之间的误差在2％之内，模型求解的准确性和实用性得到了验证。     

一种新型原边反馈反激式数字控制LED驱动电源设计

设计了一种采用新型数字控制方法的原边反馈反激式LED恒流驱动电源。该电源电路运用拐点检测法测量副边电路放电时间,运用增量式PID算法调节恒流和功率因数,实现对电路的精确恒流控制和保持较高的功率因数。通过分析其控制原理,给出设计流程,最终基于FPGA实现控制,进行了样机设计和算法验证。实验结果表明所提出电路全工作范围内恒流精度达到6%,功率因数高于0.97,整机效率超过80%。本电路结构简单,控制精度高,具有较高的实用价值。     

一种应用于硅基OLED微显示驱动芯片的负压DC-DC变换器的设计

设计了一款应用于硅基OLED微显示驱动芯片的Cuk型DC-DC变换器,用于给硅基OLED的公共阴极提供负电压,输出电压范围为0~-4V,可以实现动态可调。Cuk变换器采用单周期和III型补偿的混合控制方式,使电路获得了良好的抗输入扰动性和负载调整率。该变换器使用0.35μm CMOS工艺模型进行设计,工作在2 MHz开关频率。仿真结果显示,在150mA负载跳变时,瞬态恢复时间为24μs,过冲电压为33.47 mV,同时负载调整率为0.003 mV/mA,输出电压的纹波小于5mV。     

pLEDMOS导通电阻及阈值电压的热载流子退化

研究了不同漂移区长度及不同栅场极板长度的厚栅氧化层pLEDMOS器件由热载流子效应导致的导通电阻及阈值电压的退化现象及机理.实验结果表明,增加漂移区长度能改善器件的导通电阻的退化,但加速了阈值电压的退化;增加栅场极板长度可以同时改善导通电阻和阈值电压的退化.借助TCAD仿真软件,模拟分析了不同漂移区长度及不同栅场极板长度的pLEDMOS器件的离子产生率和纵向电场,模拟结果解释了各种退化现象的机理,同时表明碰撞电离率和纵向电场的优化是改善器件参数退化的有效手段.     

A sub-circuit MOSFET model with a wide temperature range including cryogenic temperature

A sub-circuit SPICE model of a MOSFET for low temperature operation is presented.Two resistors are introduced for the freeze-out effect,and the explicit behavioral models are developed for them.The model can be used in a wide temperature range covering both cryogenic temperature and regular temperatures.     

一种测试功率MOSFET热阻的新方法

阐述了一种测试功率MOSFET热阻的新方法。该方法选取漏源电流作为温度敏感参数,在相同漏源电压和栅源电压幅度下,当栅源电压条件由直流形式变为脉冲形式时,漏源电流是有差异的,这一差异是由结温的不同造成的。而脉冲栅源电压下环境温度的调整可以用来模拟直流条件下的结温,由此可以测得器件在直流条件下的热阻。该方法具有精度高、实现容易和操作方便等优点,可作为功率MOS器件结温和热阻的有效测试方法。     

一种用于功率IC的新型SPICE宏模型

基于规范化分段线性模型技术,建立了高压DMOS器件的SPICE宏模型用于功率集成电路的仿真.从等效电路模型出发,利用Powell算法找到规范化分段线性模型的最佳系数,从而利用节点电压可以直接描述DMOS器件的各种非线性特性.该模型不仅准确性高,而且仿真速度快、收敛性好.最后,给出了仿真与测试的对比结果,证明了模型的有效性和准确性.     

一种含负压输出的多路PDP电源设计

本论文研究了一种含负压的多路输出电源,用于PDP显示器Y电极驱动电路中.该电源按照Y电极驱动的不同条件要求,利用反激式结构,采用主从形式,通过耦合在变压器中的不同匝比,实现三路不同输出.同时论文中还对单端反激式电源的工作原理及负压产生电路进行详细分析,研究了主输出回路对从输出回路的影响,并且通过相关测试进行验证.     

一种高精度低温漂的基准电压源的分析与设计

设计了一种CMOS基准电压源结构,具有高精度、低温漂的特点。它利用带隙基准的基本原理,结合自偏置结构以及适当的启动电路,获得了相对稳定的电压值以及较好的温度系数。此基准结构已经在标准的0.6μmCMOS工艺线上进行了流水,实测结果表明基准电压源的输出中心值为1.209V,温度从0℃变化到100℃,温度系数为66ppm/℃,同时,供电源从2V变化到6V,基准电压值的变化约为2mV。这种基准结构已经成功应用在CMOSDC/DC转换器中,并取得了良好的应用效果。     

500V体硅N-LDMOS器件的研究

借助半导体工艺模拟软件Tsuprem4和Medici,对耐压500 V的体硅N-LDMOS器件进行详细模拟.在模拟过程中,综合考虑了内场限环和场极板技术来弱化表面栅场板边缘和漏端的峰值电场,分析了场限环的长度,注入剂量等参数对耐压的影响.优化后该器件表面电场分布良好,通过Ⅰ-Ⅴ曲线可知,关态和开态耐压均超过500 V,开启电压在1.65 V左右,可以很好应用于各种高压功率集成芯片,具有很好的发展前景.