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提出了一种用限定室进行AlGaAs和GaAs开管Zn扩散的新方法。在700℃下,把Zn在GaAs和Al_xGa_(1-x)As (0.1≤x≤0.5)的扩散深度和质量与闭管扩散结果作了比较。发现这种新工艺能很好的控制扩散深度,并可作浅结扩散。比电阻率及表面载流子浓度用范德堡(Van der Pauw)法测量。扩散质量受所选用的溶剂金属的影响。讨论了几种溶剂金属的一些变化。可用这种工艺改进单片集成光学器件的欧姆接触。 相似文献
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在355～455℃的密封安瓿中,对利用Zn和Sb元素在n-型InSb中扩散Zn进行了系统的研究。把数据整理成扩散源中Sb与Zn的克分子比N_(Sb)/N_(Zn)的函数,就能清楚地了解扩散特性。如果Zn源足够,当N_(Sb)/N_(Zn)≤0.5或N_(Sb)/N_(Zn)≥5时,扩散深度是一个常数,而与装入安瓿的Zn或/和Sb源的总量无关。当N_(Sb)/N_(Zn)≥5,可以重复地获得高度平整的扩散前沿及高质量的p-型层。但是,当N_(Sb)/N_(Zn)≤0.5时,就只能得到一个很粗糙的扩散前沿和有许多损伤的p-型层。用上述结果,制备了3～5μm的InSb8元光伏探测器列阵。 相似文献
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本文简要介绍用箱法扩散成结,蒸发SiO_2钝化表面和金属化层作欧姆接触,热压焊等类似Si集成电路工艺研制的InSb多元红外探测器的情况,获得了高阻抗、无串扰的线列器件。并就工艺对串扰和均匀性的影响进行讨论。 相似文献
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用一种新掩模来描划衬底上光电探测器元件的光电探测器本体及粘合层的轮廓,在本体及粘合层上的掩模的小孔限定与衬底平面构成的尖角。沿这个角度进行空气磨蚀,除去光电探测器本体及粘合层的无用部分,留下部份作金属互连所需的轮廓。 相似文献
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