高层建筑施工沉陷观测技术方法

介绍了高层建筑施工沉降观测技术的管理经验,指出了实施沉降观测的重要性和必要性。     

一种高压4H-SiC二极管改进场限环结终端结构

设计了一种用于3.3 kV4H-SiC肖特基二极管的场限环(FLR)结终端保护结构。该结终端保护结构是通过在高能离子注入形成二极管p+有源区的同时在结边缘形成多个不同间距的p+场限环来实现的,以避免多次离子注入。借助半导体数值仿真软件Silvaco,对制备二极管所用的4H-SiC材料外延层耐压特性进行了仿真验证;对场限环的环间距和场限环宽度进行了优化,形成由34个宽度5μm的场限环构成的场限环结终端结构。以此为基础,采用4英寸(1英寸=2.54 cm)n型4H-SiC外延片成功制备了3.3 kV4H-SiC二极管器件。简述了制备工艺流程,给出了部分关键工艺参数。对二极管芯片进行了在片测试和分析,反向漏电流密度1 mA/cm2时的击穿电压约为3.9 kV,且70%以上的二极管耐压可达到3.6 kV以上,验证了这一场限环结终端的可行性。     

TEOS LPCVD技术在SiC功率器件工艺中的应用

应用正硅酸乙酯(TEOS)LPCVD技术实现二氧化硅在SiC晶片表面的淀积,在一定程度上弥补了SiC氧化层过薄和PECVD二氧化硅层过于疏松的弊端。采用TEOS LPCVD技术与高温氧化技术的合理运用,既保证了氧化层介质的致密性和与SiC晶片的粘附能力,又提高了器件的电性能和成品率,同时避免了为获得一定厚度氧化层长时间高温氧化的不足。采用此技术后,SiC芯片的直流成品率得到提高,微波功率器件的对比流片结果显示微波性能也得到了明显的提升,功率增益比原工艺提高了1.5 dB左右,功率附加效率提升了近10%。     

TMS320C6x系列DSP程序性能优化方法研究

基于TMS320C6x系列处理器,对几种常用的DSP程序性能优化方法进行了详细讨论,并以1024点快速傅里叶变换(FFT)为例,对这几种优化方法的有效性进行了验证.     

建筑给水排水设计标准的应用分析

随着我国经济体制改革的不断发展完善,技术水平的不断提升,我国的建筑行业也得到了迅猛的发展。为了适应社会不断提高的对建筑产品质量和规格的要求,近年来,建筑行业不断探索新技术,加强新工艺的引进,并在此基础上进行自主研发和技术革新,新研发的设备和技术已经应用到了各个领域。现如今,建筑给水排水工程的重要性日益凸显,在整个建筑建设的过程中起着举足轻重的作用。本文通过介绍建筑给水排水设计的标准,进一步阐述对其的应用和分析,从而保证我国建筑行业的整体发展。     

MSP430单片机在微型低功耗数据广播接收机中的应用

本文给出MSP430单片机在微型低功耗CPFSK调频多工数据广播接收机中的应用实例,并重点分析了用MSP430实现位同步和帧同步的方法,以及采用的序列去扰、卷积交织、RS纠错码等技术。     

用单片机配置CPLD器件

介绍了ALTERA公司的可编程逻辑器件的上电配置方式,着重介绍了采用MSP430F1121单片机和串行EEPROM组成的配置板的设计方法.并对多电压配置和加快配置速度的方法进行了讨论.     

4H-SiC中点缺陷的第一性原理研究

基于密度泛函理论和第一性原理,对4H-SiC晶格中5种点缺陷(VC,VC-C,填隙B,替位B和替位P)的晶格常数、电荷布居、能带等微观电子结构进行了计算,并从缺陷形成能、杂质电离能和载流子浓度等角度分析了这些点缺陷对材料性能的影响.计算结果表明:在这些点缺陷中,C空位的形成能最低,仅为5.929 1 eV,属于比较容易形成的一类点缺陷.同时在能带图中可以看到填隙B的禁带中央附近出现了一条新能带,这条新能带的产生促使填隙B成为5种缺陷中禁带宽度最小的缺陷,有利于SiC半导体器件中载流子的输运.在3种杂质点缺陷中,替位P的电离能最小.掺杂杂质电离能越小,电离程度越深,产生的载流子浓度也越大,这一结论在载流子浓度的计算结果中也得到了验证.     

QuEChERS提取与气相色谱-电子捕获检测器串联测定茶叶中12种农药残留

建立了Qu ECh ERS提取与气相色谱-电子捕获检测器串联测定茶叶中12种农药残留的方法。试样经一种Qu EChERS方法进行前处理,经GC-ECD检测,基质外标法定量。当农药的添加级别范围在0.05~0.5 mg/kg时,平均回收率为71.6%~109.0%,相对标准偏差(RSDs)为0.29%~11.21%;线性范围为0.05~1μg/m L,最低检出量(LODs)为0.5×10~(-12)~26.1×10~(-12)g,最低检出浓度(LOQs)为0.006~0.05 mg/kg。该方法的准确度、精密度和灵敏度均达到了农药残留检测的要求,可以检测随机在市场上买来的茶叶中多种农药残留情况。