两相溶液法外延生长InGaAsP/InP系材料

本文主要描述了两相溶液法外延生长InGaAsP/InP系材料的实验方法及其结果。并给出了用该方法生长的InGaAsP/InP材料制作的1.3μm和1.5μm p-n结隔离条形激光器的参数特性。实验证明用两相溶液法外延生长InGaAsP/InP材料(特别对发射波长在1.5μm以上的InGaAsP/InP材料)具有组分均匀和重复性好等优点。     

开管Zn扩散

本文概述了扩散工艺在半导体光发射器件制作中的作用,进而说明器件批量生产更适宜采用开管扩散工艺手段。最后列举了开管Zn扩散应用于红外发光管制作的成功实验。