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1.
针对LSCCMA在干扰信号来波方向上不能形成明显零限的局限性,以及需要避开强干扰来波信号的应用场合,提出基于干扰信号导向矢量算法(LICCMA),该算法在常规CMA的基本条件上增加了干扰零陷的约束条件,以干扰信号零陷为目标进行算法优化设计.与LSCCMA相比,LICCMA在干扰信号强于期望信号的环境,在干扰信号来波方向上形成明显的零陷,提高了信号的信干比.  相似文献   
2.
介绍了用正硅酸乙酯和水混合物进行等离子体增强化学汽相淀积制备氧化硅膜的原理和工艺, 对膜质量进行了分析和讨论  相似文献   
3.
制作了离子注入MOS晶体管,测量了诸如阈值电压、有效迁移率等电学性质。发现在注入硼离子(~(11)B~ )的p型沟道的情况下,阈值电压V_T随注入剂量的变化呈线性关系。其变量△V_T完全由进入硅中的净剂量决定。另一方面,在注入硼离子的n型沟道的情况下,阈值电压变量△V_T随剂量呈亚线性变化,并且表现出对剂量分布的强烈依赖关系。剂量分布随注入能量和退火时间的改变而变化。根据最大表面耗尽层X_(dmax)随注入剂量的增加而迅速地减小这一事实,能够解释这些结果。把非均匀注入分布造成的阈值电压变化的计算值与观测结果进行了比较,两者相符甚好。注入硼离子的p型和n型沟道MOS晶体管的有效迁移率μ_(eff)也表现出对剂量的不同依赖关系。在低剂量范围内,注入硼离子的p型沟道MOSFET的有效迁移率几乎保持不变,但对于n型沟道,有效迁移率却随剂量的增加而单调下降。本文还给出了考虑到表面散射和杂质散射作用的定性解释和近似计算。  相似文献   
4.
SET不需要精确的光刻工艺和金属化技术就可以获得良好的性能。在SET结构中使用砷掺杂多晶硅作为发射极电极部分。这种电极被作成倒置梯形。利用两层多晶硅之间腐蚀速度的不同来形成这种倒置梯形结构。离子注入后用化学腐蚀方法开出基板接触窗口。发射极扩散层和基极接触之间的间距为0.4微米或更小。 |S_(21)~(ei)|的截止频率约为8.4千兆赫,比相同发射极尺寸的通常的平面晶体管的截止频率高2千兆赫。集成的SET的上升时间为150微微秒。  相似文献   
5.
本文介绍用2.0兆电子伏的He~ 离子反向散射测量技术来测定能量为150~300千电子伏的锌、镓、砷、硒、镉、碲离子注入到SiO_2、Si_3N_4和Al_2O_3中的射程分布。测得的投影射程均比LSS理论计算值大至1.2—1.5倍。用归-化的LSS单位,在实验误差之内,投影射程ρ_p和能量ε之间的关系可以写为ρ_p=2.7ε。这个关系式对于算术平均原子序数为10和算术平均原子质量为20的离子都适用于上述三种靶。  相似文献   
6.
这里介绍的磨角法具有操作容易实用方便和不易碎片等优点.尤其是用来在薄的芯片上作特定部位的磨角显示更为方便.我们在对集成电路的芯片作纵向参数的解剖与分折时,曾用此法方便地在不到4mm~2厚度为200~300μ的芯片上选了7、8个特定部位作磨角显示,效果良好.下面对这一方法和原理作简单介绍.1.方法与步骤:①将2mm厚的制版玻璃边角料,划成30×100mm的方块和30×7mm的窄条.②用蜡将玻璃窄条粘在长方形玻璃板上,如图a所示.样品的结较深时可粘在位置  相似文献   
7.
利用电容法、剥离法和二次离子质谱(SIMS)技术测出了在发射极砷扩散之前注入基区的硼的分布。与没有砷的具有类似工艺过程的器件相比较表明:这些杂质之间的相互作用的最终效果是使总的基区杂质浓度在接近发射极边缘有一个过份的下降。这个结果与考虑到离子配对、场效应和局部空位欠饱和的Fair计算的分布比较一致。  相似文献   
8.
祝俊  王军  林文长  唐斌 《电讯技术》2013,53(3):269-273
当干扰信号强度不小于期望信号时,常规恒模算法(CMA)会错误跟踪到干扰信号;期望信号导向矢量线性约束恒模算法(LSCCMA)通过对期望信号来波方向约束,可正确跟踪到期望信号,但是算法在干扰信号来波方向上不能形成明显的零陷。为此,提出了基于干扰约束的恒模算法(LIC-CMBTA)。理论分析和仿真结果证明,该算法不仅可以正确跟踪到期望信号,并且可实现在多个强干扰信号来波方向上形成深度可调的干扰零陷,从而提高了常规恒模算法波束跟踪的稳健性。  相似文献   
9.
对经典扩频信号信噪比(SNR)估计算法进行分析,提出了一种新的适用于扩频通信系统中频扩频信号信噪比估计算法。该算法在时域估计信号总功率,频域估计噪声功率,时频结合估计出中频扩频信号SNR。在加性高斯白噪声(AWGN)信道下,Matlab仿真结果表明该算法估计精度高,估计范围广及估计下限低。  相似文献   
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