利用多孔硅层增强P型CZ硅中吸杂效率的一种新方法

A new two-step phosphorous diffusion gettering(TSPDG) process using a sacrificial porous silicon layer(PSL) is proposed.Due to a decrease in high temperature time,the TSPDG(PSL) process weakens the deterioration in performances of PSL,and increases the capability of impurity clusters to dissolve and diffuse to the gettering regions.By means of the TSPDG(PSL) process under conditions of 900℃/60 min + 700℃/30 min,the effective lifetime of minority carriers in solar-grade(SOG) Si is increased to 14.3 times ...     

埋栅结构双极型静电感应晶体管动态特性的改善

双极型静电感应晶体管(BSIT)的失效经常出现在阻断态与导通态之间的瞬态过渡过程。因此,研究BSIT的开关动态过程的物理机理对于设计和制造高性能器件有着重要意义。本文深入研究了埋栅结构电力BSIT瞬态过程的动态特性,讨论了材料、几何结构与工艺参数对BSIT动态性能的影响。提出了一系列改善BSIT动态特性的工艺措施。     

MPS二极管的少子特性仿真

混合pin/肖特基(MPS)二极管是广泛应用于电子电路中的快恢复功率器件,具有高击穿电压、快速开关和正向电流大等特性。对MPS二极管漂移区的少数载流子的特性进行了仿真分析。仿真结果表明,MPS二极管的p^+区向漂移区注入的少数载流子浓度随外加正向电压和pn结面积占元胞总面积比例的增大而增大。虽然漂移区的少数载流子改变了MPS二极管的工作模式,增大了电流,但是存储在漂移区的少数载流子增大了反向峰值电流和恢复时间,进而增大了功耗并降低了关断速度。折中考虑正向电流和反向恢复特性,可获得具有正向电流大、反向峰值电流小和反向恢复时间短的MPS二极管。     

一种具有高正向阻断电压及优良开关特性的新型静电感应晶闸管

设计并构造了一种具有条状阳极P-缓冲层结构（SAP-B）的新型静电感应晶闸管。该结构以具有p- 缓冲层和嵌入p+发射区（条状阳极区）的弱掺杂n-发射区（泄漏阳极区）为特点。与传统扩散源区埋栅结构相比,SAP-B结构可进一步简化工艺,并将扩散源区埋栅结构静电感应晶闸管的正向阻断电压从1000V提高至1600V,阻断增益从40提高至70,同时将关断时间从0.8μs降低至0.4μs。     

基于Freescale MCU和多传感器的自由摆平板控制系统设计

根据单摆的工作特性,设计了基于Freescale MCU和多传感器的自由摆平板控制系统。整个系统主要由摆架框架、数据采集模块、主控系统、驱动模块四大部分组成。数据采集模块使用高精度、低量程的角度传感器;主控板以的飞思卡尔内核处理器为控制核心,采用直流电机作为执行单元。系统的软硬件设计都采用了模块化的设计思想。该系统能实现装在自由摆上的平板的旋转运动以及不同的摆幅和不同配重条件下的控制平板平衡功能。通过对系统进行性能测试,测试结果表明,系统性能良好。     

一种利用前馈电容改善瞬态响应的LDO

LDO具有高的纹波抑制和低噪声特点,在低输入输出压差以及RF领域应用广泛。在负载电流变化范围大的情况下,动态补偿成为必然选择。基于CSMC 0.5μm CMOS工艺,设计了一种利用MOS栅源电容实现动态补偿的LDO。采用反偏二极管模拟了寄生阱电容对系统稳定性的影响,并提出减小系统带宽、优化系统稳定性的方案。为了实现快速动态响应,设计前馈电容优化了系统。实验表明,设计的电路具有高PSRR和快速响应能力,适用于便携式设备供电。     

静电感应晶闸管沟道载流子分布的物理效应

The physical effects of the carrier distribution in the channel on the dynamical performance of a static induction thyristor （SITH） have been studied numerically and experimentally. The analytical expressions of the minority carrier distribution in the channel of the SITH were also derived and the space charge distribution control- ling mechanism on the current of the SITH under high level injection have been analyzed deeply. The relationships among the minority carrier distribution, potential distribution, I-V characteristics and transient performances of the SITH are revealed.     

埋栅结构静电感应晶体管耐压容量与I-V特性的改善

静电感应晶体管(SIT)有源区外围边界各种寄生电流的存在,不仅造成了阻断态下漏电增大,导致I-V特性异常,造成器件性能劣化,并且降低了器件的成品率。在器件有源区周围设计了保护沟槽,形成了槽台结构的孤岛,从物理上有效地切断了可能的寄生电流,改善了器件的耐压能力,优化了I-V特性。槽台结构通过对表面的台面造型来控制表面电场,能有效提高器件的击穿电压,改善器件电性能。     

大齿轮的加工

介绍利用ＺＷＦ－５０滚齿机进行改造扩大其加工尺寸限范围，较好地解决了大型磨机齿轮加工问题。     

基于加速度传感器MMA8451的振动检测仪设计

MMA8451是一款低电压供电,电容式微机械全数字式的传感器,可测量三轴方向的加速度。基于这款高性能的传感器,设计出主从式振动检测仪器。文中介绍了整个电路的设计思路与组成结构,给出了作为前端传感器在虚拟仪器中的应用,并且给出了测试结果。使用主从式对虚拟仪器进行设计,实现了预定目标并且摆脱了虚拟仪器开发对LabView的依赖。