双折射调谐片的等色图设计方法

一束光振动在入射面内的线偏光以布氏角通过单轴晶体的平行平板时,出射面上光的偏振状态由o、e两光的程差所决定,程差为波长整数倍的那些光波出射后仍为光振动在入射面内的线偏光,即部分量透过率极大。晶片绕其表面法线转动时,部分量透过极大的波长值随之改变,因而可用于激光器的调谐。双折射调谐片中光轴相对表面取向目前一般为18°和25°两种。本文提出用晶体等色图原理来设计双折射调谐片。设计中晶片转动使波长     

残剩泵光全反馈的钛宝石可调谐激光器

本文引用增益调制的概念指出空间周期性增益的钛宝石可调谐激光器。将钛宝石晶体的后端面取屋脊陵镜形式,所成腔型是四镜折迭驻波腔的一半,泵束Ar~+激光全反射返回形成周期性的增益调制。这种腔可更有效利用泵束能量;钛宝石晶体也可以较短,对于质量不佳的钛宝石晶体可降低阈     

海珊瑚在不同酸性条件处理下的微结构研究

本文利用扫描电镜（ＳＥＭ）观察了滨珊瑚和角孔现瑚及它们在不同酸性条件处理下的形貌和显微结构变化,并对角孔珊瑚进行了溶解失重分析。实验结果表明,为了保持珊瑚天然的微结构,以作为制备人工骨的材料,对其进行了处理环境的环境ｐＨ值不能小于３。     

在Si(111)上脉冲ArF准分子激光淀积晶态定向α-SiC薄膜

报道用脉冲 Ar F激光烧蚀 Si C陶瓷靶 ,在 80 0℃ Si( 1 1 1 )衬底上淀积 Si C薄膜 ,再经92 0℃真空 ( 1 0 - 3Pa)退火处理 ,制备出晶态α- Si C薄膜 .用 FTIR、XPS、SEM、XRD、TEM、PL谱等分析方法 ,研究了薄膜的表面形态、晶体结构、微结构、组成、化学态和光致发光等 .结果表明 ,在 92 0℃较低温度下 ,Si C薄膜经非晶核化 -长大过程 ,生成了晶态α- Si C( 0 0 0 1 )∥ Si( 1 1 1 )高度定向外延膜 ,薄膜内 C/ Si比约为 1 .0 1 .表面有污染 C及少量氧化态 Si和 C.室温下用 2 80 nm光激发薄膜 ,在 341 nm处有较强发光峰 ,半峰宽 45nm,显示出较好的短波     

宽带隙半导体材料SiC研究进展及其应用

SiC是第3代宽带隙半导体的核心材料之一，具有极为优良的物理化学性能，应用前景十分广阔，本文综合介绍SiC的基本特性，材料的生长技术（包括体单晶生长和薄膜外延生长技术），SiC基器件的研发现状，应用领域及发展前景，同时还介绍了作者用脉冲激光淀积法在Si衬底上制备出单晶4H-SiC薄膜的研究结果。     

脉冲ArF准分子激光淀积SiC/Si(100)薄膜的最佳晶化温度及光致发光

用脉冲 Ar F准分子激光熔蚀 Si C陶瓷靶 ,在 80 0℃ Si(10 0 )衬底上淀积 Si C薄膜 ,经不同温度真空 (10 - 3Pa)退火后 ,用 FTIR、XRD、TEM、XPS、PL 谱等分析方法 ,研究了薄膜最佳晶化温度及表面形态、结构、组成 ,并对在最佳退火温度处理后的样品进行了化学态、微结构及光致发光的研究 .结果表明 ,在 Si(10 0 )上 80 0℃淀积的样品为非晶Si C薄膜 .经 85 0— 10 5 0℃不同温度真空退火后 ,Si C薄膜经非晶核化 -长大过程 ,在 980℃完成最佳晶化 .随退火温度的变化 ,薄膜中可能存在 3C- Si C与 6 H- Si C的竞争生长或 /和 3C- Si C相的长、消 (最佳温度     

新型激光晶体Gd_3(In,Ga)_2Ga_3O_(12):Cr~(3+)的发光

本文首次报道了一种用熔盐法生长的新型终端声子激光晶体Gd_3(In,Ga)_2Ga_2O_(12):Cr~(3+)的光谱特性。根据室温吸收谱及荧光谱确定了该晶体的若干主要光谱参数。     

β-BaB_2O_4倍频掺钛宝石可调谐激光

在钛宝石激光调谐范围(660～1200nm)BBO的Ⅰ类匹配角是36.0°～21.2°,已获得1.4mJ/脉冲以上紫外倍频输出,转换效率达26.2％以上。     

连续钛宝石可调谐激光器研究

钛宝石激光器是1982年出现的新型可调谐固体激光器,十年来发展很快。本研究中采用四镜折迭驻波腔,Ar~+激光束全线轴向泵浦钛宝石晶体实现了激光连续运转。激光输出超过250mW阈值约2.4W,两折迭腔镜的曲率半径为150mm或     

利用高频PlasmaCVD在蓝宝石衬底上生长立方GaN缓冲层及其光学性

研究了采用高频 Plasma CVD技术在较低温度下 (30 0— 40 0℃ )生长以 Ga N为基的 - 族氮化物的可行性 ,在蓝宝石衬底上生长了 Ga N缓冲层 .热处理后的光致发光谱和 X光衍射表明 ,生长的 Ga N缓冲层为立方相 ,带边峰位于 3.15 e V.在作者实验的范围内 ,最优化的 TMGa流量为 0 .0 8sccm (TMAm=10 sccm时 ) ,XPS分析结果表明此时的 Ga/ N比为 1.0 3.这是第一次在高 / 比下得到立方 Ga N.相同条件下石英玻璃衬底上得到的立方 Ga N薄膜 ,黄光峰很弱 ,晶体质量较好