高强混凝土泵送压力损失计算方法的比较研究

基于高强混凝土泵送盘管试验,实测了盘管试验中C60混凝土的泵送压力损失,同时采用国内外混凝土泵送压力损失计算的相关规程方法,计算出了C60混凝土在盘管试验条件下泵送压力损失值,将其与试验结果进行对比,发现现阶段计算泵送混凝土压力损失的相关规程方法存在的不足,在此基础上给出了修改建议,为高强混凝土泵送压力损失计算方法的修订提供了参考。     

GaAs／GaAlAs中红外量子阱探测器和双色量子阱红外探测器

本文报道我们在国内率先研制的ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ中红外（３～５μｍ）量子阱探测器和双色量子阱红外探测器的制备和性能．ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ中红外量子阱探测器是光伏型，探测峰值波长为５．３μｍ，８５Ｋ下的５００Ｋ黑体探测率为３e９ｃｍ·Ｈｚ１／２／Ｗ，峰值探测率达到５×１０１１ｃｍ·Ｈｚ１／２／Ｗ，阻抗为５０ＭΩ．ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ双色量子阱红外探测器是偏压控制型的两端器件，在零偏压下该探测器仅在３～５μｍ波段有响应，响应峰值波长为５．３μｍ，８５Ｋ温度下５００Ｋ黑体探测率为３e９ｃｍ     

电炉煤氧喷吹工艺的改进

简要介绍了唐山钢铁公司电炉煤氧喷吹工艺改进的做法，生产表明，改进后的工艺使煤氧喷吹率达到８１．５％，冶炼电耗降到５２２ｋＷｈ／ｔ，而且还稳定了操作。     

GaAs中碳的红外吸收及其室温浓度测量

研究了GaAs中杂质碳所引起的局域模振动(LVM)吸收的温度依赖关系,观测到了LVM吸收带线形、频率位置、吸收强度等的变化.在室温下红外吸收带发生温度展宽,精细结构消失,但劳仑兹线形的吸收带半宽仍很窄,仅约 1cm~(-1),基本上决定于Ga的“同位素最近邻效应”.由此得到了室温下测量GaAs中碳杂质浓度的方法.此外,对一系列在不同条件下生长的 LEC GaAs样品中碳浓度进行了测量和讨论.     

与GaAs中EL2能级有关的局域振动中心的模型计算

本文试图对与EL_2中心有关的局域模振动的一个最新测量结果给予解释,认为一个填隙的(或偏心代位的)氧原子可能是产生这些局域模振动的原因.设计了一个简单的模型.并在双心键理论的基础上,进一步考虑了晶格弛豫,对模型进行了估算,发现产生所观察的局域模振动是完全可能的.这个分析强烈暗示氧与所观测样品中EL2中心的关系.     

GaAs中碳局域模振动红外吸收的温度依赖关系

砷化镓中C_(As)在582cm~(-1)处的局域振动模(LVM)吸收带于低温下存在精细结构,利用其中同位素效应产生的分裂谱线很锐(25K时半高宽小于0.1cm~(-1))的特点,研究了吸收谱线的频率和半高宽以及整个吸收带的积分吸收随温度的变化关系.在GaAs中,C_(As)LVM与晶格带模振动之间的非简谐耦合虽然比离子性较强的晶体中要弱,但在温度变化引起谱线发生频移和半高宽变化时,非简谐效应起了重要的作用.在一些P型和高阻样品中,C_(As)LVM吸收带的积分吸收在低温下随温度降低而反常减小,可用带负电荷的C_(As)受主中心浓度随温度降低而减少来解释,由此获得C_(As)受主消电离情况的信息.     

电弧炉利用转炉钢渣造渣的试验

本文介绍了转炉钢渣在电炉熔氧前期替代石灰造渣的理论分析及试验研究结果。认为转炉钢渣造渣不仅可以完成脱磷、脱碳的冶金效果,还可以回收金属,提高资源利用率。经济效益,社会效益显著。     

用失配的样品参比法测定硅中氧和碳的含量

本文提出了一种测定硅中氧和碳含量的新方法,即厚度失配的样品参比法。我们引入了有效晶格吸收系数α_L~*,导出了采用基线法计算α_L~*和杂质吸收系数α_i的统一公式。我们得到1106cm~(-1)和605cm~(-1)处的α_L~*的值分别为0.55cm~(-1)和5.6cm~(-1)。将本方法测得的氧碳含量同标准的匹配样品参比法结果比较,误差通常小于10％。最后,对本方法的误差来源进行了讨论。     

P型LEC-GaAs中双重受主态的研究

在富镓的未掺杂P型LEC-GaAs锭条的头部和尾部样品中,低温下(T≤40K)在低频区和高频区分别观察到两组红外吸收峰.在原生长的 LEC-GaAs 中所观察到的高频区红外吸收,经鉴定与在掺硅或中子辐照处理过的LEC-GaAs中所观测到的、电离能为200meV的受主吸收是一致的.除了从基态到2p_(5/2)(Γ_3)和2p_(5/2)(Γ_7)激发态电子跃迁所相应的吸收外,还观察到了可能与从基态到3p_(3/2)态跃迁相应的吸收峰.4K的光致发光光谱和变温霍尔测量,进一步证实了在未掺杂P型LEC-GaAs锭条中,从头部到尾部都存在电离能为78meV和200meV的双重受主,其浓度沿晶体生长方向(从头到尾)增大.实验结果进一步支持了双重受主是Ga_(As)反位缺陷所产生的看法.     

GaAs/GaAlAs量子阱双色红外探测器的光电性质的研究

本文综述了有关新型的GaAs／AlGaAs体系双色量子阱红外探测器的结构特性和光电特性的研究工作．双色探测器工作在3～5μm及8～12μm大气窗口波段范围，是光伏响应模式和光导响应模式相结合的偏压控制型两端器件．研究内容包括探测器的器件结构特性、红外光吸收特性、红外光电流响应、暗电流、噪声特性和探测率测试分析等等．首次从理论和实验两方面探讨有关量子阱束缚子能带到扩展态中不同虚能组之间的光跃迁问题及光电子输运问题．