首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   4篇
  免费   0篇
  国内免费   1篇
化学工业   1篇
无线电   3篇
一般工业技术   1篇
  2018年   1篇
  2016年   1篇
  2013年   2篇
  2012年   1篇
排序方式: 共有5条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1
1.
以Zn、Cd和S、Se、Te组成的二元化合物及多元合金为研究对象,从基本性质、体材料和薄膜材料的生长方法、掺杂、退火等几个方面入手,介绍了Ⅱ-Ⅵ族晶体材料的研究进展。对比了不同生长方法的生长机理差异及其对产品尺寸、纯度、缺陷和性能的影响,对影响产品性能和质量的关键因素如生长参数、生长设备、衬底等方面进行了阐述,为实现Ⅱ-Ⅵ族晶体材料的生长优化提供了参考。  相似文献   
2.
Lead poisoning is a serious environmental concern, which is a health threat. Existing technologies always have some drawbacks, which restrict their application ranges, such as real time monitoring. To solve this problem, glutathione was functionalized on the Au-coated gate area of the pseudomorphic high electron mobility transistor (pHEMT) to detect trace amounts of Pb2+. The positive charge of lead ions will cause a positive potential on the Au gate of the pHEMT sensor, which will increase the current between the source and the drain. The response range for Pb2+ detection has been determined in the concentrations from 0.1 pmol/L to 10 pmol/L. To our knowledge, this is currently the best result for detecting lead ions.  相似文献   
3.
研究了在GaAs(001)衬底上外延生长的本征ZnTe薄膜样品在氮气氛中450~550℃下的快速退火行为。对于1 min退火的样品,随着退火温度的升高,ZnTe(004)峰双晶X射线(DCXRD)摇摆曲线的半高宽(FWHM)逐渐下降;样品表面粗糙度均方根值(RMS)由退火前的5.3 nm下降至4.7 nm左右。对于450℃退火5 min的样品,其晶体质量与550℃退火1 min的样品相当,但RMS值下降到4.26 nm。ZnTe薄膜表面的In电极之间在未退火时呈高阻状态,在适当条件下退火后In电极之间可以导通,且随着退火温度的降低,所需的退火时间将延长。但550℃退火时In电极的外观形貌发生改变且不能导通。  相似文献   
4.
Ⅱ-Ⅵ族材料ZnSe、CASe、ZnTe、CdTe等具有禁带宽度大,少子寿命对位错不敏感等优点,可以作为一种新的材料体系应用于叠层太阳能电池中.此类材料既能够与铜铟镓硒电池、Ⅲ-V族材料、单晶Si等相结合,也可将不同的Ⅱ-Ⅵ族材料相结合制备多结电池.本文介绍了上述几种思路的理论及实验研究现状,以及 Ⅱ-Ⅵ族材料顶电池的研究进展;同时分析了阻碍Ⅱ-Ⅵ族半导体材料应用的单极性掺杂问题,介绍了提高掺杂水平可能的途径.  相似文献   
5.
利用分子束外延(MBE)技术,以5N的ZnCl2作为掺杂源,在半绝缘GaAs (001)衬底上异质外延生长ZnSe:Cl单晶薄膜.研究发现,掺入ZnCl2后,ZnSe外延层的结晶质量和表面形貌与本征ZnSe外延层相比变差,双晶X射线摇摆曲线(DCXRC)的ZnSe (004)衍射峰半峰宽(FWHM)从432 arcsec增大到529 arcsec,表面均方根粗糙度(RMS)从3.00 nm增大到3.70nm.当ZnCl2掺杂源炉的温度为170℃时,ZnSe样品的载流子浓度达到1.238×1019 cm-3,可以满足结型器件制作和隧道结材料设计的要求.  相似文献   
1
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号