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1.
2.
设计了一款应用于硅基OLED微显示驱动芯片的Cuk型DC-DC变换器,用于给硅基OLED的公共阴极提供负电压,输出电压范围为0~-4V,可以实现动态可调。Cuk变换器采用单周期和III型补偿的混合控制方式,使电路获得了良好的抗输入扰动性和负载调整率。该变换器使用0.35μm CMOS工艺模型进行设计,工作在2 MHz开关频率。仿真结果显示,在150mA负载跳变时,瞬态恢复时间为24μs,过冲电压为33.47 mV,同时负载调整率为0.003 mV/mA,输出电压的纹波小于5mV。  相似文献   
3.
提出了一种新型底电极结构,使用铝钼双层薄膜作为顶发射有机发光二极管的底电极。同时分别从底电极结构、顶电极结构、空穴注入以及出射光谱等方面对器件性能进行分析和优化,最终得到的器件电流效率达到6Cd/A以上,比优化前的器件效率提高了5倍以上,加强了对TEOLED器件的性能影响因素的理解。同时也比Mo作为底电极时的器件性能实现了提高,展示了此电极结构在顶发射OLED中的应用潜力,为下一步在硅基OLED显示器件中的应用打下基础。  相似文献   
4.
以等离子显示驱动为例,详细分析了功率驱动芯片在高速开关状态下所引起的电源振荡机理。考虑板级与芯片中驱动器件的主要寄生参数,建立了振荡电路的数学分析模型,基于所建模型,重点研究了环路电阻、芯片寄生电感和负载电容对振荡的影响,提出了减小电源振荡的优化方法,并得到了试验验证。  相似文献   
5.
采用尿素─SDS─PAGE不连续缓冲系统凝胶进行电泳,对分子量为0.25~2.0KD范围内的多肽或蛋白质进行分子量测定,结果令人满意,测得Nisin的分子量为3500KD和14000KD。  相似文献   
6.
高可靠电阻式触摸屏的研制   总被引:4,自引:0,他引:4  
用高温烧结工艺制作的高可靠五线电阻式触摸屏,因ITO方阻更均匀、电极电阻更稳定,而具有更高的线性度和可靠性,可实现在较宽的温度范围内长期工作无漂移.介绍了这种新型五线触摸屏的主要工艺流程、技术难题、关键技术和产品优点.  相似文献   
7.
以水为溶剂,采用热凝絮法分别研究水浴温度、水浴时间、苜蓿切碎长度、料液比、打浆时间、离心转速和离心时间对叶蛋白提取效果的影响;在单因素试验的基础上,采用7因素2水平正交试验对苜蓿叶蛋白提取工艺进行优化,试验结果表明,打浆时间、水浴时间、打浆的料液比、苜蓿切碎长度、水浴温度是影响苜蓿叶蛋白得率和蛋白质提取率的主要因素.其最佳提取工艺参数是:打浆时间5 min,水浴时间为12 min,打浆时料液比为1:5,苜蓿切长为1 cm,水浴温度为80℃,离心时间10 min,离心转速为3 000 r/min.该研究旨在探索苜蓿叶蛋白提取工艺参数优化试验,为大规模生产苜蓿叶蛋白提供参考.  相似文献   
8.
为了解决低温下对液晶屏的加热不均匀现象,保证液晶屏的低温显示效果,分析了产生加热不均匀现象的原因,提出了一种加热补偿方法。采用导热薄膜+透明加热电极+绝缘膜的补偿模式,以及针对不同器件的多种安装方式。某型号显示器试验结果表明采取了加热补偿方法的液晶显示器温差均匀性低于10度,显示均匀性良好。经过多次试验及批量生产实践表明,该技术可以较好的解决低温加热不均匀问题。  相似文献   
9.
设计了一款分辨率为1280×1024的TFT-LCD数字像源。利用专门的单色TFT-LCD, 采用高亮度绿色LED作为背光, 设计了基于可编程逻辑器件FPGA控制驱动系统的数字像源, 实现了DVI视频输入显示、Gamma校正、宽范围调亮和液晶屏低温自动加热功能, 最高亮度为30000 cd/m2, 最低亮度小于0.2 cd/m2, 调亮级数超过60000级, 工作温度范围-45°C~+60°C。  相似文献   
10.
A high switching frequency voltage-mode buck converter with fast voltage-tracking speed and wide output voltage range has been proposed. A novel error amplifier (EA) is presented to achieve a high DC gain and get high phase margin, including a resistor and capacitor net, a unit gain block and a high gain block. The investigated converter has been fabricated with GF 0.35 μm CMOS process and can operate at 6 MHz with the output voltage range from 0.6 to 3.4 V. The experimental results show that the voltage-tracking speed can achieve 8.8 μs/V for up-tracking and 6 μs/V for down-tracking. Besides, the recovery time is less than 8 μs while the load current suddenly changes 400 mA.  相似文献   
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