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1.
本文研究了在Si(111)衬底上生长GaN外延层的方法。相比于直接在AlN缓冲层上生长GaN外延层,引入GaN过渡层显著地提高了外延层的晶体质量并降低了外延层的裂纹密度。使用X射线双晶衍射仪、光学显微镜以及在位监测曲线分析了GaN过渡层对外延层的晶体质量以及裂纹密度的影响。实验发现,直接在AlN缓冲层上生长外延层,晶体质量较差, X射线(0002)面半高宽最优值为0.686°,引入GaN过渡层后,通过调整生长条件,控制岛的长大与合并的过程,从而控制三维生长到二维生长过渡的过程,外延层的晶体质量明显提高, (0002)面半高宽降低为0.206°,并且裂纹明显减少。研究结果证明,通过生长合适厚度的GaN过渡层,可以得到高质量、无裂纹的GaN外延层。 相似文献
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The photocurrent (PC) spectroscopy of the GaAs/AlAs and GaAs/ AlGaAs superlattices (SLs) are studied by using a P-i-N photodiode structure in which the intrinsic regions are composed of SLs. The measurements were made at different temperatures ranging from 15K to 300K and with the application of transverse dc electric field. A sequence of exciton absorption peaks were observed and assigned according to the theoretical predictions based on the Kronig-Penney model calculations of sublevel energies in the coupled multiple quantum wells (MQWs). The SL structure parameters were checked by both the absolute peak positions and the heavy and light hole splittings. The quantum confined Stark effect of excitonic transitions in MQWs which is closely dependent on the barrier and well layer thicknesses was studied. The assignment of some forbidden transitions was proved by different ways. The PC spectroscopy was also measured by the excitation of linear polarized light in a side illumination mode.The anisotropic effect showed distinct features related to heavy and light holes, respectively. 相似文献
6.
The two-dimensional electron gas concentration dependence of photore-flectance of n-AlGaAs/GaAs heterostructures is reported and explained by analysing the physical process induced by photo-modulation. Comparison of the experimental results and energy level calculations based on a triangular potential well approximation shows good agreement. 相似文献
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在室温和液氮温度下对不同层厚的GaAs/AlAs短周期超晶格在0—50kbar范围内进行了静压光致发光研究。在导带最低能级为类Γ态能级(Ⅰ类超晶格)和类X态能级(Ⅱ类超晶格)两种情况下都得到了类Γ态能级与类X态能级差随层厚的变化。首次直接观察到室温、常压下(GaAs)_(11)(AlAs)_(11)超晶格中类Γ态能级与类X态能级发生交叉。从发光峰的强度随压力的变化求得室温下在类Γ态能级与类X态能级恰好交叉的压力下类X态电子和类Γ态电子到价带空穴的跃迁几率之比从(GaAs)_(17)(AlAs)_(17)的1.4×10~(-4)逐渐增加到(GaAs)_6(AlAs)_6的4.6×10~(-3)。表明类Γ态和类X态间的混合较弱。对实验结果进行了简短的讨论。 相似文献
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加入WTO标志着我国改革开放、经济建设和社会发展进入了一个新的历史阶段,必然对我国无线电事业发展,尤其是对无线电管理法制建设产生重大影响。如何正确应对新形势下的机遇和挑战,是无线电管理法制工作的一大课题。加入WTO后,我国无线电管理法制建设的有利因素1.事业发展获得新动力我国无线电管理法制建设是伴随着无线电事业的发展而发展。由于种种原因,在相当长的历史过程中,我国无线电事业发展比较缓慢,无线电管理缺乏法律手段。建国后的30年间,国家虽然颁布了一些无线电管理政策性文件,但没有一部权威性的无线电管理法律、法规,也谈… 相似文献
9.
报道了GaAs-AIAs多量子阱(MQW)结构的室温光调制反射(PR)光谱。与2K下光荧光激发谱的对比表明室温下激子作用的重要性。讨论了GaAs-AlAsMQW结构的PR调制机制,指出它仍可能是表面电场调制,但不同于体材料的情形,而是具有一阶微商本质,并且在弱场条件下以量子化子带及相应激子带隙的斯塔克移动的调制为主。 相似文献
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本文报道我们率先研制出的3~5.3μmInxGa1-xAs/AlyGa1-yAs/AlzGa1-zAs非对称台阶量子阱红外探测器的制备和性能.该探测器具有光伏特征,77K温度、±7V外偏压下的500K黑体探测率达到约1.0×1010cm·Hz1/2/W,并且,与1→2子带间跃迁相对应的光电流峰值响应波长可随外偏压在中红外(3~5.3μm)波段作适当调谐.运用平面波展开法,依据样品的阱、垒结构参数,计算了InxGa1-xAs/AlyGa1-yAs/AlzGa1-zAs非对称台阶量子阱1→2子带间跃迁的Sta 相似文献