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1应运而生的"自带设备(BYOD)"策略如今,随着移动设备销量节节攀升,越来越多员工希望将自有移动设备用于业务目的,这使得员工管理成为一项艰巨的任务。全球知名调研机构IDC的数据显示,2011年全球智能手机出货量预计将达到4.72亿部,而2010年为3.05亿部。据IDC预计,这一数字有望在2015年末翻倍至9.82亿部。 相似文献
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0前言这样的报刊标题太司空见惯了:攻击者黑掉了著名网站。这一对业务的威胁日趋严重的事件背景是分布式阻绝服务(DDoS)。重要的是,企业要对DDos的威胁有所察觉,并采取预防措施,才能避免成为出现在报刊头条上的下一个DDoS攻击受害 相似文献
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针对功率MOSFET的单粒子效应(SEE)开展了工艺加固技术研究,在单粒子烧毁(SEB)加固方面采用优化的体区掺杂工艺,有效降低了寄生双极晶体管(BJT)增益,抑制了单粒子辐照下的电流正反馈机制。在单粒子栅穿(SEGR)加固方面,通过形成缓变掺杂的外延缓冲层来降低纵向电场梯度,减弱了非平衡载流子在栅敏感区的累积,并开发了台阶栅介质结构提升栅敏感区的临界场强。实验结果表明,经过加固的功率MOSFET在满额漏源工作电压和15 V栅源负偏电压的偏置条件下,单粒子烧毁和栅穿LET值大于75 MeV·cm2/mg。在相同辐照条件下,加固器件的栅源负偏电压达到15~17 V,较加固前的7~10 V有显著提升。 相似文献
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随着MOS器件按比例缩小,MOS器件的可靠性问题正成为限制器件性能的一大瓶颈。作为可靠性研究的一个热点和难点,MOS器件栅介质可靠性的研究一直是学术界和工业界研究的重点。普遍认为,栅介质中的陷阱是引起栅介质退化乃至击穿的主要因素,对栅介质中陷阱信息的准确提取和分析将有助于器件性能的优化、器件寿命的预测等。针对几十年来研究人员提出的各种陷阱表征方法,在简单介绍栅介质中陷阱相关知识的基础上,对已有的界面陷阱和氧化层陷阱表征方法进行系统的调查总结和分析,详细阐述了表征技术的新进展。 相似文献
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王晨杰张新涛徐春强孔栓栓张藜 《中国海上油气》2021,(3):48-57
渤中凹陷北部中生界火山岩广泛发育,岩性变化快,储层非均质性强,优质储层主控因素认识不清。本次研究充分利用岩心、薄片、分析化验等数据,系统分析了研究区火山岩储层岩性特征、储集空间特征及优质储层控制因素。研究区火山岩岩性主要为火山角砾岩、流纹岩、安山岩、玄武岩和凝灰岩,储集空间类型以次生孔隙和裂缝为主,其中,中酸性岩性是优质储层发育的基础,火山通道相隐爆角砾岩亚相、侵出相外带亚相和中酸性溢流相上部亚相的近源相带是优质储层分布的有利位置。综合分析认为岩性岩相和火山机构是控制优质储层分布的主要因素,而构造运动和风化淋滤对火山岩储层再改造,增加火山岩储层的孔隙度和渗透性。最终明确了旅大25-A构造的北部及南部分别发育一个有利目标区,具有较大勘探潜力。 相似文献
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